Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
XMC1302T028X0200ABXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.34
10,863 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-XMC1302T028X0201
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
10,863 En existencias
1
S/12.34
10
S/9.23
25
S/8.21
100
S/7.55
3,000
S/5.64
6,000
Ver
250
S/7.16
500
S/6.89
1,000
S/6.31
6,000
S/5.10
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
Infineon Technologies XMC4108Q48K64BAXUMA1
XMC4108Q48K64BAXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/23.74
1,368 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-XMC4108Q48K64BAX
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
1,368 En existencias
1
S/23.74
10
S/17.98
25
S/16.08
100
S/14.99
250
Ver
2,500
S/12.11
250
S/14.21
500
S/13.51
1,000
S/12.73
2,500
S/12.11
5,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
XMC1302T038X0200ABXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.74
10,461 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-1302T038X0200ABX
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
10,461 En existencias
1
S/13.74
10
S/10.32
25
S/9.42
100
S/8.49
3,000
S/6.58
6,000
Ver
250
S/8.02
500
S/7.47
1,000
S/6.85
6,000
S/6.54
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Reguladores de tensión LDO LW Drop VOLT REGLTR 3.3/5V 30mA
TLE42962GV33HTSA1
Infineon Technologies
1:
S/3.81
10,780 En existencias
12,000 Se espera el 29/07/2026
N.º de artículo de Mouser 726-TLE42962GV33HTSA
Infineon Technologies
Reguladores de tensión LDO LW Drop VOLT REGLTR 3.3/5V 30mA
10,780 En existencias
12,000 Se espera el 29/07/2026
Embalaje alternativo
1
S/3.81
10
S/2.74
25
S/2.47
100
S/2.18
3,000
S/1.79
6,000
Ver
250
S/2.04
500
S/1.95
1,000
S/1.89
6,000
S/1.74
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
XMC1402F064X0200AAXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/14.79
5,700 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-1402F064X0200AAX
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
5,700 En pedido
Ver fechas
En pedido:
1,900 Se espera el 29/07/2026
3,800 Se espera el 15/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
13 Semanas
1
S/14.79
10
S/11.09
25
S/10.16
100
S/9.15
1,900
S/7.01
3,800
Ver
250
S/8.68
500
S/8.10
1,000
S/7.32
3,800
S/6.93
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,900
Detalles
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
XMC1402T038X0128AAXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.35
969 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-1402T038X0128AAX
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
969 En existencias
6,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
969 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 31/12/2026
3,000 Se espera el 7/01/2027
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas
1
S/13.35
10
S/10.00
25
S/9.15
100
S/8.21
3,000
S/5.88
6,000
Ver
250
S/7.79
500
S/7.05
1,000
S/6.11
6,000
S/5.76
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
BSZ42DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.77
12,997 En existencias
5,000 Se espera el 13/08/2026
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ42DN25NS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
12,997 En existencias
5,000 Se espera el 13/08/2026
Embalaje alternativo
1
S/6.77
10
S/4.24
100
S/3.06
500
S/2.41
5,000
S/1.88
25,000
Ver
1,000
S/2.21
25,000
S/1.35
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.69
18,879 En existencias
15,000 Se espera el 17/12/2026
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ520N15NS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
18,879 En existencias
15,000 Se espera el 17/12/2026
Embalaje alternativo
1
S/9.69
10
S/6.15
100
S/4.13
500
S/3.37
1,000
Ver
5,000
S/2.68
1,000
S/3.02
2,500
S/2.82
5,000
S/2.68
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ900N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.45
28,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ900N15NS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
28,000 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.45
10
S/5.06
100
S/3.59
500
S/2.85
5,000
S/2.22
10,000
Ver
1,000
S/2.50
2,500
S/2.32
10,000
S/1.95
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ900N20NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/8.14
4,615 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ900N20NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3
4,615 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.14
10
S/5.18
100
S/3.48
500
S/2.82
1,000
Ver
5,000
S/2.24
1,000
S/2.53
2,500
S/2.46
5,000
S/2.24
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
BSZ900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.99
10,746 En existencias
15,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ900N20NS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
10,746 En existencias
15,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/8.99
10
S/5.37
100
S/3.74
500
S/3.09
1,000
Ver
5,000
S/2.45
1,000
S/2.85
2,500
S/2.72
5,000
S/2.45
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
IRL100HS121
Infineon Technologies
1:
S/6.11
19,773 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IRL100HS121
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
19,773 En existencias
1
S/6.11
10
S/3.75
100
S/2.47
500
S/1.94
4,000
S/1.28
24,000
Ver
1,000
S/1.66
2,000
S/1.51
24,000
S/1.27
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :4,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IRL80HS120
Infineon Technologies
1:
S/8.06
14,307 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IRL80HS120
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
14,307 En existencias
1
S/8.06
10
S/4.98
100
S/3.27
500
S/2.57
4,000
S/1.72
8,000
Ver
1,000
S/2.20
2,000
S/2.03
8,000
S/1.70
24,000
S/1.67
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :4,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/4.32
20,116 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
20,116 En existencias
1
S/4.32
10
S/3.08
100
S/1.92
500
S/1.32
4,000
S/0.845
8,000
Ver
1,000
S/1.11
2,000
S/0.996
8,000
S/0.79
24,000
S/0.72
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :4,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
+2 imágenes
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/2.53
126,072 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
126,072 En existencias
1
S/2.53
10
S/1.62
100
S/1.06
500
S/0.716
3,000
S/0.436
6,000
Ver
1,000
S/0.592
6,000
S/0.389
9,000
S/0.354
24,000
S/0.343
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg
+2 imágenes
IRLML0040TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/2.37
105,423 En existencias
111,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 942-IRLML0040TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg
105,423 En existencias
111,000 En pedido
1
S/2.37
10
S/1.46
100
S/0.926
500
S/0.697
3,000
S/0.522
6,000
Ver
1,000
S/0.607
6,000
S/0.452
9,000
S/0.378
24,000
S/0.339
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
+2 imágenes
IRLML0060TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/2.80
42,277 En existencias
174,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 942-IRLML0060TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
42,277 En existencias
174,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
42,277 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
72,000 Se espera el 28/01/2027
102,000 Se espera el 4/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
19 Semanas
1
S/2.80
10
S/1.73
100
S/1.11
500
S/0.833
3,000
S/0.603
6,000
Ver
1,000
S/0.747
6,000
S/0.525
9,000
S/0.463
24,000
S/0.413
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
2EDN7424FXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.74
2,134 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-2EDN7424FXTMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
2,134 En existencias
1
S/3.74
10
S/2.65
25
S/2.38
100
S/2.09
2,500
S/1.46
5,000
Ver
250
S/1.95
500
S/1.86
1,000
S/1.79
5,000
S/1.42
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
1EDN7512GXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.15
3,459 En existencias
4,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-1EDN7512GXTMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
3,459 En existencias
4,000 En pedido
1
S/3.15
10
S/2.21
25
S/1.98
100
S/1.73
250
Ver
4,000
S/1.37
250
S/1.61
500
S/1.54
1,000
S/1.48
2,000
S/1.42
4,000
S/1.37
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :4,000
Detalles
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
1EDN7550BXTSA1
Infineon Technologies
1:
S/3.15
1,280 En existencias
21,575 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-1EDN7550BXTSA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
1,280 En existencias
21,575 En pedido
Ver fechas
Existencias:
1,280 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,575 Se espera el 3/08/2026
6,000 Se espera el 5/11/2026
12,000 Se espera el 12/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/3.15
10
S/2.21
25
S/1.98
100
S/1.73
250
Ver
3,000
S/1.34
250
S/1.61
500
S/1.58
3,000
S/1.34
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ22DN20NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/8.14
2,118 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ22DN20NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
2,118 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.14
10
S/5.02
100
S/3.30
500
S/2.60
5,000
S/1.74
10,000
Ver
1,000
S/2.22
2,500
S/2.05
10,000
S/1.67
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ22DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.63
274 En existencias
10,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ22DN20NS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
274 En existencias
10,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/7.63
10
S/4.83
100
S/3.22
500
S/2.28
1,000
S/2.12
5,000
S/1.92
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ520N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/8.84
22,827 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ520N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
22,827 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.84
10
S/5.61
100
S/3.78
500
S/3.07
1,000
Ver
5,000
S/2.45
1,000
S/2.75
2,500
S/2.69
5,000
S/2.45
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/8.45
699 En existencias
5,000 Se espera el 26/11/2026
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ900N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
699 En existencias
5,000 Se espera el 26/11/2026
Embalaje alternativo
1
S/8.45
10
S/5.33
100
S/3.49
500
S/2.77
1,000
Ver
5,000
S/2.09
1,000
S/2.46
2,500
S/2.37
5,000
S/2.09
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
BSZ42DN25NS3 G
Infineon Technologies
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S/8.21
201 En existencias
5,000 Se espera el 13/08/2026
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ42DN25NS3G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
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