Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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E Series High Voltage MOSFETs

Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low on-resistance (R_DS(ON)), low input capacitance (C_iss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Q_g). E series MOSFETs are available in 800V_DS high-voltage variants with drain current (I_D) that ranges from 2.8A to 17.4A. Also, new Vishay Siliconix 600V E Series MOSFETs have been added to the PowerPAK® 8x8 surface mount package. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.

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Resultados: 39

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET SIHP4N80E-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/11.72 25,359En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP4N80E-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP4N80E-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	25,359En existencias	Cinta cortada S/11.72 S/5.80 S/5.18 S/4.20 Envase tipo carrete S/3.87 S/3.78	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	4.3 A	1.1 Ohms	30 V	2 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 19A N-CH MOSFET SIHA20N50E-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/15.18 1,990En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHA20N50E-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHA20N50E-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 19A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	1,990En existencias	S/15.18 S/7.67 S/6.97 S/5.72 S/5.41	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	500 V	19 A	184 mOhms	30 V	4 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	34 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET SIHP7N60E-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/11.02 5,512En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP7N60E-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP7N60E-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	5,512En existencias	S/11.02 S/7.12 S/4.90 S/4.05 Ver S/3.81 S/3.76	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	609 V	7 A	600 mOhms	30 V	4 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement	Bulk
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7A N-CH MOSFET SIHA17N80AE-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/14.48 1,442En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHA17N80AE-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHA17N80AE-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	1,442En existencias	S/14.48 S/7.32 S/6.62 S/5.37 S/5.06	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	7 A	250 mOhms	30 V	4 V	41 nC	- 55 C	+ 155 C	34 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET SIHB21N80AE-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/16.15 9,551En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHB21N80AE-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHB21N80AE-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	9,551En existencias	S/16.15 S/8.25 S/7.47 S/6.42 Ver S/6.15 S/5.64	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	17.4 A	205 mOhms	30 V	4 V	48 nC	- 55 C	+ 155 C	32 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 13A N-CH MOSFET SIHP14N60E-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/12.03 1,361En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP14N60E-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP14N60E-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 13A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	1,361En existencias	S/12.03 S/5.99 S/5.41 S/4.59 S/4.32	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	269 mOhms	30 V	4 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	147 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET SIHP15N50E-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/11.41 2,397En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP15N50E-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP15N50E-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	2,397En existencias	S/11.41 S/5.68 S/4.87 S/4.28 S/4.01	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	14.5 A	243 mOhms	30 V	4 V	66 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 15A N-CH MOSFET SIHB17N80AE-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/14.29 9,489En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHB17N80AE-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHB17N80AE-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 15A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	9,489En existencias	S/14.29 S/7.55 S/6.54 S/5.49 Ver S/5.29 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	15 A	250 mOhms	30 V	4 V	41 nC	- 55 C	+ 155 C	179 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 24A N-CH MOSFET SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/27.83 2,781En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHB24N65EFT1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHB24N65EFT1-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 24A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	2,781En existencias	Cinta cortada S/27.83 S/14.87 S/13.62 S/12.22 Envase tipo carrete S/12.22 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	DPAK-	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	156 mOhms	30 V	4 V	81 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET SIHP12N60E-BE3 Vishay 1: S/14.17 3,908En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP12N60E-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP12N60E-BE3	Vishay	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	3,908En existencias	S/14.17 S/7.12 S/6.27 S/5.25 S/4.94	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	380 mOhms	30 V	4 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	147 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET SIHP17N80AE-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/14.64 1,794En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP17N80AE-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP17N80AE-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	1,794En existencias	S/14.64 S/7.40 S/6.70 S/5.45 S/5.14	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	15 A	250 mOhms	30 V	4 V	41 nC	- 55 C	+ 155 C	179 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET SIHU2N80AE-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/7.79 5,586En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHU2N80AE-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHU2N80AE-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	5,586En existencias	S/7.79 S/4.83 S/3.16 S/2.49 Ver S/2.13 