Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 34

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

IXTA6N100D2
IXYS
1: S/42.39
3,642En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

Obtenga más información

Hoja de datos

3,642En existencias

S/42.39

S/27.29

S/25.96

S/24.95

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AA-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6 A

2.2 Ohms

20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

IXTA3N50D2
IXYS
1: S/12.07
3,471En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

Obtenga más información

Hoja de datos

3,471En existencias

S/12.07

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3 A

1.5 Ohms

20 V

4.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL

IXTA6N100D2HV
IXYS
1: S/78.01
679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA6N100D2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA6N100D2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL

Obtenga más información

Hoja de datos

679En existencias

S/78.01

S/53.99

S/45.35

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AA-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6 A

2.2 Ohms

20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

IXTA1R6N100D2
IXYS
1: S/22.27
1,703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA1R6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA1R6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

Obtenga más información

Hoja de datos

1,703En existencias

S/22.27

S/11.68

S/9.93

S/8.95

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

1.6 A

10 Ohms

20 V

4.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 16A MOSFET

IXTH16N20D2
IXYS
1: S/96.81
502En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH16N20D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH16N20D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 16A MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

502En existencias

S/96.81

S/61.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

16 A

80 mOhms

20 V

4.5 V

208 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXTT10N100D2
IXYS
1: S/103.93
786En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT10N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT10N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Obtenga más información

Hoja de datos

786En existencias

S/103.93

S/77.42

S/70.96

S/67.65

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

10 A

1.5 Ohms

20 V

4.5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

IXTA3N100D2
IXYS
1: S/35.11
697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

Obtenga más información

Hoja de datos

697En existencias

S/35.11

S/19.19

S/17.59

S/16.39

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

3 A

6 Ohms

20 V

4.5 V

37.5 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 10A N-CH DEPL

IXTH10N100D2
IXYS
1: S/92.99
275En existencias
300Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTH10N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH10N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 10A N-CH DEPL

Obtenga más información

Hoja de datos

275En existencias

300Se espera el 26/10/2026

S/92.99

S/66.13

S/64.97

S/61.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

10 A

1.5 Ohms

20 V

4.5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 500V 16A MOSFET

IXTH16N50D2
IXYS
1: S/79.02
861En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH16N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH16N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 500V 16A MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

861En existencias

S/79.02

S/49.36

S/47.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

16 A

300 mOhms

20 V

4 V

199 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET

IXTH2N170D2
IXYS
1: S/109.96
302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH2N170D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH2N170D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

302En existencias

S/109.96

S/72.48

S/71.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

2 A

6.5 Ohms

20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

568 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

IXTH6N50D2
IXYS
1: S/54.07
469En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

Obtenga más información

Hoja de datos

469En existencias

S/54.07

S/30.21

S/28.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

6 A

550 mOhms

20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 1000V 800MA

IXTP08N100D2
IXYS
1: S/18.49
1,667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP08N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP08N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 1000V 800MA

Obtenga más información

Hoja de datos

1,667En existencias

S/18.49

S/10.28

S/8.76

S/7.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

800 mA

21 Ohms

20 V

4 V

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

IXTP3N100D2
IXYS
1: S/25.61
886En existencias
1,000Se espera el 30/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTP3N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP3N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

Obtenga más información

Hoja de datos

886En existencias

1,000Se espera el 30/09/2026

S/25.61

S/13.58

S/12.38

S/12.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

3 A

6 Ohms

20 V

4.5 V

37.5 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

IXTP3N50D2
IXYS
1: S/18.57
1,240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP3N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP3N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,240En existencias

S/18.57

S/11.60

S/11.21

S/10.90

S/10.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

3 A

1.5 Ohms

20 V

4.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

IXTP6N100D2
IXYS
1: S/46.17
525En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

Obtenga más información

Hoja de datos

525En existencias

S/46.17

S/26.86

S/24.80

S/24.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6 A

2.2 Ohms

20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

IXTY08N50D2
IXYS
1: S/16.97
6,445En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY08N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY08N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

Obtenga más información

Hoja de datos

6,445En existencias

S/16.97

S/11.17

S/7.51

S/6.38

S/6.34

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

800 mA

4.6 Ohms

20 V

4.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

IXTA08N100D2
IXYS
1: S/19.00
52En existencias
3,050En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTA08N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA08N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

Obtenga más información

Hoja de datos

52En existencias

3,050En pedido

S/19.00

S/10.00

S/9.03

S/7.12

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

800 mA

21 Ohms

20 V

4 V

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT

IXTA08N100D2HV
IXYS
1: S/26.78
3En existencias
400Se espera el 15/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTA08N100D2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA08N100D2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT

Obtenga más información

Hoja de datos

3En existencias

400Se espera el 15/12/2026

S/26.78

S/16.04

S/12.88

S/11.95

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263HV-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

800 mA

21 Ohms

20 V

4 V

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA

IXTA08N50D2
IXYS
1: S/18.33
556En existencias
40Se espera el 28/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTA08N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA08N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA

Obtenga más información

Hoja de datos

556En existencias

40Se espera el 28/10/2026

S/18.33

S/9.38

S/8.52

S/7.94

S/7.01

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

800 mA

4.6 Ohms

20 V

4.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6Amps 1000V

IXTH6N100D2
IXYS
1: S/53.83
163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6Amps 1000V

Obtenga más información

Hoja de datos

163En existencias

S/53.83

S/31.22

S/29.00

S/28.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6 A

2.2 Ohms

20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

IXTP08N50D2
IXYS
1: S/16.82
465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP08N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP08N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

Obtenga más información

Hoja de datos

465En existencias

S/16.82

S/10.08

S/7.90

S/6.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

800 mA

4.6 Ohms

20 V

2.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A

IXTP1R6N100D2
IXYS
1: S/21.41
593En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP1R6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP1R6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A

Obtenga más información

Hoja de datos

593En existencias

S/21.41

S/11.17

S/10.12

S/8.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

1.6 A

10 Ohms

20 V

4.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

IXTP1R6N50D2
IXYS
1: S/21.41
237En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP1R6N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP1R6N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

Obtenga más información

Hoja de datos

237En existencias

S/21.41

S/11.17

S/10.12

S/8.60

S/8.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

1.6 A

2.3 Ohms

20 V

4.5 V

23.7 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

IXTP6N50D2
IXYS
1: S/48.77
100En existencias
200Se espera el 18/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTP6N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP6N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

Obtenga más información

Hoja de datos

100En existencias

200Se espera el 18/11/2026

S/48.77

S/32.23

S/29.35

S/24.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

6 A

550 mOhms

20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8mAmps 1000V

IXTY08N100D2
IXYS
1: S/24.06
18En existencias
7,490Se espera el 8/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXTY08N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY08N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8mAmps 1000V

Obtenga más información

Hoja de datos

18En existencias

7,490Se espera el 8/03/2027

S/24.06

S/13.12

S/10.74

S/10.12

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

800 mA

21 Ohms

20 V

2 V

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte