Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 34

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

IXTY08N50D2
IXYS
1: S/13.20
21,506En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY08N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY08N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

Obtenga más información

Hoja de datos

21,506En existencias

S/13.20

S/8.25

S/7.01

S/6.27

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

800 mA

4.6 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

IXTA6N100D2
IXYS
1: S/42.31
3,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

Obtenga más información

Hoja de datos

3,648En existencias

S/42.31

S/27.29

S/25.30

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AA-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6 A

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET

IXTH2N170D2
IXYS
1: S/116.85
313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH2N170D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH2N170D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

313En existencias

S/116.85

S/82.21

S/75.09

S/72.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

2 A

6.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

568 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

IXTA6N50D2
IXYS
1: S/40.05
790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA6N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA6N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

Obtenga más información

Hoja de datos

790En existencias

S/40.05

S/27.29

S/25.30

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

6 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXTT10N100D2
IXYS
1: S/106.03
831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT10N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT10N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Obtenga más información

Hoja de datos

831En existencias

S/106.03

S/84.90

S/68.70

S/65.86

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

10 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

IXTA3N50D2
IXYS
1: S/28.14
3,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

Obtenga más información

Hoja de datos

3,648En existencias

S/28.14

S/15.45

S/13.16

S/12.07

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL

IXTA6N100D2HV
IXYS
1: S/79.25
679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA6N100D2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA6N100D2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL

Obtenga más información

Hoja de datos

679En existencias

S/79.25

S/59.20

S/45.93

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AA-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6 A

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

IXTP6N50D2
IXYS
1: S/47.68
377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP6N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP6N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

Obtenga más información

Hoja de datos

377En existencias

S/47.68

S/26.86

S/24.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

6 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

IXTA1R6N100D2
IXYS
1: S/22.27
1,706En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA1R6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA1R6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

Obtenga más información

Hoja de datos

1,706En existencias

S/22.27

S/11.68

S/9.73

S/9.07

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

1.6 A

10 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 1A N-CH DEPL

IXTA1R6N100D2HV
IXYS
1: S/28.03
253En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA1R6N100D2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA1R6N100D2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 1A N-CH DEPL

Obtenga más información

Hoja de datos

253En existencias

S/28.03

S/16.00

S/14.09

S/13.16

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263HV-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

1.6 A

10 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A

IXTY1R6N100D2
IXYS
1: S/22.30
6,932En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY1R6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY1R6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A

Obtenga más información

Hoja de datos

6,932En existencias

S/22.30

S/12.81

S/10.67

S/9.54

S/8.60

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

1.6 A

10 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

IXTA3N100D2
IXYS
1: S/35.11
757En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

Obtenga más información

Hoja de datos

757En existencias

S/35.11

S/19.19

S/17.59

S/16.58

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

3 A

6 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

37.5 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 10A N-CH DEPL

IXTH10N100D2
IXYS
1: S/92.56
277En existencias
300Se espera el 13/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTH10N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH10N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 10A N-CH DEPL

Obtenga más información

Hoja de datos

277En existencias

300Se espera el 13/10/2026

S/92.56

S/62.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

10 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 16A MOSFET

IXTH16N20D2
IXYS
1: S/92.72
507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH16N20D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH16N20D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 16A MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

507En existencias

S/92.72

S/62.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

16 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

208 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 500V 16A MOSFET

IXTH16N50D2
IXYS
1: S/71.39
871En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH16N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH16N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 500V 16A MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

871En existencias

S/71.39

S/52.59

S/48.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

16 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

199 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6Amps 1000V

IXTH6N100D2
IXYS
1: S/50.99
318En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6Amps 1000V

Obtenga más información

Hoja de datos

318En existencias

S/50.99

S/33.86

S/29.00

S/26.20

S/26.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6 A

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

IXTH6N50D2
IXYS
1: S/52.00
475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

Obtenga más información

Hoja de datos

475En existencias

S/52.00

S/32.74

S/29.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

6 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 1000V 800MA

IXTP08N100D2
IXYS
1: S/17.44
1,738En existencias
100Se espera el 29/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTP08N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP08N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 1000V 800MA

Obtenga más información

Hoja de datos

1,738En existencias

100Se espera el 29/07/2026

S/17.44

S/10.28

S/8.76

S/7.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

800 mA

21 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

IXTP3N100D2
IXYS
1: S/25.03
941En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTP3N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP3N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

Obtenga más información

Hoja de datos

941En existencias

1,000En pedido

S/25.03

S/13.58

S/12.38

S/12.14

S/10.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

3 A

6 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

37.5 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

IXTP3N50D2
IXYS
1: S/25.61
792En existencias
450Se espera el 29/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTP3N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP3N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

Obtenga más información

Hoja de datos

792En existencias

450Se espera el 29/07/2026

S/25.61

S/13.58

S/12.38

S/12.14

S/10.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

3 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8mAmps 1000V

IXTY08N100D2
IXYS
1: S/20.94
4,395En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY08N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY08N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8mAmps 1000V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,395En existencias

S/20.94

S/11.37

S/10.08

S/8.91

S/7.98

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

800 mA

21 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

IXTA08N100D2
IXYS
1: S/18.18
26En existencias
3,050En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTA08N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA08N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

Obtenga más información

Hoja de datos

26En existencias

3,050En pedido

S/18.18

S/9.42

S/8.52

S/7.01

S/6.97

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

800 mA

21 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT

IXTA08N100D2HV
IXYS
1: S/24.80
61En existencias
400Se espera el 15/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTA08N100D2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA08N100D2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT

Obtenga más información

Hoja de datos

61En existencias

400Se espera el 15/12/2026

S/24.80

S/13.12

S/11.91

S/10.47

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263HV-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

800 mA

21 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA

IXTA08N50D2
IXYS
1: S/18.33
556En existencias
40Se espera el 11/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTA08N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA08N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA

Obtenga más información

Hoja de datos

556En existencias

40Se espera el 11/11/2026

S/18.33

S/9.38

S/8.52

S/7.01

S/6.97

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

800 mA

4.6 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

IXTP08N50D2
IXYS
1: S/16.08
480En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP08N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP08N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

Obtenga más información

Hoja de datos

480En existencias

S/16.08

S/8.68

S/7.67

S/6.42

S/6.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

800 mA

4.6 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte