Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

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Resultados: 44

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz

SSM6K781G,LF
Toshiba
1: S/3.39
51,796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K781G,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K781GLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz

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Hoja de datos

51,796En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/1.55

S/1.37

S/1.05

Envase tipo carrete

S/0.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

WCSP6C-6

N-Channel

1 Channel

12 V

7 A

14.4 mOhms

8 V

400 mV

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm

SSM3K56MFV,L3F
Toshiba
1: S/2.26
7,692En existencias
176,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm

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Hoja de datos

7,692En existencias

176,000En pedido

Cinta cortada

S/2.26

S/1.56

S/0.989

S/0.623

Envase tipo carrete

S/0.358

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 8,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

8 V

400 mV

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A

SSM6K516NU,LF
Toshiba
1: S/3.58
5,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K516NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K516NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A

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Hoja de datos

5,046En existencias

Cinta cortada

S/3.58

S/1.60

S/1.41

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.724

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6B

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

46 mOhms

- 12 V, 20 V

2.5 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

SSM6N55NU,LF
Toshiba
1: S/2.61
9,093En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N55NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N55NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

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9,093En existencias

Cinta cortada

S/2.61

S/1.17

S/1.03

S/0.779

Envase tipo carrete

S/0.685

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

2 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, TSOP6F

SSM3K389R,LF
Toshiba
1: S/1.25
7,905En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K389R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K389RLF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, TSOP6F

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7,905En existencias

Cinta cortada

S/1.25

S/0.541

S/0.471

S/0.346

Envase tipo carrete

S/0.253

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

171 mOhms

20 V

2.1 V

1.84 nC

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, UDFN6B

SSM6K388NU,LF
Toshiba
1: S/1.56
2,850En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K388NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K388NULF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, UDFN6B

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2,850En existencias

Cinta cortada

S/1.56

S/0.697

S/0.607

S/0.452

Envase tipo carrete

S/0.335

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6B

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

87 mOhms

20 V

2.1 V

2.66 nC

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F

SSM6K388R,LF
Toshiba
1: S/1.83
2,927En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K388R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K388RLF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F

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2,927En existencias

Cinta cortada

S/1.83

S/0.817

S/0.716

S/0.533

Envase tipo carrete

S/0.397

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6F

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

87 mOhms

20 V

2.1 V

2.66 nC

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, TSOP6F

SSM6K389NU,LF
Toshiba
1: S/1.40
5,980En existencias
3,000Se espera el 2/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K389NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K389NULF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, TSOP6F

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5,980En existencias

3,000Se espera el 2/10/2026

Cinta cortada

S/1.40

S/0.619

S/0.541

S/0.401

Envase tipo carrete

S/0.296

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6B

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

171 mOhms

20 V

2.1 V

1.84 nC

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B

SSM6K389R,LF
Toshiba
1: S/1.67
3,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K389R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K389RLF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/1.67

S/0.732

S/0.642

S/0.479

Envase tipo carrete

S/0.354

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6F

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

171 mOhms

20 V

2.1 V

1.84 nC

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3K339R,LF
Toshiba
1: S/1.67
236,647En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K339R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K339RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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236,647En existencias

Cinta cortada

S/1.67

S/1.02

S/0.642

S/0.479

Envase tipo carrete

S/0.424

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

40 V

2 A

185 mOhms

8 V

850 mV

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF

SSM3K56FS,LF
Toshiba
1: S/1.52
58,838En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF

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Hoja de datos

58,838En existencias

Cinta cortada

S/1.52

S/0.67

S/0.584

S/0.436

Envase tipo carrete

S/0.319

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A

SSM3K72CFS,LF
Toshiba
1: S/0.74
182,105En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K72CFS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K72CFSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A

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Hoja de datos

182,105En existencias

Cinta cortada

S/0.74

S/0.319

S/0.276

S/0.202

Envase tipo carrete

S/0.136

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

60 V

170 mA

2.8 Ohms

20 V

1.1 V

350 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

SSM3K333R,LF
Toshiba
1: S/2.02
56,678En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K333R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K333RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

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Hoja de datos

56,678En existencias

Cinta cortada

S/2.02

S/0.899

S/0.786

S/0.592

Envase tipo carrete

S/0.444

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

1 Channel

AEC-Q100

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM3K376R,LF
Toshiba
1: S/1.87
243,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K376R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K376RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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Hoja de datos

