Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R040C7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
2EDF9275FXUMA1
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Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R107M1HXKSA1
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
IPB020N10N5LFATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
10,675 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
BSC093N15NS5ATMA1
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726-BSC093N15NS5ATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
26,570 En existencias
20,000 Se espera el 28/01/2027
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S/7.71
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
IPB017N10N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
27,853 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
IPT012N08N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
18,483 En existencias
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S/12.30
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
IPT015N10N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
23,864 En existencias
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R027M1HXKSA1
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N.º de artículo de Mouser
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
1,467 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
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1,879 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5LF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
1,879 En existencias
1
S/32.58
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S/17.94
100
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S/15.30
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/37.02
428 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
428 En existencias
1
S/37.02
10
S/23.32
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S/17.32
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Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
XMC1404F064X0200AAXUMA1
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3,681 En existencias
N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
3,681 En existencias
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3,800
S/6.62
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1,900
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Conversores CA/DC COOLSET
ICE5QSAGXUMA1
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2,724 En existencias
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726-ICE5QSAGXUMA1
Infineon Technologies
Conversores CA/DC COOLSET
2,724 En existencias
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25
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S/2.29
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2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/29.78
2,612 En existencias
7,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
2,612 En existencias
7,000 En pedido
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Existencias:
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En pedido:
4,000 Se espera el 28/01/2027
3,000 Se espera el 17/06/2027
Plazo de entrega de fábrica:
28 Semanas
1
S/29.78
10
S/16.35
100
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1,000
S/12.73
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1,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT059N15N3
Infineon Technologies
1:
S/27.29
847 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
847 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/27.29
10
S/18.26
100
S/14.67
500
S/13.04
1,000
S/12.34
2,000
S/11.68
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Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/26.78
1,088 En existencias
10,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
1,088 En existencias
10,000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
1,088 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
4,000 Se espera el 3/12/2026
6,000 Se espera el 3/06/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/26.78
10
S/14.48
100
S/13.27
500
S/12.30
1,000
S/11.68
2,000
S/11.68
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/37.68
985 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
985 En existencias
1
S/37.68
10
S/20.75
100
S/19.23
1,000
S/18.18
2,000
S/18.18
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/40.01
577 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R045CFD7XTM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
577 En existencias
1
S/40.01
10
S/22.15
100
S/20.82
500
S/20.79
1,000
S/19.85
2,000
S/19.70
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/85.67
681 En existencias
720 Se espera el 26/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
681 En existencias
720 Se espera el 26/11/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/41.03
707 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
707 En existencias
1
S/41.03
10
S/22.27
480
S/21.41
1,200
S/20.36
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/43.67
323 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
323 En existencias
1
S/43.67
10
S/27.83
100
S/23.94
480
S/21.53
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