Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12V_IN / 1V to 3V_OUT DC-DC synchronous buck converter applications.

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Resultados: 31

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl IRLML2803TRPBF Infineon Technologies 1: S/1.60 677,271En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRLML2803TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLML2803TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	677,271En existencias	Cinta cortada S/1.60 S/0.697 S/0.611 S/0.452 Envase tipo carrete S/0.335 Ver S/0.288 S/0.249 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 30,000 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	1.2 A	400 mOhms	20 V	1 V	3.3 nC	- 55 C	+ 150 C	540 mW	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg IRF7862TRPBF Infineon Technologies 1: S/7.32 29,875En existencias 8,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRF7862TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7862TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	29,875En existencias 8,000En pedido	Cinta cortada S/7.32 S/3.50 S/3.12 S/2.47 Ver Envase tipo carrete S/1.96 S/2.38 S/2.27 S/1.96 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	30 V	21 A	4.5 mOhms	20 V	2.35 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2 IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies 1: S/5.41 22,499En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD090N03LGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD090N03LGATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2	Hoja de datos	22,499En existencias	Cinta cortada S/5.41 S/2.51 S/2.13 S/1.73 Envase tipo carrete S/1.25 Ver S/1.57 S/1.19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	7.5 mOhms	20 V	2.2 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	42 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg IRF8788TRPBF Infineon Technologies 1: S/6.07 10,585En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRF8788TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF8788TRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg	Hoja de datos	10,585En existencias	Cinta cortada S/6.07 S/3.56 S/2.81 S/2.23 Ver Envase tipo carrete S/2.03 S/2.13 S/2.06 S/2.03 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	30 V	24 A	3.04 mOhms	20 V	1.8 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies 1: S/4.24 7,654En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF7103TRPBFXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRF7103TRPBFXTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	7,654En existencias	Cinta cortada S/4.24 S/1.95 S/1.72 S/1.33 Envase tipo carrete S/1.03 Ver S/1.28 S/1.20 S/0.915 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel	2 Channel	50 V	3 A	130 mOhms	20 V	3 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET IRF7341GTRPBF Infineon Technologies 1: S/9.69 16,208En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF7341GTRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7341GTRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	16,208En existencias	Cinta cortada S/9.69 S/4.75 S/4.24 S/3.39 Ver Envase tipo carrete S/2.92 S/3.29 S/3.13 S/2.92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	2 Channel	55 V	5.1 A	65 mOhms, 65 mOhms	20 V	1 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	2.4 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies 1: S/4.98 639En existencias 20,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRF7303TRPBFXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRF7303TRPBFXTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	639En existencias 20,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRF7303TRPBFXTMA1 Existencias: 639 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 8,000 Se espera el 5/11/2026 12,000 Se espera el 22/04/2027 Plazo de entrega de fábrica: 8 Semanas	Cinta cortada S/4.98 S/2.32 S/2.06 S/1.60 Envase tipo carrete S/1.21 Ver S/1.56 S/1.48 S/1.16 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel	2 Channel	30 V	5.3 A	50 mOhms	20 V	1 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies 1: S/4.48 3,405En existencias 4,000Se espera el 26/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF7313TRPBFXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRF7313TRPBFXTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	3,405En existencias 4,000Se espera el 26/10/2026	Cinta cortada S/4.48 S/2.07 S/1.84 S/1.42 Envase tipo carrete S/1.02 Ver S/1.39 S/1.30 S/0.993	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel	2 Channel	30 V	6.5 A	29 mOhms	20 V	1 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.14 4,130En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD031N03LGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD031N03LGATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	4,130En existencias	Cinta cortada S/8.14 S/3.93 S/3.26 S/2.67 S/2.55 Envase tipo carrete S/2.28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	30 V	90 A	2.6 mOhms	20 V	1 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC IRF7205TRPBF Infineon Technologies 1: S/4.20 27,139En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF7205TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7205TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	27,139En existencias	Cinta cortada S/4.20 S/1.94 S/1.72 S/1.32 Envase tipo carrete S/0.985 Ver S/1.28 S/1.19 S/0.915 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	P-Channel	1 Channel	30 V	4.6 A	130 mOhms	20 V	3 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A IRF7309TRPBF Infineon Technologies 1: S/4.63 20,505En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF7309TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7309TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	20,505En existencias	Cinta cortada S/4.63 S/2.14 S/1.90 S/1.47 Envase tipo carrete S/1.06 Ver S/1.45 S/1.28 S/1.04 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	30 V	3.5 A, 4.7 A	80 mOhms	20 V	1 V	16.7 nC	- 55 C	+ 150 C	1.4 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A IRF7316TRPBF Infineon Technologies 1: S/5.14 13,680En existencias 8,000Se espera el 19/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF7316TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7316TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	13,680En existencias 8,000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada S/5.14 S/2.41 S/2.13 S/1.66 Envase tipo carrete S/1.28 Ver S/1.63 S/1.54 S/1.26 S/1.22 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	P-Channel	2 Channel	30 V	4.9 A	76 mOhms	20 V	1 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A IRF7319TRPBF Infineon Technologies 1: S/6.38 15,482En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF7319TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7319TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	15,482En existencias	Cinta cortada S/6.38 S/3.01 S/2.68 S/2.11 Envase tipo carrete S/1.60 Ver S/2.02 S/1.83 S/1.49 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	30 V	6.5 