Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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769 En existencias
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863 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Ver fechas
Existencias:
848 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
7,500 Se espera el 6/05/2027
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Infineon Technologies
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2,500 Se espera el 1/10/2026
N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1,390 En existencias
2,500 Se espera el 1/10/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.61
496 En existencias
10,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
496 En existencias
10,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
496 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5,000 Se espera el 8/10/2026
5,000 Se espera el 31/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
4 Semanas
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S/9.61
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Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
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2,500
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Si
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DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Infineon Technologies
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1,975 En existencias
15,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1,975 En existencias
15,000 En pedido
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Existencias:
1,975 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
9,000 Se espera el 3/12/2026
6,000 Se espera el 15/04/2027
Plazo de entrega de fábrica:
3 Semanas
1
S/5.96
10
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Comprar
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN80R2K4P7ATMA1
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1:
S/5.02
693 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
693 En existencias
1
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
800 V
2.5 A
2 Ohms
30 V
3.5 V
7.5 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
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CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN80R4K5P7ATMA1
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Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
800 V
1.5 A
3.8 Ohms
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S/4.75
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Si
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TO-251-3
N-Channel
1 Channel
800 V
1.5 A
4.5 Ohms
30 V
3 V
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CoolMOS
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255 En existencias
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S/16.04
10
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Si
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TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
280 mOhms
30 V
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CoolMOS
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IPA80R1K4P7XKSA1
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
4 A
1.4 Ohms
30 V
3 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
24 W
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CoolMOS
Tube