Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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IPW60R160P6
Infineon Technologies
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803En existencias

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IPW60R160P6

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726-IPW60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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S/13.35

S/9.96

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
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714En existencias

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IPP60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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S/25.96

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Infineon Technologies
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IPL60R180P6AUMA1

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S/8.33

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S/6.11

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
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IPD60R380P6ATMA1

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Cinta cortada

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Envase tipo carrete

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

IPW60R190P6
Infineon Technologies
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469En existencias

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IPW60R190P6

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726-IPW60R190P6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

IPP60R190P6
Infineon Technologies
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IPP60R190P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190P6

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IPA60R600P6
Infineon Technologies
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S/8.76

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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S/6.93

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S/2.93

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

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Infineon Technologies
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S/8.29

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

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Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6
Infineon Technologies
1: S/23.90
377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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S/23.90

S/15.65

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.76
782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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S/18.76

S/11.02

S/8.99

S/7.01

S/6.81

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.47
5,007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R160P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160P6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

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Cinta cortada

S/16.47

S/8.37

S/7.59

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23.8 A

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4 V

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176 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.54
844En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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844En existencias

S/22.54

S/11.79

S/10.78

S/10.20

S/9.15

Min.: 1
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600 V

37.9 A

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20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R041P6
Infineon Technologies
1: S/44.49
450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R041P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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450En existencias

S/44.49

S/31.45

S/26.24

S/23.32

S/22.11

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3.5 V

170 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/44.61
723En existencias
1,200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R041P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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723En existencias

1,200En pedido

S/44.61

S/28.65

S/26.24

S/23.04

S/22.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

77.5 A

37 mOhms

20 V

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170 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.55
1,073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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1,073En existencias

S/23.55

S/12.07

S/11.05

S/10.82

S/9.73

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R160P6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.03
343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R160P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Hoja de datos

343En existencias

S/19.03

S/9.58

S/7.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6
Infineon Technologies
1: S/15.10
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

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30En existencias

S/15.10

S/9.85

S/7.16

S/5.99

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.95
447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R230P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R230P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

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447En existencias

S/11.95

S/5.96

S/5.49

S/4.28

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16.8 A

538 mOhms

20 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6
Infineon Technologies
1: S/10.90
419En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

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419En existencias

S/10.90

S/7.05

S/4.83

S/3.89

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R099P6
Infineon Technologies
1: S/25.96
486En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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486En existencias

S/25.96

S/17.01

S/12.77

S/10.82

S/9.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

20 V

3.5 V

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- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.91
266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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266En existencias

S/21.91

S/12.49

S/10.70

S/7.86

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R070P6
Infineon Technologies
1: S/27.64
181En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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181En existencias

S/27.64

S/18.49

S/14.87

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.92
330En existencias
720En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

330En existencias

720En pedido

S/28.92

S/17.67

S/13.78

S/12.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

53.5 A

63 mOhms

20 V

3.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

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