Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

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Resultados: 44

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1

SSM6N7002CFU,LF
Toshiba
1: S/1.01
138,776En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N7002CFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N7002CFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1

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Cinta cortada

S/1.01

S/0.619

S/0.385

S/0.284

Envase tipo carrete

S/0.202

Ver

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

60 V

170 mA

3.9 Ohms, 3.9 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

270 pC

- 55 C

+ 150 C

285 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

SSM3K56ACT,L3F
Toshiba
1: S/1.91
68,834En existencias
50,000Se espera el 29/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56ACT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56ACTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

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68,834En existencias

50,000Se espera el 29/07/2026

Cinta cortada

S/1.91

S/1.15

S/0.728

S/0.545

Envase tipo carrete

S/0.374

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

840 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz

SSM6K781G,LF
Toshiba
1: S/3.39
51,796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K781G,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K781GLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz

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Cinta cortada

S/3.39

S/2.11

S/1.37

S/1.05

Envase tipo carrete

S/0.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

WCSP6C-6

N-Channel

1 Channel

12 V

7 A

14.4 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

SSM6N55NU,LF
Toshiba
1: S/1.91
9,324En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N55NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N55NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

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9,324En existencias

Cinta cortada

S/1.91

S/1.21

S/0.821

S/0.658

Envase tipo carrete

S/0.498

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

2 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A

SSM6K516NU,LF
Toshiba
1: S/3.27
5,251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K516NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K516NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UDFN6B N-CH 30V 6A

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S/3.27

S/2.01

S/1.29

S/0.985

Envase tipo carrete

S/0.634

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6B

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

46 mOhms

- 12 V, 20 V

2.5 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F

SSM6K388R,LF
Toshiba
1: S/2.61
2,076En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K388R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K388RLF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F

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Cinta cortada

S/2.61

S/1.81

S/1.14

S/0.708

Envase tipo carrete

S/0.452

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6F

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

87 mOhms

20 V

2.1 V

2.66 nC

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B

SSM6K389R,LF
Toshiba
1: S/2.26
2,100En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K389R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K389RLF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B

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S/2.26

S/1.56

S/0.989

S/0.623

Envase tipo carrete

S/0.467

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6F

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

171 mOhms

20 V

2.1 V

1.84 nC

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

SSM3K333R,LF
Toshiba
1: S/2.02
61,858En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K333R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K333RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

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S/2.02

S/1.24

S/0.786

S/0.592

Envase tipo carrete

S/0.444

Ver

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Min.: 1
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: 3,000

N-Channel

1 Channel

AEC-Q100

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3K339R,LF
Toshiba
1: S/1.67
43,866En existencias
234,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K339R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K339RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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S/1.67

S/1.02

S/0.642

S/0.479

Envase tipo carrete

S/0.424

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

40 V

2 A

185 mOhms

- 8 V, 8 V

850 mV

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A

SSM3K72CFS,LF
Toshiba
1: S/0.74
6,730En existencias
213,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K72CFS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K72CFSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A

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S/0.74

S/0.448

S/0.276

S/0.202

Envase tipo carrete

S/0.156

Ver

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

60 V

170 mA

2.8 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

350 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET

SSM3K72KCT,L3F
Toshiba
1: S/1.21
335,477En existencias
40,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K72KCT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K72KCTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET

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Cinta cortada

S/1.21

S/0.701

S/0.428

S/0.308

Envase tipo carrete

S/0.175

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.3A VDSS=60V

SSM3K72KFS,LF
Toshiba
1: S/0.817
189,281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K72KFS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K72KFSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.3A VDSS=60V

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S/0.817

S/0.49

S/0.308

S/0.222

Envase tipo carrete

S/0.195

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

60 V

300 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET N-Channel

SSM6N56FE,LM
Toshiba
1: S/2.37
84,145En existencias
84,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N56FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N56FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET N-Channel

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S/2.37

S/1.63

S/1.03

S/0.65

Envase tipo carrete

S/0.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms, 235 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

250 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

SSM6N57NU,LF
Toshiba
1: S/2.72
2,369En existencias
12,000Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N57NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N57NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

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Cinta cortada

S/2.72

S/1.69

S/1.09

S/0.821

Envase tipo carrete

S/0.627

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

2 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1

SSM6N58NU,LF
Toshiba
1: S/2.61
23,235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N58NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N58NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1

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Cinta cortada

S/2.61

S/1.61

S/1.03

S/0.779

Envase tipo carrete

S/0.592

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

30 V

4 A

112 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM6N67NU,LF
Toshiba
1: S/2.72
53,621En existencias
48,000Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N67NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N67NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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53,621En existencias

48,000Se espera el 16/11/2026

Cinta cortada

S/2.72

S/1.69

S/1.09

S/0.821

Envase tipo carrete

S/0.627

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

30 V

4 A

39.1 mOhms

- 8 V, 12 V

400 mV

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

T2N7002BK,LM
Toshiba
1: S/0.74
358,024En existencias

N.º de artículo del Fabricante
T2N7002BK,LM

N.º de artículo de Mouser
757-T2N7002BKLM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

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358,024En existencias

Cinta cortada

S/0.74

S/0.44

S/0.269

S/0.191

Envase tipo carrete

S/0.144

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

390 pC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V

SSM3K344R,LF
Toshiba
1: S/1.99
2,090En existencias
18,000Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K344R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K344RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V

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Hoja de datos

2,090En existencias

18,000Se espera el 28/08/2026

Cinta cortada

S/1.99

S/1.22

S/0.779

S/0.584

Envase tipo carrete

S/0.409

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

20 V

3 A

51 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF

SSM3K56FS,LF
Toshiba
1: S/1.44
2,017En existencias
60,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF

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Hoja de datos

2,017En existencias

60,000En pedido

Cinta cortada

S/1.44

S/0.88

S/0.553

S/0.409

Envase tipo carrete

S/0.292

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, UDFN6B

SSM6K388NU,LF
Toshiba
1: S/2.10
2,030En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K388NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K388NULF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, UDFN6B

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Cinta cortada

S/2.10

S/1.45

S/0.919

S/0.58

Envase tipo carrete

S/0.432

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6B

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

87 mOhms

20 V

2.1 V

2.66 nC

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

SSM3K335R,LF
Toshiba
1: S/2.06
2,690En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K335R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K335RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

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Comentarios de Producto

2,690En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/2.06

S/1.27

S/0.806

S/0.728

Envase tipo carrete

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SMD/SMT

SOT-23-3

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1 Channel

30 V

6 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

2.7 nC

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1 W

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AEC-Q100

U-MOSVII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

SSM3K336R,LF
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SSM3K336R,LF

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SOT-23F-3

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30 V

3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

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AEC-Q101

U-MOSVII-H

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SSM3K388R,LF
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SOT-23F-3

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2 A

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20 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, TSOP6F

SSM3K389R,LF
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S/0.65

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S/0.311

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SOT-23F-3

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2 A

171 mOhms

20 V

2.1 V

1.84 nC

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SSM3K56CT,L3F
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Envase tipo carrete

S/0.366

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-883-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

- 8 V, 8 V

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500 mW

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U-MOSVII-H

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112 mOhms
171 mOhms
185 mOhms
235 mOhms
235 mOhms, 235 mOhms
400 mOhms
840 mOhms
1.05 Ohms