S/1.71 S/1.65 S/1.62	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	800 V	2.9 A	2.5 Ohms	30 V	4 V	7 nC	- 55 C	+ 155 C	62.5 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: S/38.38 2,338En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHK045N60E-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHK045N60E-T1GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	2,338En existencias	Cinta cortada S/38.38 S/24.33 S/20.63 S/19.42 Ver Envase tipo carrete S/17.91 S/17.91 S/17.91 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PowerPak-9	N-Channel	1 Channel	600 V	48 A	49 mOhms	30 V	5 V	65 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET SIHG17N80AE-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/17.09 1,561En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHG17N80AE-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHG17N80AE-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	1,561En existencias	S/17.09 S/8.76 S/7.94 S/7.20 Ver S/6.70 S/6.46	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	800 V	15 A	250 mOhms	30 V	4 V	41 nC	- 55 C	+ 155 C	179 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 13A N-CH MOSFET SIHP15N80AE-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/13.97 1,666En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP15N80AE-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP15N80AE-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 13A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	1,666En existencias	S/13.97 S/7.05 S/6.58 S/5.53 Ver S/5.14 S/4.83	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	13 A	304 mOhms	30 V	4 V	35 nC	- 55 C	+ 155 C	156 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET SIHP22N60AE-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/18.29 3,559En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP22N60AE-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP22N60AE-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	3,559En existencias	S/18.29 S/9.46 S/8.60 S/8.10 S/7.63	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	156 mOhms	30 V	4 V	96 nC	- 55 C	+ 150 C	179 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET SIHP25N60EFL-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/23.28 1,611En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP25N60EFL-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP25N60EFL-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	1,611En existencias	S/23.28 S/12.22 S/10.90 S/10.12 S/9.61	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	127 mOhms	30 V	3 V	75 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET SIHA24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/18.41 682En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHA24N80AE-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHA24N80AE-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	682En existencias	S/18.41 S/9.50 S/8.60 S/7.08 Ver S/7.05 S/7.01	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	9 A	184 mOhms	30 V	4 V	59 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET SIHP17N80E-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/24.64 3,906En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP17N80E-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP17N80E-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	3,906En existencias	S/24.64 S/13.90 S/11.72 S/10.63 S/9.85	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	15 A	250 mOhms	30 V	4 V	122 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V SIHK125N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: S/25.07 3,734En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHK125N60E-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHK125N60E-T1GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	3,734En existencias	Cinta cortada S/25.07 S/13.27 S/12.11 S/11.21 S/10.63 Envase tipo carrete S/10.63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PowerPak-9	N-Channel	1 Channel	600 V	21 A	125 mOhms	30 V	5 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 12A N-CH MOSFET SIHP11N80E-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/17.52 1,931En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP11N80E-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP11N80E-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 12A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	1,931En existencias	S/17.52 S/9.03 S/8.21 S/7.63 S/7.16	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	12 A	380 mOhms	30 V	4 V	88 nC	- 55 C	+ 150 C	179 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8A N-CH MOSFET SIHA22N60AE-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/19.07 1,633En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHA22N60AE-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHA22N60AE-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	1,633En existencias	Cinta cortada S/19.07 S/12.61 S/8.95 S/7.82 Envase tipo carrete S/7.79 S/7.36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	180 mOhms	30 V	4 V	48 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET SIHG24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/20.86 598En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHG24N80AE-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHG24N80AE-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	598En existencias	S/20.86 S/10.86 S/9.89 S/9.46 S/8.29	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel	800 V	21 A	184 mOhms	30 V	4 V	59 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 10.5A N-CH MOSFET SIHP12N50E-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/10.08 1,459En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP12N50E-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP12N50E-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 10.5A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	1,459En existencias	S/10.08 S/4.98 S/4.16 S/3.59 S/3.39	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	10.5 A	380 mOhms	30 V	4 V	50 nC	- 55 C	+ 150 C	114 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V SIHK055N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: S/39.00 2,114En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHK055N60E-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHK055N60E-T1GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay siliconix e series mosfets	Hoja de datos	2,114En existencias	Cinta cortada S/39.00 S/21.53 S/20.12 S/19.07 Envase tipo carrete S/19.07 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PowerPak-9	N-Channel	1 Channel	600 V	42 A	56 mOhms	30 V	5 V	54 nC	- 55 C	+ 150 C	236 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel