Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia de canal P de 12 V a 250 V

Los MOSFET de potencia de canal P de 12 V a 250 V de Infineon ofrecen al diseñador una nueva opción que puede simplificar los circuitos, a la vez que optimizan el rendimiento. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Los MOSFET de potencia de canal P son ideales para aplicaciones de protección de batería, protección contra polaridad inversa, cargadores de baterías lineales, conmutación de carga, convertidores CC/CC y unidades de bajo voltaje.

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Resultados: 27

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD380P06NMATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.08
31,272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD380P06NMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD380P06NMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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31,272En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/5.99

S/4.32

S/3.56

S/3.27

Envase tipo carrete

S/3.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

35 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD11DP10NMATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.65
2,600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD11DP10NMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD11DP10NMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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2,600En existencias

Cinta cortada

S/9.65

S/6.23

S/4.24

S/3.38

S/3.11

Envase tipo carrete

S/2.91

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

100 V

22 A

111 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD19DP10NMATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.51
4,454En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD19DP10NMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD19DP10NMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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4,454En existencias

Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.22

S/2.54

S/2.33

Envase tipo carrete

S/2.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

100 V

13.7 A

186 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPB19DP10NMATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.82
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB19DP10NMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB19DP10NMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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990En existencias

Cinta cortada

S/10.82

S/6.93

S/4.71

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

100 V

13.8 A

185 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD900P06NMATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.84
2,171En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD900P06NMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD900P06NMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Cinta cortada

S/5.84

S/3.69

S/2.45

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

16.4 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V

BSP171IATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.31
2,480En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BSP171IATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP171IATMA1

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V

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Cinta cortada

S/3.31

S/2.04

S/1.32

S/1.01

Envase tipo carrete

S/0.775

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

60 V

3.2 A

250 mOhms

20 V

2 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V

BSS84IXUSA1
Infineon Technologies
1: S/1.01
42,145En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BSS84IXUSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS84IXUSA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V

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Cinta cortada

S/1.01

S/0.615

S/0.385

S/0.28

Envase tipo carrete

S/0.245

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

60 V

290 mA

5.5 Ohms

20 V

2 V

290 pC

- 55 C

+ 150 C

960 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel

IPB110P06LMATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.46
7,141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB110P06LMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB110P06LMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel

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7,141En existencias

Cinta cortada

S/22.46

S/14.71

S/10.86

S/9.77

Envase tipo carrete

S/8.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

100 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

281 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB720P15LMATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.87
6,832En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB720P15LMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB720P15LMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Cinta cortada

S/27.87

S/18.26

S/13.47

S/12.07

Envase tipo carrete

S/10.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

150 V

41 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

224 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V

BSP170IATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.54
4,542En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BSP170IATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP170IATMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V

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Cinta cortada

S/3.54

S/2.53

S/1.57

S/1.09

Envase tipo carrete

S/0.771

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

60 V

3.2 A

260 mOhms

20 V

4 V

10.8 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V

BSS83IXUSA1
Infineon Technologies
1: S/1.28
8,509En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BSS83IXUSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS83IXUSA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V

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8,509En existencias

Cinta cortada

S/1.28

S/0.794

S/0.498

S/0.37

Envase tipo carrete

S/0.323

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

60 V

550 mA

1.7 Ohms

20 V

2 V

870 pC

- 55 C

+ 150 C

1.04 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP670P06NMAXTSA1
Infineon Technologies
1: S/9.61
2,171En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ISP670P06NMAXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP670P06NMAXTSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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Hoja de datos

2,171En existencias

Cinta cortada

S/9.61

S/6.11

S/4.13

S/3.34

Envase tipo carrete

S/2.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

6.4 A

67 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP16DP10LMAXTSA1
Infineon Technologies
1: S/8.21
1,604En existencias
2,000Se espera el 17/09/2026
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ISP16DP10LMAXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP16DP10LMAXTSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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1,604En existencias

2,000Se espera el 17/09/2026

Cinta cortada

S/8.21

S/5.25

S/3.53

S/2.80

Envase tipo carrete

S/2.62

S/2.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

3.9 A

67 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPB320P10LMATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.27
2,731En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB320P10LMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB320P10LMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

2,731En existencias

Cinta cortada

S/22.27

S/14.83

S/10.63

S/10.08

Envase tipo carrete

S/9.03

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

100 V

63 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

219 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL (NEGATIVE)

BSO613SPVGXUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.43
8,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSO613SPVGXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSO613SPVGXUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL (NEGATIVE)

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Hoja de datos

8,148En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/4.75

S/3.17

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

60 V

3.44 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPB330P10NMATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.51
1,147En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB330P10NMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB330P10NMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,147En existencias

Cinta cortada

S/23.51

S/15.41

S/11.48

S/10.00

Envase tipo carrete

S/8.45

S/8.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

100 V

62 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

189 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPD42DP15LMATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
7,834En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD42DP15LMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD42DP15LMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

7,834En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.84

S/3.97

S/3.19

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

150 V

9 A

420 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP330P10NMAKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.67
774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP330P10NMAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP330P10NMAKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

774En existencias

S/23.67

S/12.46

S/11.37

S/10.90

S/9.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

P-Channel

1 Channel

100 V

62 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

189 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD650P06NMATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.60
1,579En existencias
2,500Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD650P06NMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD650P06NMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,579En existencias

2,500Se espera el 17/09/2026

Cinta cortada

S/8.60

S/5.53

S/3.72

S/2.96

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.48

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

22 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP14EP15LMXTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.60
3,673En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISP14EP15LMXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP14EP15LMXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

Obtenga más información

Hoja de datos

3,673En existencias

Cinta cortada

S/1.60

S/0.977

S/0.782

S/0.743

Envase tipo carrete

S/0.708

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

150 V

1.29 A

1.38 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP20EP10LMXTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.13
10,210En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISP20EP10LMXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP20EP10LMXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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Hoja de datos

10,210En existencias

Cinta cortada

S/1.13

S/0.693

S/0.549

S/0.522

Envase tipo carrete

S/0.494

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

100 V

990 mA

2 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP75DP06LMXTSA1
Infineon Technologies
1: S/2.49
4,652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISP75DP06LMXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP75DP06LMXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

Obtenga más información

Hoja de datos

4,652En existencias

Cinta cortada

S/2.49

S/1.55

S/0.989

S/0.747

Envase tipo carrete

S/0.743

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

1.1 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP98DP10LMXTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.36
423En existencias
2,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISP98DP10LMXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP98DP10LMXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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Hoja de datos

423En existencias

2,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/1.36

S/0.845

S/0.673

S/0.638

Envase tipo carrete

S/0.607

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

100 V

1.55 A

980 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

7.2 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD18DP10LMATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.06
692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD18DP10LMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD18DP10LMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

692En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/5.14

S/3.47

S/2.75

S/2.52

Envase tipo carrete

S/2.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

100 V

13.9 A

178 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD25DP06NMATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.94
1,865En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD25DP06NMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD25DP06NMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,865En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/3.10

S/2.04

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

6.5 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

10.6 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

MOSFET de potencia de canal P de 12 V a 250 V

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

290 mA
550 mA
990 mA
1.1 A
1.29 A
1.55 A
2.8 A
3.2 A
3.44 A
3.9 A
6.4 A
6.5 A
9 A
13.7 A
13.8 A
13.9 A
16.4 A
22 A
35 A
41 A

11 mOhms
32 mOhms
33 mOhms
38 mOhms
65 mOhms
67 mOhms
72 mOhms
90 mOhms
110 mOhms
111 mOhms
125 mOhms
178 mOhms
185 mOhms
186 mOhms
250 mOhms
260 mOhms
420 mOhms
750 mOhms
1.38 Ohms
1.7 Ohms

290 pC
870 pC
3.5 nC
4 nC
6.7 nC
7.2 nC
10.6 nC
10.8 nC
11.6 nC
20 nC
20.2 nC
27 nC
36 nC
39 nC
42 nC
43 nC
48 nC
59 nC
63 nC
189 nC