Controladores de puertas 30A 2-OUT Half Brdg Non-Inv
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Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA70R600P7SXKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R360P7ATMA1
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Controladores de puertas DRIVER-IC
1ED020I12FA2
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Controladores de puertas DRIVER-IC
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1ED020I12FA2XUMA2
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDH12G65C6XKSA1
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Controladores de puertas HALFBRIDGE DRV 30A DC/DC 1700V
Infineon Technologies 2ED300C17-S ROHS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN70R600P7SXKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R2K4P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
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726-IPD80R750P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
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S/31.30
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
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726-2EDL05N06PFXUMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
IPB65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDD60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6A, UL, Miller clam
1EDI30I12MFXUMA1
Infineon Technologies
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S/8.84
2,234 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-1EDI30I12MFXUMA1
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6A, UL, Miller clam
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6.8A, UL, SEP Outpu
1EDI40I12AFXUMA1
Infineon Technologies
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S/9.50
2,768 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-1EDI40I12AFXUMA1
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6.8A, UL, SEP Outpu
2,768 En existencias
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PJXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.05
1,853 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05N06PJXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
1,853 En existencias
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Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N06PTXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.99
1,575 En existencias
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726-6EDL04N06PTXUMA1
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Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
1,575 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
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S/31.41
3,453 En existencias
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726-IPL60R065P7AUMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/29.43
1,578 En existencias
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726-IPL60R075CFD7AUM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.24
5,234 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
5,234 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.97
8,670 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
8,670 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.94
3,361 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,361 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/27.48
3,510 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,510 En existencias
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