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USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Infineon Technologies
1: S/24.37
978En existencias
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IAUT300N10S5N015ATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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S/24.37

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S/11.76

S/11.37

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Envase tipo carrete

S/10.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ40N10S5N130ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.20
7,581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ40N10S5N130ATMA1

N.º de artículo de Mouser
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S/3.06

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S/1.91

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: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.56
2,993En existencias

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IPA60R060P7XKSA1

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726-IPA60R060P7XKSA1

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S/13.39

S/11.17

S/11.09

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.01
824En existencias

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S/7.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.24
1,873En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.58
452En existencias
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IPB010N06NATMA1

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S/14.60

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.74
651En existencias

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S/12.61

S/11.52

S/10.43

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S/9.93

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/30.13
2,687En existencias
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IPB020N10N5ATMA1

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S/16.35

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S/12.73

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB031N08N5ATMA1
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2,810En existencias

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IPB031N08N5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB073N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.27
3,243En existencias
3,654Se espera el 14/10/2026

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IPB073N15N5ATMA1

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S/11.64

S/10.47

S/9.46

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S/9.03

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.93
728En existencias
4,000Se espera el 3/09/2026

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IPB60R045P7ATMA1

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726-IPB60R045P7ATMA1

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S/16.50

S/15.03

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S/13.94

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.57
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IPB60R060P7ATMA1

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726-IPB60R060P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
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IPB60R099P7ATMA1

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726-IPB60R099P7ATMA1

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S/10.98

S/9.96

S/8.25

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S/7.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.24
5,255En existencias

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IPB60R120P7ATMA1

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726-IPB60R120P7ATMA1

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S/17.24

S/8.84

S/8.02

S/6.77

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S/6.38

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IPD046N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.79
2,984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD046N08N5ATMA1

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726-IPD046N08N5ATMA1

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S/11.79

S/5.84

S/5.25

S/4.24

S/4.13

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S/3.81

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IPD050N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.97
5,544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD050N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD050N10N5ATMA1

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S/13.97

S/8.84

S/6.34

S/5.18

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2

IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.26
3,279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD053N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N06NATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2

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S/9.26

S/5.96

S/4.05

S/3.22

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.21
2,294En existencias
12,500Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

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S/11.21

S/5.57

S/5.02

S/4.05

S/3.78

Envase tipo carrete

S/3.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.56
9,846En existencias
7,500Se espera el 22/07/2027

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IPD60R180P7SAUMA1

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726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/8.56

S/4.16

S/3.71

S/2.95

S/2.84

Envase tipo carrete

S/2.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.05
3,200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/7.05

S/3.35

S/2.99

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.93

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.83
7,504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/4.83

S/2.25

S/2.00

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.21

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
17,919En existencias
15,000Se espera el 3/09/2026

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IPD70R1K4P7SAUMA1

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726-IPD70R1K4P7AUMA1

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S/4.09

S/1.88

S/1.66

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.02

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.29
8,939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/14.29

S/7.98

S/7.24

S/5.99

S/5.96

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S/5.61

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
7,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R900P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/7.82

S/5.02

S/3.36

S/2.66

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.18

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Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.55
12,652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R2K0P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

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S/7.55

S/3.60

S/3.16

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.04

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