FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.

Resultados: 38
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4 5,181En existencias
Cinta cortada
S/5.61
S/2.62
S/2.02
Envase tipo carrete
S/2.02
S/1.72
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Min.: 1
Mult.: 1
: 250
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 2.1 A 180 mOhms 8 V 850 mV 1.06 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-channel Femto FET MOSFET A 595-CS A 595-CSD25480F3 7,400En existencias
Cinta cortada
S/5.64
S/2.64
S/1.83
Envase tipo carrete
S/1.83
S/1.58
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Min.: 1
Mult.: 1
: 250
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.7 A 840 mOhms 12 V 950 mV 700 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25484 A 595-CSD25484F4 2,864En existencias
Cinta cortada
S/5.99
S/2.82
S/1.92
Envase tipo carrete
S/1.92
S/1.65
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Min.: 1
Mult.: 1
: 250
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 825 mOhms 12 V 1.2 V 1.09 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement FemtoFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4 3,161En existencias
Cinta cortada
S/6.19
S/2.38
S/1.90
Envase tipo carrete
S/1.90
S/1.68
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Min.: 1
Mult.: 1
: 250
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 800 mOhms 12 V 950 mV 913 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement FemtoFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A A 595-CSD13383F4T 51,493En existencias
Cinta cortada
S/2.18
S/0.965
S/0.845
S/0.634
Envase tipo carrete
S/0.467
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 2.9 A 44 mOhms 10 V 700 mV 2.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5T 15,385En existencias
Cinta cortada
S/2.45
S/1.10
S/0.961
S/0.728
Envase tipo carrete
S/0.553
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 7.1 A 19 mOhms 8 V 500 mV 5 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17381 A 595-CSD17381F4 4,097En existencias
Cinta cortada
S/5.84
S/2.74
S/2.11
Envase tipo carrete
S/2.11
S/1.80
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Min.: 1
Mult.: 1
: 250
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.1 A 109 mOhms 12 V 850 mV 1.04 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17585F5 3,609En existencias
Cinta cortada
S/6.31
S/2.98
S/2.30
Envase tipo carrete
S/2.30
S/1.97
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Min.: 1
Mult.: 1
: 250
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.9 A 27 mOhms 20 V 900 mV 5.1 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3 40,206En existencias
Cinta cortada
S/5.57
S/3.50
S/2.00
Envase tipo carrete
S/2.00
S/1.70
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Min.: 1
Mult.: 1
: 250
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 3.6 A 76 mOhms 8 V 550 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T 43,642En existencias
Cinta cortada
S/1.67
S/1.03
S/0.65
S/0.487
Envase tipo carrete
S/0.362
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.1 A 109 mOhms 8 V 650 mV 1.04 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A A 595-CSD13381F4T 5,002En existencias
72,000Se espera el 1/10/2026
Cinta cortada
S/1.52
S/0.93
S/0.588
S/0.436
Envase tipo carrete
S/0.323
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 2.1 A 180 mOhms 8 V 650 mV 1.06 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5 1,848En existencias
Cinta cortada
S/6.62
S/3.12
S/2.41
Envase tipo carrete
S/2.41
S/2.06
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 250
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 7.1 A 19 mOhms 8 V 500 mV 5 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4 1,577En existencias
Cinta cortada
S/5.84
S/2.74
S/2.11
Envase tipo carrete
S/2.11
S/1.80
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 250
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.3 A 67 mOhms 10 V 700 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD18541F5T 5,585En existencias
Cinta cortada
S/2.18
S/1.33
S/0.849
S/0.638
Envase tipo carrete
S/0.479
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.2 A 65 mOhms 20 V 1.75 V 11 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5T 1,296En existencias
9,000Se espera el 28/09/2026
Cinta cortada
S/2.76
S/1.24
S/1.09
S/0.825
Envase tipo carrete
S/0.627
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 3.3 A 80 mOhms 6 V 950 mV 4.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4T 354En existencias
51,000Se espera el 5/04/2027
Cinta cortada
S/1.52
S/0.724
S/0.634
S/0.444
Envase tipo carrete
S/0.346
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 2.3 A 175 mOhms 8 V 700 mV 1.14 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4 731En existencias
Cinta cortada
S/5.57
S/2.62
S/2.01
Envase tipo carrete
S/2.01
S/2.00
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 250
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 2.3 A 970 mOhms 8 V 950 mV 1.14 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T 5,125En existencias
Cinta cortada
S/1.87
S/0.829
S/0.724
S/0.541
Envase tipo carrete
S/0.401
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 800 mOhms 12 V 950 mV 913 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD25483 A 595-CSD25483F4T 6,018En existencias
Cinta cortada
S/1.60
S/0.708
S/0.619
S/0.459
Envase tipo carrete
S/0.343
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.6 A 1.07 Ohms 12 V 950 mV 960 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T 5,542En existencias
Cinta cortada
S/1.91
S/0.841
S/0.736
S/0.553
Envase tipo carrete
S/0.413
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 825 mOhms 12 V 1.2 V 1.09 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5T 8,624En existencias
Cinta cortada
S/2.76
S/1.24
S/1.09
S/0.825
Envase tipo carrete
S/0.631
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 250 mOhms 12 V 1.3 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3T 12,168En existencias
15,000Se espera el 15/02/2027
Cinta cortada
S/1.48
S/0.658
S/0.572
S/0.424
Envase tipo carrete
S/0.311
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 3.6 A 76 mOhms 8 V 550 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4 467En existencias
Cinta cortada
S/5.53
S/3.47
S/1.99
Envase tipo carrete
S/1.99
S/1.70
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 250
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 2.9 A 44 mOhms 10 V 1 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement FemtoFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD15380F3T 24,348En existencias
Cinta cortada
S/1.32
S/0.806
S/0.506
S/0.374
Envase tipo carrete
S/0.276
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 1.46 Ohms 10 V 1.1 V 216 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V N-Ch FemtoFET A 595-CSD15380F3 A 59 A 595-CSD15380F3 667En existencias
2,250En pedido
Cinta cortada
S/5.92
S/2.77
S/2.13
Envase tipo carrete
S/2.13
S/1.81
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 250
Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 1.46 Ohms 10 V 850 mV 216 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel