Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12V_IN / 1V to 3V_OUT DC-DC synchronous buck converter applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 31

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

IRF7303TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
1: S/6.73
9,404En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7303TRPBFXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF7303TRPBFXTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

Obtenga más información

Hoja de datos

9,404En existencias

Cinta cortada

S/6.73

S/4.24

S/2.78

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.50

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

5.3 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

IRF7313TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
1: S/4.83
7,703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7313TRPBFXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF7313TRPBFXTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

Obtenga más información

Hoja de datos

7,703En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/2.98

S/1.96

S/1.54

Envase tipo carrete

S/1.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6.5 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

IRF7341GTRPBF
Infineon Technologies
1: S/9.81
21,757En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7341GTRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7341GTRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

Obtenga más información

Hoja de datos

21,757En existencias

Cinta cortada

S/9.81

S/6.31

S/4.28

S/3.63

Ver

Envase tipo carrete

S/3.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

55 V

5.1 A

65 mOhms, 65 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

2.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg

IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
1: S/4.55
80,515En existencias
44,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRF8736TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF8736TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

80,515En existencias

44,000En pedido

Cinta cortada

S/4.55

S/2.81

S/1.85

S/1.46

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

18 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl

IRLML2803TRPBF
Infineon Technologies
1: S/2.45
779,728En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML2803TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML2803TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl

Obtenga más información

Hoja de datos

779,728En existencias

Cinta cortada

S/2.45

S/1.70

S/1.08

S/0.677

Envase tipo carrete

S/0.522

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

1.2 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

3.3 nC

- 55 C

+ 150 C

540 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg

IRF8734TRPBF
Infineon Technologies
1: S/6.42
6,769En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRF8734TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF8734TRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg

Hoja de datos

6,769En existencias

Cinta cortada

S/6.42

S/4.01

S/2.83

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.53

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

21 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg

IRF8788TRPBF
Infineon Technologies
1: S/5.64
11,677En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRF8788TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF8788TRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg

Hoja de datos

11,677En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/4.13

S/2.87

S/2.28

Envase tipo carrete

S/2.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

24 A

3.04 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2

IPD090N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.97
5,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD090N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2

Hoja de datos

5,133En existencias

Cinta cortada

S/3.97

S/2.88

S/1.89

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A

IRF7389TRPBF
Infineon Technologies
1: S/7.86
5,155En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7389TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7389TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A

Obtenga más información

Hoja de datos

5,155En existencias

Cinta cortada

S/7.86

S/4.87

S/3.21

S/2.52

Envase tipo carrete

S/1.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

5.3 A, 7.3 A

46 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg

IRLB3813PBF
Infineon Technologies
1: S/10.90
5,749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLB3813PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLB3813PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

5,749En existencias

S/10.90

S/7.01

S/4.79

S/3.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

260 A

1.95 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

HEXFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC

IRLR7843TRPBF
Infineon Technologies
1: S/8.87
2,667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLR7843TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLR7843TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC

Obtenga más información

Hoja de datos

2,667En existencias

Cinta cortada

S/8.87

S/5.57

S/3.66

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

161 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

IRF7103TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
1: S/4.44
3,950En existencias
4,000Se espera el 5/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF7103TRPBFXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF7103TRPBFXTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

Obtenga más información

Hoja de datos

3,950En existencias

4,000Se espera el 5/08/2026

Cinta cortada

S/4.44

S/2.74

S/1.81

S/1.42

Envase tipo carrete

S/0.946

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

50 V

3 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC

IRF7205TRPBF
Infineon Technologies
1: S/4.44
15,941En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7205TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7205TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC

Obtenga más información

Hoja de datos

15,941En existencias

Cinta cortada

S/4.44

S/2.72

S/1.79

S/1.41

Envase tipo carrete

S/1.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

4.6 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A

IRF7309TRPBF
Infineon Technologies
1: S/5.14
10,506En existencias
12,000Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF7309TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7309TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A

Obtenga más información

Hoja de datos

10,506En existencias

12,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/5.14

S/3.04

S/2.09

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

3.5 A, 4.7 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A

IRF7316TRPBF
Infineon Technologies
1: S/7.28
7,680En existencias
16,000Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF7316TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7316TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A

Obtenga más información

Hoja de datos

7,680En existencias

16,000Se espera el 26/10/2026

Cinta cortada

S/7.28

S/4.55

S/3.02

S/2.39

Envase tipo carrete

S/1.87

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

4.9 A

76 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A

IRF7319TRPBF
Infineon Technologies
1: S/7.20
6,918En existencias
12,000Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF7319TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7319TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A

Obtenga más información

Hoja de datos

6,918En existencias

12,000Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

S/7.20

S/4.44

S/2.92

S/2.29

Envase tipo carrete

S/1.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

6.5 A

46 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC

IRF7416TRPBF
Infineon Technologies
1: S/5.68
13,748En existencias
24,000Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRF7416TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7416TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC

Obtenga más información

Hoja de datos

13,748En existencias

24,000Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/5.68

S/3.58

S/2.37

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC

IRF7832TRPBF
Infineon Technologies
1: S/7.05
10,476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7832TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7832TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC

Obtenga más información

Hoja de datos

10,476En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/4.55

S/3.04

S/2.41

Envase tipo carrete

S/1.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

20 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.32 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg

IRF7862TRPBF
Infineon Technologies
1: S/7.63
17,985En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRF7862TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7862TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

17,985En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

S/7.63

S/5.02

S/3.34

S/2.63

Envase tipo carrete

S/1.98

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

21 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
1: S/2.53
126,072En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML0030TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0030TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

126,072En existencias

Cinta cortada

S/2.53

S/1.62

S/1.06

S/0.716

Envase tipo carrete

S/0.436

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.3 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC

IRLML2030TRPBF
Infineon Technologies
1: S/2.22
48,802En existencias
36,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLML2030TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML2030TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC

Obtenga más información

Hoja de datos

48,802En existencias

36,000En pedido

Cinta cortada

S/2.22

S/1.54

S/0.973

S/0.611

Envase tipo carrete

S/0.471

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2.7 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A

IRF7907TRPBF
Infineon Technologies
1: S/5.68
10,876En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRF7907TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7907TRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A

Hoja de datos

10,876En existencias

Cinta cortada

S/5.68

S/3.50

S/2.30

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.53

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

9.1 A, 11 A

17.1 mOhms, 11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

6.7 nC, 14 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V

ISA220280C03LMDSXTMA1
Infineon Technologies
1: S/4.59
396En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISA220280C03LMDSXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISA220280C03LMDS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V

Hoja de datos

396En existencias

Cinta cortada

S/4.59

S/2.83

S/1.86

S/1.46

Ver

Envase tipo carrete

S/0.942

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

DSO-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

8.1 A, 8.4 A

22 mOhms, 28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

8.9 nC, 7.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/2.76
385En existencias
27,000Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS315PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS315PH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

Hoja de datos

385En existencias

27,000Se espera el 17/09/2026

Cinta cortada

S/2.76

S/1.91

S/1.21

S/0.751

Envase tipo carrete

S/0.467

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.3 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

IPD031N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.05
1,985En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD031N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,985En existencias

2,500En pedido

Cinta cortada

S/7.05

S/4.44

S/2.90

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

30V HEXFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.2 A
1.5 A
2.7 A
3 A
3.5 A
3.5 A, 4.7 A
3.6 A
4.6 A
4.7 A
4.9 A
5.1 A
5.3 A
5.3 A, 7.3 A
6.5 A
8.1 A, 8.4 A
9.1 A, 11 A
10 A
14 A
18 A
20 A

1.95 mOhms
2.6 mOhms
3.04 mOhms
3.2 mOhms
3.7 mOhms
4.5 mOhms
5.1 mOhms
5.3 mOhms
6.8 mOhms
7.5 mOhms
8.7 mOhms
14 mOhms
17.1 mOhms, 11.5 mOhms
22 mOhms, 28 mOhms
27 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
46 mOhms
50 mOhms
65 mOhms, 65 mOhms

1 nC
2.3 nC
2.6 nC
3.3 nC
6.7 nC, 14 nC
8.1 nC
8.9 nC, 7.2 nC
12 nC
14 nC, 12 nC
15 nC
16.7 nC
17 nC
20 nC
22 nC
23 nC
24 nC
25 nC
27 nC
29 nC
30 nC