Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs are N-channel, normal level, and 100% avalanche tested MOSFETs. The Infineon StrongIRFET 2 MOSFETs are optimized for a wide range of applications. The MOSFETs offer a V_DS range of 80V to 100V and an R_DS(on) from 2.4mΩ to 8.2mΩ.

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Resultados: 74

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPB029N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.65
1,551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB029N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB029N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

1,551En existencias

Cinta cortada

S/15.65

S/6.85

S/5.57

Envase tipo carrete

S/4.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPF012N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.71
782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF012N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF012N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

782En existencias

Cinta cortada

S/27.71

S/12.49

S/10.82

Envase tipo carrete

S/9.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

282 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPD029N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.38
3,047En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD029N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD029N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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3,047En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/5.96

S/4.01

S/3.25

S/2.91

Envase tipo carrete

S/2.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

131 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD038N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.33
3,420En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD038N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD038N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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3,420En existencias

Cinta cortada

S/11.33

S/7.28

S/4.94

S/4.20

S/3.71

Envase tipo carrete

S/3.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

3.85 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT022N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.50
1,539En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT022N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT022N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

1,539En existencias

Cinta cortada

S/19.50

S/12.77

S/9.54

S/7.98

S/7.01

Envase tipo carrete

S/6.03

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

236 A

2.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP082N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/5.53
1,856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP082N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

1,856En existencias

S/5.53

S/3.93

S/3.25

S/3.21

S/2.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

77 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPB016N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.20
1,079En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB016N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB016N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

1,079En existencias

Cinta cortada

S/17.20

S/11.29

S/8.64

Envase tipo carrete

S/7.32

S/5.92

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

170 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

IRFS7434TRL7PP
Infineon Technologies
1: S/16.85
5,449En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7434TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7434TRL7PP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

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Hoja de datos

5,449En existencias

Cinta cortada

S/16.85

S/10.20

S/9.26

S/8.06

Envase tipo carrete

S/6.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

240 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

210 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP014N06NF2SAKMA2
Infineon Technologies
1: S/14.44
1,027En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP014N06NF2SAKMA2

N.º de artículo de Mouser
726-P014N06NF2SAKMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

1,027En existencias

S/14.44

S/8.41

S/7.55

S/4.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

198 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP040N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.67
2,137En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N06NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

2,137En existencias

S/7.67

S/4.83

S/3.16

S/2.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPF039N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.71
768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF039N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF039N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

768En existencias

Cinta cortada

S/14.71

S/9.58

S/6.73

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

126 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPF017N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.71
365En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF017N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF017N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

365En existencias

Cinta cortada

S/23.71

S/15.53

S/11.44

S/10.16

Envase tipo carrete

S/8.60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

259 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

IPB018N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.92
737En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB018N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB018N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

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Hoja de datos

737En existencias

Cinta cortada

S/12.92

S/8.37

S/5.80

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

30 V

125 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

IPB020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.46
784En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB020N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

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Hoja de datos

784En existencias

Cinta cortada

S/12.46

S/8.10

S/5.57

S/4.55

Envase tipo carrete

S/4.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

30 V

122 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.28
6,961En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPD020N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD020N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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Hoja de datos

6,961En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/6.58

S/4.48

S/3.82

Envase tipo carrete

S/3.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

143 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD023N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.08
2,829En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPD023N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD023N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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Hoja de datos

2,829En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/6.42

S/4.32

S/3.50

S/3.27

Envase tipo carrete

S/2.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

137 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD030N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
3,721En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPD030N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD030N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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Hoja de datos

3,721En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/5.72

S/3.85

S/3.12

S/2.91

Envase tipo carrete

S/2.48

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

99 A

3.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD040N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.86
3,706En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPD040N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD040N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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Hoja de datos

3,706En existencias

Cinta cortada

S/7.86

S/4.94

S/3.25

S/2.58

Envase tipo carrete

S/2.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

73 A

4.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT015N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.41
4,179En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT015N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-15N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,179En existencias

Cinta cortada

S/24.41

S/16.00

S/11.79

S/10.47

S/9.34

Envase tipo carrete

S/9.34

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

315 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPD023N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.12
16,312En existencias
12,000Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD023N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD023N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

16,312En existencias

12,000Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

S/10.12

S/6.50

S/4.44

S/3.74

S/3.47

Envase tipo carrete

S/3.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

143 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD028N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.50
1,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD028N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD028N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,774En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/7.01

S/4.79

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

139 A

2.85 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPP011N04NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/17.36
3,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP011N04NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP011N04NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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S/17.36

S/9.11

S/7.47

S/7.28

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

201 A

1.15 mOhms

- 20 V, 20 V

3.4 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT012N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.64
1,648En existencias

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IPT012N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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S/24.64

S/16.15

S/11.91

S/10.59

S/9.46

Envase tipo carrete

S/9.46

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

351 A

1.23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD047N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
2,458En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPD047N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD047N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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S/6.97

S/4.40

S/2.88

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.77

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

71 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPB012N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.31
1,331En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB012N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB012N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Cinta cortada

S/16.31

S/10.63

S/7.40

S/5.68

Envase tipo carrete

S/5.10

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

197 A

1.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

159 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

46 A
52 A
53 A
71 A
73 A
77 A
78 A
80 A
83 A
94 A
98 A
99 A
107 A
110 A
115 A
117 A
118 A
119 A
120 A
121 A

900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.23 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.65 mOhms
1.7 mOhms
1.75 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.05 mOhms

3 nC
10 nC
13 nC
16 nC
18.6 nC
19 nC
21 nC
24 nC
27 nC
28 nC
33 nC
36 nC
38 nC
42 nC
45 nC
46 nC
50 nC
51 nC
54 nC
57 nC

3.8 W
35 W
41 W
65 W
71 W
75 W
83 W
99 W
100 W
107 W
136 W
143 W
150 W
167 W
188 W
208 W
214 W
245 W
250 W
300 W