Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R160P6
Infineon Technologies
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804En existencias

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IPW60R160P6

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726-IPW60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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S/19.50

S/12.77

S/9.54

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1 Channel

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23.8 A

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176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.27
822En existencias

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IPA60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

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S/12.65

S/9.42

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.61
714En existencias

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IPP60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

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S/16.00

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Infineon Technologies
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3,871En existencias

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IPL60R180P6AUMA1

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726-IPL60R180P6AUMA1

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S/6.93

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
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7,256En existencias

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IPD60R380P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

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Cinta cortada

S/8.49

S/5.37

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S/2.93

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Envase tipo carrete

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRC/PRFRM

IPA60R600P6
Infineon Technologies
1: S/8.76
430En existencias

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IPA60R600P6

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726-IPA60R600P6

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S/3.03

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

IPP60R190P6
Infineon Technologies
1: S/14.17
713En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R190P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190P6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

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S/14.17

S/9.23

S/6.46

S/5.41

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

IPW60R190P6
Infineon Technologies
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571En existencias

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IPW60R190P6

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726-IPW60R190P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

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S/17.09

S/11.17

S/8.33

S/6.97

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Infineon Technologies
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IPD60R600P6ATMA1

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Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/7.36

S/4.59

S/3.02

S/2.40

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

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1 Channel

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12 nC

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

IPA60R190P6
Infineon Technologies
1: S/12.77
524En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R190P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190P6

Infineon Technologies

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S/12.77

S/8.29

S/5.72

S/4.75

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600 V

20.2 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R125P6
Infineon Technologies
1: S/20.94
450En existencias

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IPP60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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S/20.94

S/13.74

S/10.24

S/8.56

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1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

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+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.74
5,027En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R160P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160P6ATMA1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/16.74

S/10.98

S/8.17

S/6.85

Envase tipo carrete

S/5.99

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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600 V

23.8 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.90
854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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S/23.90

S/15.65

S/11.76

S/9.96

S/9.15

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1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.34
1,195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

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S/25.34

S/16.58

S/12.22

S/10.82

S/9.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R160P6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.36
343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R160P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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343En existencias

S/20.36

S/13.35

S/9.96

S/7.51

S/7.32

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Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6
Infineon Technologies
1: S/22.85
379En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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S/22.85

S/14.99

S/11.25

S/9.54

S/8.68

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6
Infineon Technologies
1: S/15.10
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

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S/15.10

S/9.85

S/7.16

S/5.99

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.14
8En existencias
1,000Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

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8En existencias

1,000Se espera el 1/10/2026

S/15.14

S/9.89

S/7.20

S/5.53

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.34
460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R230P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R230P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

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460En existencias

S/12.34

S/7.98

S/5.49

S/4.09

S/3.89

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16.8 A

538 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6
Infineon Technologies
1: S/10.90
39En existencias
500Se espera el 29/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

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39En existencias

500Se espera el 29/07/2026

S/10.90

S/7.05

S/4.83

S/3.89

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.90
736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

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736En existencias

S/10.90

S/7.05

S/4.83

S/3.89

S/3.44

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R099P6
Infineon Technologies
1: S/25.96
496En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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496En existencias

S/25.96

S/17.01

S/12.77

S/10.82

S/9.89

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.88
276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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276En existencias

S/21.88

S/14.32

S/10.67

S/8.95

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R070P6
Infineon Technologies
1: S/27.64
181En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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181En existencias

S/27.64

S/18.49

S/14.87

S/13.20

S/11.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

53.5 A

63 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

100 nC

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.92
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IPW60R070P6XKSA1

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S/17.91

S/13.39

S/13.04

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