Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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800V CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon 800V CoolMOS™ P7 MOSFETs combine best-in-class performance with ease-of-use. The P7 set a new benchmark in 800V super junction technologies. The transistors offer up to 0.6 percent efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature. The transistors feature optimized device parameters like over 50% reduction in Eoss and Qg, reduced Ciss and Coss. The CoolMOS P7 also enable higher power density designs through lower switching losses and better DPAK RDS(on) products. The CoolMOS P7 are a perfect fit for low-power SMPS applications.

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IPA80R450P7XKSA1
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S/10.35

S/5.80

S/4.87

S/4.05

S/3.78

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1 Channel

800 V

11 A

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- 30 V, 30 V

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29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD80R750P7ATMA1
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1: S/8.45
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Cinta cortada

S/8.45

S/5.41

S/3.65

S/2.90

S/2.66

Envase tipo carrete

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1 Channel

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7 A

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPD80R1K2P7ATMA1
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1: S/6.97
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Cinta cortada

S/6.97

S/4.44

S/2.95

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Envase tipo carrete

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Ver

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2.5 V

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37 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPU80R900P7AKMA1
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S/8.80

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S/3.63

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Ver

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD80R360P7ATMA1
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S/13.12

S/8.52

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S/4.67

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD80R280P7ATMA1
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Cinta cortada

S/15.53

S/10.16

S/7.24

S/5.99

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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17 A

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3 V

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD80R2K4P7ATMA1
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Cinta cortada

S/5.41

S/3.41

S/2.26

S/1.76

Envase tipo carrete

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Ver

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2.5 V

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CoolMOS

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IPD80R450P7ATMA1
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1: S/11.21
8,390En existencias

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S/7.24

S/4.98

S/4.01

S/3.76

Envase tipo carrete

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11 A

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73 W

Enhancement

CoolMOS

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IPD80R900P7ATMA1
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S/5.02

S/3.36

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Envase tipo carrete

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45 W

Enhancement

CoolMOS

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IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.68
9,843En existencias

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S/5.68

S/3.50

S/2.30

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.35

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SOT-223-3

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1 Channel

800 V

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2 Ohms

- 30 V, 30 V

3.5 V

7.5 nC

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500 mW

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
3,507En existencias

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IPD80R2K0P7ATMA1

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S/7.01

S/4.32

S/2.84

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.67

Ver

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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3 A

1.7 Ohms

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2.5 V

9 nC

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+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPA80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
702En existencias

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IPA80R1K4P7XKSA1

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S/7.82

S/3.76

S/3.36

S/2.85

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Mult.: 1

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TO-220-3

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1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

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+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.54
776En existencias

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IPA80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R280P7XKSA1

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776En existencias

S/16.54

S/8.45

S/7.67

S/6.23

S/5.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

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30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.58
803En existencias

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IPA80R360P7XKSA1

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726-IPA80R360P7XKSA1

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S/13.58

S/6.81

S/6.15

S/5.25

S/4.63

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Mult.: 1

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N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

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30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.35
873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R600P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R600P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/10.35

S/5.10

S/4.55

S/3.65

S/3.19

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.19
1,266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R900P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R900P7XKSA1

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1,266En existencias

S/9.19

S/5.84

S/3.93

S/3.07

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

770 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.81
30En existencias
2,500Se espera el 3/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

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30En existencias

2,500Se espera el 3/12/2026

Cinta cortada

S/6.81

S/4.28

S/2.80

S/2.22

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

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+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

IPD80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.64
2,947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R3K3P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

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2,947En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/2.85

S/1.93

S/1.54

Envase tipo carrete

S/1.30

S/1.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

18 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.22
1,608En existencias
2,500Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

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1,608En existencias

2,500Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/5.22

S/2.63

S/1.76

S/1.66

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 50 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.65
196En existencias
10,000Se espera el 15/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

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S/9.65

S/6.19

S/4.24

S/3.58

Envase tipo carrete

S/2.69

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.59
3,586En existencias
24,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

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3,586En existencias

24,000En pedido

Cinta cortada

S/4.59

S/2.82

S/1.86

S/1.46

S/1.28

Envase tipo carrete

S/0.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

3.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
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NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW80R280P7XKSA1

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726-IPW80R280P7XKSA1

NRND

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113En existencias

S/17.98

S/9.96

S/8.21

S/6.85

S/6.77

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17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 50 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.96
8,876Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R750P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R750P7XKSA1

Infineon Technologies

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8,876Se espera el 27/08/2026

S/9.96

S/6.34

S/4.28

S/3.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

640 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.12
16,975En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R1K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

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16,975En pedido

Cinta cortada

S/7.12

S/4.40

S/2.90

S/2.28

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.54
2,992Se espera el 18/02/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R600P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

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Hoja de datos

2,992Se espera el 18/02/2027

Cinta cortada

S/9.54

S/6.07

S/4.09

S/3.30

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

7.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

800V CoolMOS™ P7 MOSFETs

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Recursos

Soporte

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6 W
7 W
7.4 W
13 W
18 W
22 W
24 W
26 W
27 W
28 W
29 W
30 W
32 W
37 W
45 W
51 W
60 W
73 W
84 W