243,441En existencias

Cinta cortada

S/1.87

S/0.837

S/0.728

S/0.541

Envase tipo carrete

S/0.401

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4 A

56 mOhms

- 8 V, 12 V

1 V

2.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

SSM3K56ACT,L3F
Toshiba
1: S/2.34
112,221En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56ACT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56ACTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

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Hoja de datos

112,221En existencias

Cinta cortada

S/2.34

S/1.63

S/1.03

S/0.646

Envase tipo carrete

S/0.374

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

840 mOhms

8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET

SSM3K72KCT,L3F
Toshiba
1: S/0.895
269,106En existencias
20,000Se espera el 28/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K72KCT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K72KCTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

269,106En existencias

20,000Se espera el 28/09/2026

Cinta cortada

S/0.895

S/0.397

S/0.346

S/0.253

Envase tipo carrete

S/0.152

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.05 Ohms

20 V

1.1 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET N-Channel

SSM6N56FE,LM
Toshiba
1: S/2.37
144,035En existencias
20,000Se espera el 18/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N56FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N56FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

144,035En existencias

20,000Se espera el 18/09/2026

Cinta cortada

S/2.37

S/1.63

S/1.03

S/0.65

Envase tipo carrete

S/0.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms, 235 mOhms

8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

250 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

SSM6N57NU,LF
Toshiba
1: S/2.88
14,188En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N57NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N57NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

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Hoja de datos

14,188En existencias

Cinta cortada

S/2.88

S/1.31

S/1.15

S/0.872

Envase tipo carrete

S/0.666

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

2 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1

SSM6N7002CFU,LF
Toshiba
1: S/1.01
54,738En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N7002CFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N7002CFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1

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Hoja de datos

54,738En existencias

Cinta cortada

S/1.01

S/0.444

S/0.385

S/0.319

Envase tipo carrete

S/0.218

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

60 V

170 mA

3.9 Ohms, 3.9 Ohms

20 V

1.1 V

270 pC

- 55 C

+ 150 C

285 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected

SSM6N7002KFU,LF
Toshiba
1: S/0.973
147,390En existencias
846,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N7002KFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N7002KFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected

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Hoja de datos

147,390En existencias

846,000En pedido

Cinta cortada

S/0.973

S/0.42

S/0.366

S/0.269

Envase tipo carrete

S/0.195

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

60 V

300 mA

1.5 Ohms

20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

T2N7002BK,LM
Toshiba
1: S/0.662
185,902En existencias
660,000Se espera el 8/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
T2N7002BK,LM

N.º de artículo de Mouser
757-T2N7002BKLM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

Obtenga más información

Hoja de datos

185,902En existencias

660,000Se espera el 8/01/2027

Cinta cortada

S/0.662

S/0.288

S/0.249

S/0.179

Envase tipo carrete

S/0.113

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.5 Ohms

20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

SSM3K335R,LF
Toshiba
1: S/2.18
2,214En existencias
15,000Se espera el 18/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K335R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K335RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

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2,214En existencias

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Cinta cortada

S/2.18

S/0.977

S/0.856

S/0.642

Envase tipo carrete

S/0.483

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

56 mOhms

20 V

2.5 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

SSM3K336R,LF
Toshiba
1: S/1.95
4,614En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K336R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K336RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

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4,614En existencias

Cinta cortada

S/1.95

S/0.864

S/0.755

S/0.568

Envase tipo carrete

S/0.424

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3 A

95 mOhms

20 V

1.3 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, SOT-23F

SSM3K388R,LF
Toshiba
1: S/1.36
2,880En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K388R,LF

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757-SSM3K388RLF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, SOT-23F

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2,880En existencias

Cinta cortada

S/1.36

S/0.607

S/0.529

S/0.393

Envase tipo carrete

S/0.288

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

87 mOhms

20 V

2.1 V

2.66 nC

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM3K56CT,L3F
Toshiba
1: S/1.67
82En existencias
40,000Se espera el 21/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56CT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56CTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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82En existencias

40,000Se espera el 21/09/2026

Cinta cortada

S/1.67

S/0.743

S/0.487

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.304

S/0.257

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

SOT-883-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

8 V

400 mV

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

U-MOSVII-H MOSFETs

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14.4 mOhms
26 mOhms
39.1 mOhms
43 mOhms
46 mOhms
51 mOhms
56 mOhms
84 mOhms
87 mOhms
95 mOhms
108 mOhms
108 mOhms, 157 mOhms
112 mOhms
171 mOhms
185 mOhms
235 mOhms
235 mOhms, 235 mOhms
400 mOhms
840 mOhms
1.05 Ohms