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USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
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IPA70R600P7SXKSA1

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726-IPA70R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IPB024N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.71
41,698En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB024N10N5ATMA1

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726-IPB024N10N5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.06
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IPT020N10N5ATMA1

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726-IPT020N10N5ATMA1

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S/21.06

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S/9.85

S/9.07

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.10
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IPB010N06NATMA1

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726-IPB010N06NATMA1

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S/16.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.00
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IPD80R360P7ATMA1

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726-IPD80R360P7ATMA1

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S/4.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.24
5,234En existencias

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IPB60R120P7ATMA1

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726-IPB60R120P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.41
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IPD80R2K4P7ATMA1

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726-IPD80R2K4P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.45
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IPD80R750P7ATMA1

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726-IPD80R750P7ATMA1

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S/4.09

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB017N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.86
1,878En existencias

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IPB017N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N08N5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.28
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N.º de artículo del Fabricante
IAUT200N08S5N023ATMA1

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726-IAUT200N08S5N023

Infineon Technologies

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S/8.02

S/6.93

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/31.41
3,453En existencias

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IPL60R065P7AUMA1

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726-IPL60R065P7AUMA1

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S/31.41

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S/15.65

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S/14.17

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S/14.17

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT019N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.82
2,614En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT019N08N5ATMA1

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726-IPT019N08N5ATMA1

Infineon Technologies

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S/20.82

S/11.21

S/9.81

S/8.87

S/8.49

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S/8.49

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.35
1,534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB026N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

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S/16.35

S/8.84

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ30N10S5L240ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.72
15,959En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ30N10S5L240ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ30N10S5L240A

Infineon Technologies

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S/5.72

S/2.70

S/2.29

S/1.86

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S/1.41

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
8,670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

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S/6.97

S/3.31

S/2.95

S/2.33

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S/1.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ011NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.65
4,930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ011NE2LS5IATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ011NE2LS5IATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/9.65

S/5.37

S/4.40

S/3.79

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S/3.56

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.88
6,066En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT150N10S5N035ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT150N10S5N035

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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S/15.88

S/8.25

S/7.32

S/6.23

S/6.15

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S/5.76

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.73
6,909En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

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S/12.73

S/6.70

S/5.57

S/4.71

S/4.44

Envase tipo carrete

S/4.44

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0501NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.36
20,376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0501NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0501NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/7.36

S/3.50

S/3.05

S/2.47

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S/1.96

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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.66
4,860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/6.66

S/3.15

S/2.81

S/2.20

S/1.70

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT026N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.55
4,902En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT026N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT026N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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S/20.55

S/11.64

S/9.69

S/8.87

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S/8.87

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.29
1,067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/21.29

S/11.09

S/10.08

S/8.99

S/8.37

Envase tipo carrete

S/8.37

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
1,659En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/7.82

S/3.75

S/3.36

S/2.70

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.52
1,368En existencias
2,500Se espera el 8/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,500Se espera el 8/10/2026

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S/8.52

S/4.13

S/3.67

S/2.92

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.41

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.82
220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R045P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R045P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/36.82

S/20.63

S/19.03

S/18.57

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USB-C Chargers & Adapters

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