Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Resultados: 719

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

IXFA10N80P
IXYS
1: S/25.65
8,843En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA10N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA10N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

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Hoja de datos

8,843En existencias

S/25.65

S/13.58

S/11.79

S/10.94

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IXFX64N60P
IXYS
1: S/108.64
1,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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1,148En existencias

S/108.64

S/71.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFK150N30P3
IXYS
1: S/106.65
1,539En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK150N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK150N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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1,539En existencias

S/106.65

S/69.87

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

150 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

197 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

IXFT170N25X3HV
IXYS
1: S/94.94
1,693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT170N25X3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT170N25X3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

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1,693En existencias

S/94.94

S/65.04

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

170 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

IXFP72N20X3
IXYS
1: S/44.30
3,503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP72N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP72N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

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3,503En existencias

S/44.30

S/24.76

S/22.81

S/22.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

72 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

IXFT94N30T
IXYS
1: S/101.56
99En existencias
300Se espera el 29/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFT94N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT94N30T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

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99En existencias

300Se espera el 29/12/2026

S/101.56

S/81.31

S/70.30

S/63.68

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

94 A

36 mOhms

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

IXFK32N100X
IXYS
1: S/117.71
131En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK32N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

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131En existencias

S/117.71

S/87.15

S/76.33

S/72.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET

IXFX52N100X
IXYS
1: S/162.98
94En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX52N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX52N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET

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Hoja de datos

94En existencias

S/162.98

S/128.80

S/99.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

52 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

245 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

IXFH34N65X2
IXYS
1: S/41.38
639En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH34N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH34N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

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639En existencias

S/41.38

S/25.89

S/22.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

IXFK250N10P
IXYS
1: S/121.76
88En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK250N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK250N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

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Hoja de datos

88En existencias

S/121.76

S/89.26

S/78.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

100 V

250 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

205 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFQ94N30P3
IXYS
1: S/61.19
166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFQ94N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ94N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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Hoja de datos

166En existencias

S/61.19

S/37.45

S/35.07

S/34.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

300 V

94 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds

IXFR140N20P
IXYS
1: S/89.45
345En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFR140N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR140N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds

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Hoja de datos

345En existencias

S/89.45

S/56.56

S/55.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

240 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

IXFT36N50P
IXYS
1: S/59.01
1,639En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT36N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT36N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

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Hoja de datos

1,639En existencias

S/59.01

S/36.01

S/32.74

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

36 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A

IXFT44N50P
IXYS
1: S/66.37
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT44N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT44N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A

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Hoja de datos

300En existencias

S/66.37

S/41.84

S/37.45

S/36.63

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

44 A

140 mOhms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

650 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFX150N30P3
IXYS
1: S/105.72
626En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX150N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX150N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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Hoja de datos

626En existencias

S/105.72

S/69.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

150 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

197 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A

IXFX80N50Q3
IXYS
1: S/154.38
710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX80N50Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX80N50Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A

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Hoja de datos

710En existencias

S/154.38

S/114.36

S/107.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

80 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFX80N60P3
IXYS
1: S/94.28
207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX80N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX80N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

207En existencias

S/94.28

S/59.91

S/59.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

80 A

70 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds

IXTP86N20T
IXYS
1: S/31.72
704En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP86N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP86N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds

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Hoja de datos

704En existencias

S/31.72

S/17.17

S/15.41

S/14.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

86 A

29 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS

IXFH120N25X3
IXYS
1: S/69.44
906En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH120N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH120N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

906En existencias

S/69.44

S/42.97

S/40.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

250 V

120 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

122 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFP80N25X3
IXYS
1: S/47.02
452En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP80N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP80N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

452En existencias

S/47.02

S/26.94

S/24.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

80 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

IXFT24N90P
IXYS
1: S/83.92
321En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT24N90P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT24N90P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

321En existencias

S/83.92

S/52.78

S/51.50

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

24 A

420 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET

IXTA60N20X4
IXYS
1: S/55.08
512En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA60N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA60N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET

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Hoja de datos

512En existencias

S/55.08

S/31.45

S/29.93

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

60 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

X4-Class

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFA80N25X3
IXYS
1: S/45.00
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA80N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA80N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

580En existencias

S/45.00

S/27.56

S/25.61

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

250 V

80 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFB110N60P3
IXYS
1: S/118.76
292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFB110N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB110N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

292En existencias

S/118.76

S/79.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

600 V

110 A

56 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

245 nC

- 55 C

+ 150 C

1.89 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

IXFH120N15P
IXYS
1: S/49.43
340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH120N15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH120N15P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

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Hoja de datos

340En existencias

S/49.43

S/29.70

S/26.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

120 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W