Semiconductores discretos

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MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa

STE145N65M5
STMicroelectronics
1: S/122.26
774En existencias

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STE145N65M5

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511-STE145N65M5

STMicroelectronics

Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa

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S/122.26

S/95.29

S/87.19

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MOSFET Modules

Screw Mount

ISOTOP

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD16N50M2
STMicroelectronics
1: S/9.73
2,612En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16N50M2

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511-STD16N50M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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Cinta cortada

S/9.73

S/6.27

S/4.28

S/3.41

Envase tipo carrete

S/2.84

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2

STP40N60M2
STMicroelectronics
1: S/28.42
964En existencias

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STP40N60M2

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511-STP40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2

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S/28.42

S/18.61

S/13.70

S/12.18

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

STL12N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.77
3,313En existencias

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STL12N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL12N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

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S/9.77

S/6.23

S/4.24

S/3.39

S/3.07

Envase tipo carrete

S/2.77

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD16N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.19
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STD16N60M2

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511-STD16N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/9.19

S/5.84

S/3.93

S/3.19

Envase tipo carrete

S/2.67

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF40N65M2
STMicroelectronics
1: S/19.58
944En existencias

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STF40N65M2

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511-STF40N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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S/19.58

S/13.31

S/11.48

S/10.08

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STU13N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.80
2,256En existencias

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STU13N60M2

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511-STU13N60M2

STMicroelectronics

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S/8.80

S/4.01

S/3.59

S/3.02

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MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB28N60M2
STMicroelectronics
1: S/10.86
1,868En existencias

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STB28N60M2

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511-STB28N60M2

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S/10.86

S/7.01

S/4.83

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.30

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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STU7N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.10
2,924En existencias

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STU7N60M2

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511-STU7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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S/8.10

S/5.14

S/3.47

S/2.81

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MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2

STW70N60M2
STMicroelectronics
1: S/44.26
565En existencias

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STW70N60M2

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511-STW70N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2

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S/44.26

S/31.26

S/26.04

S/23.24

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD13N65M2
STMicroelectronics
1: S/9.03
3,082En existencias

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STD13N65M2

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511-STD13N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/9.03

S/4.24

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S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.34

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

STI28N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.73
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STI28N60M2

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511-STI28N60M2

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S/15.73

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60M2
STMicroelectronics
1: S/23.08
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STL33N60M2

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511-STL33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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S/23.08

S/15.10

S/11.25

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S/8.21

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

STB24N60M2
STMicroelectronics
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2,428En existencias

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STB24N60M2

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511-STB24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

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S/14.71

S/9.58

S/6.73

S/5.68

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S/5.14

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB33N65M2
STMicroelectronics
1: S/21.02
3,857En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB33N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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S/21.02

S/13.97

S/9.96

S/9.46

Envase tipo carrete

S/8.76

S/8.17

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

STL18N65M2
STMicroelectronics
1: S/13.39
3,706En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

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S/13.39

S/7.90

S/5.88

S/5.06

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S/4.24

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

STL24N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.84
6,000En existencias

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STL24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

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S/15.84

S/10.39

S/7.32

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU6N65M2
STMicroelectronics
1: S/6.81
2,425En existencias

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STU6N65M2

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511-STU6N65M2

STMicroelectronics

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S/6.81

S/3.48

S/2.81

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MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP16N65M2
STMicroelectronics
1: S/11.83
205En existencias
1,000Se espera el 5/02/2027

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STP16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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1,000Se espera el 5/02/2027

S/11.83

S/7.67

S/5.25

S/4.28

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STF7N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.25
1,878En existencias

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STF7N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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S/8.25

S/5.18

S/3.41

S/2.71

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

STP24N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.88
982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

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S/15.88

S/10.35

S/7.55

S/6.34

S/5.53

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF12N65M2
STMicroelectronics
1: S/9.73
1,046En existencias

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STF12N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package

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S/9.73

S/5.10

S/4.24

S/3.60

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MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STP10N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.75
1,744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

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S/7.75

S/4.09

S/3.61

S/2.72

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package

STW28N65M2
STMicroelectronics
1: S/20.36
639En existencias

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STW28N65M2

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511-STW28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package

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S/20.36

S/11.37

S/7.94

S/7.28

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STF6N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.21
1,703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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S/8.21

S/3.97

S/3.53

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

MDmesh™ II Power MOSFETs

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