A	46 mOhms	20 V	1 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC IRF7832TRPBF Infineon Technologies 1: S/6.70 9,346En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF7832TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7832TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	9,346En existencias	Cinta cortada S/6.70 S/3.35 S/2.83 S/2.28 Ver Envase tipo carrete S/1.88 S/2.15 S/2.06 S/1.88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	30 V	20 A	3.7 mOhms	20 V	2.32 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg IRF8736TRPBF Infineon Technologies 1: S/6.81 66,850En existencias 44,000Se espera el 26/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF8736TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF8736TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	66,850En existencias 44,000Se espera el 26/10/2026	Cinta cortada S/6.81 S/3.24 S/2.89 S/2.28 Ver Envase tipo carrete S/1.80 S/2.18 S/2.08 S/1.80 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	30 V	18 A	6.8 mOhms	20 V	1.8 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg IRLB3813PBF Infineon Technologies 1: S/10.94 4,478En existencias 5,000Se espera el 20/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IRLB3813PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLB3813PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	4,478En existencias 5,000Se espera el 20/10/2026	S/10.94 S/5.41 S/4.87 S/3.89 Ver S/3.64 S/3.57 S/3.44	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	30 V	260 A	1.95 mOhms	20 V	1.9 V	86 nC	- 55 C	+ 175 C	230 W	Enhancement	HEXFET	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg IRLML0030TRPBF Infineon Technologies 1: S/1.87 72,734En existencias 84,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRLML0030TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLML0030TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	72,734En existencias 84,000En pedido	Cinta cortada S/1.87 S/0.825 S/0.72 S/0.541 Envase tipo carrete S/0.401 Ver S/0.389 S/0.343 S/0.288 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	5.3 A	27 mOhms	20 V	1.3 V	2.6 nC	- 55 C	+ 150 C	1.3 W	Enhancement	HEXFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC IRLML2030TRPBF Infineon Technologies 1: S/1.63 39,670En existencias 36,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRLML2030TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLML2030TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	39,670En existencias 36,000En pedido	Cinta cortada S/1.63 S/0.716 S/0.627 S/0.467 Envase tipo carrete S/0.346 Ver S/0.296 S/0.257 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	2.7 A	100 mOhms	20 V	1.3 V	1 nC	- 55 C	+ 150 C	1.3 W	Enhancement	HEXFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC IRLR7843TRPBF Infineon Technologies 1: S/7.71 7,853En existencias 8,000Se espera el 15/04/2027	N.º de artículo del Fabricante IRLR7843TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLR7843TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	7,853En existencias 8,000Se espera el 15/04/2027	Cinta cortada S/7.71 S/3.81 S/3.30 S/2.68 Envase tipo carrete S/2.30 Ver S/2.52 S/2.21 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	30 V	161 A	3.2 mOhms	20 V	2.3 V	50 nC	- 55 C	+ 175 C	140 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V IRF8714TRPBFXTMA1 Infineon Technologies 1: S/6.03 31,061En existencias 345Se espera el 8/10/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IRF8714TRPBFXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRF8714TRPBFXTMA NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V	Hoja de datos	31,061En existencias 345Se espera el 8/10/2026	Cinta cortada S/6.03 S/2.83 S/2.52 S/1.97 Envase tipo carrete S/1.47 Ver S/1.89 S/1.71 S/1.42 S/1.40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel	1 Channel	30 V	14 A	8.7 mOhms	20 V	2.35 V	8.1 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A IRF7907TRPBF Infineon Technologies 1: S/5.41 7,600En existencias 16,000Se espera el 9/09/2027 NRND	N.º de artículo del Fabricante IRF7907TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7907TRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A	Hoja de datos	7,600En existencias 16,000Se espera el 9/09/2027	Cinta cortada S/5.41 S/2.52 S/2.24 S/1.74 Envase tipo carrete S/1.28 Ver S/1.60 S/1.44 S/1.18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	2 Channel	30 V	9.1 A, 11 A	17.1 mOhms, 11.5 mOhms	20 V	1.8 V	6.7 nC, 14 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V ISA220280C03LMDSXTMA1 Infineon Technologies 1: S/4.32 343En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISA220280C03LMDSXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISA220280C03LMDS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V	Hoja de datos	343En existencias	Cinta cortada S/4.32 S/1.99 S/1.77 S/1.36 Envase tipo carrete S/0.977 Ver S/1.32 S/1.23 S/0.95	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	DSO-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	30 V	8.1 A, 8.4 A	22 mOhms, 28 mOhms	20 V	2.7 V	8.9 nC, 7.2 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A IRF7306TRPBF Infineon Technologies 1: S/5.96 1,071En existencias 4,000Se espera el 15/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF7306TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7306TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	1,071En existencias 4,000Se espera el 15/10/2026	Cinta cortada S/5.96 S/3.31 S/2.44 S/1.91 Ver Envase tipo carrete S/1.32 S/1.77 S/1.57 S/1.32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	P-Channel	2 Channel	30 V	3.6 A	100 mOhms	20 V	1 V	16.7 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A IRF7389TRPBF Infineon Technologies 1: S/5.53 5,926En existencias 4,000Se espera el 19/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF7389TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7389TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	5,926En existencias 4,000Se espera el 19/10/2026	Cinta cortada S/5.53 S/2.58 S/2.29 S/1.78 Envase tipo carrete S/1.33 Ver S/1.69 S/1.61 S/1.23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	30 V	5.3 A, 7.3 A	46 mOhms	20 V	1 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC IRF7416TRPBF Infineon Technologies 1: S/5.02 4,846En existencias 39,422En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRF7416TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7416TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	4,846En existencias 39,422En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRF7416TRPBF Existencias: 4,846 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 16,000 Se espera el 15/10/2026 3,422 Se espera el 26/10/2026 20,000 Se espera el 23/09/2027 Plazo de entrega de fábrica: 50 Semanas	Cinta cortada S/5.02 S/2.41 S/2.18 S/1.77 Ver Envase tipo carrete S/1.39 S/1.76 S/1.72 S/1.39 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4,000 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	P-Channel	1 Channel	30 V	10 A	35 mOhms	20 V	1 V	61 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel