Semiconductores – Mouser Perú

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Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

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N.° de pieza

Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT

2EDL23I06PJ
Infineon Technologies
1: S/8.60
2,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2EDL23I06PJ

N.º de artículo de Mouser
726-2EDL23I06PJ

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT

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S/8.60

S/6.34

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S/4.24

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Controladores de puertas 30A 2-OUT Half Brdg Non-Inv

2ED300C17-ST
Infineon Technologies
1: S/876.86
114En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2ED300C17-ST

N.º de artículo de Mouser
641-2ED300C17-ST

Infineon Technologies

Controladores de puertas 30A 2-OUT Half Brdg Non-Inv

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S/876.86

S/697.57

S/672.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.38
71,763En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R600P7SXKSA1

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726-IPA70R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/6.38

S/3.01

S/2.68

S/2.50

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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD

2EDL05I06PF
Infineon Technologies
1: S/4.79
2,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2EDL05I06PF

N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05I06PF

Infineon Technologies

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S/4.79

S/3.46

S/3.13

S/2.76

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S/2.30

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Controladores de puertas DRIVER-IC

1ED020I12FA2
Infineon Technologies
1: S/32.00
3,607En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
1ED020I12FA2

N.º de artículo de Mouser
726-1ED020I12FA2

NRND

Infineon Technologies

Controladores de puertas DRIVER-IC

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S/32.00

S/24.68

S/22.85

S/20.82

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S/18.65

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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD

2EDL05I06PJ
Infineon Technologies
1: S/7.08
351En existencias

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2EDL05I06PJ

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726-2EDL05I06PJ

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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD

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S/7.08

S/5.18

S/4.71

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S/3.56

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/29.43
1,578En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R075CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/29.43

S/18.80

S/14.48

S/13.90

S/12.96

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S/12.96

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6A, UL, Miller clam

1EDI30I12MFXUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
2,469En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1EDI30I12MFXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1EDI30I12MFXUMA1

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6A, UL, Miller clam

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S/8.87

S/6.62

S/6.03

S/5.37

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S/4.55

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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD

2EDL05N06PJXUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.05
1,853En existencias

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2EDL05N06PJXUMA1

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726-2EDL05N06PJXUMA1

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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD

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S/7.05

S/5.22

S/4.75

S/4.20

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S/3.55

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Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT

2EDL23I06PJXUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
2,302En existencias

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2EDL23I06PJXUMA1

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726-2EDL23I06PJXUMA1

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Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT

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S/9.23

S/6.85

S/6.27

S/5.61

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S/4.75

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Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

6EDL04N06PTXUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
1,585En existencias

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6EDL04N06PTXUMA1

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726-6EDL04N06PTXUMA1

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S/8.99

S/7.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.58
2,248En existencias

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IPA60R080P7XKSA1

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726-IPA60R080P7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/11.83

S/10.78

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/31.57
3,511En existencias

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IPL60R065P7AUMA1

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726-IPL60R065P7AUMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/21.14

S/15.65

S/15.22

S/14.21

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S/14.21

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/22.93
2,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R095CFD7AUMA1

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726-IPL60R095CFD7AUM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/13.82

S/9.30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.52
1,680En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/14.52

S/7.32

S/6.62

S/5.37

S/5.02

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.56
4,644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/8.56

S/4.55

S/3.83

S/3.16

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/61.31
373En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/61.31

S/37.56

S/34.33

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.66
4,860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/6.66

S/3.15

S/2.78

S/2.19

S/1.71

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.45
4,463En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/8.45

S/5.41

S/3.65

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.39

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD

2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.18
3,159En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2EDL05N06PFXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05N06PFXUMA1

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD

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Cinta cortada

S/5.18

S/3.76

S/3.41

S/3.02

Envase tipo carrete

S/2.52

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.39
826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R115CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/23.39

S/14.48

S/9.54

Envase tipo carrete

S/9.54

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.23
1,675En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/29.23

S/18.45

S/14.40

S/13.78

S/12.88

Envase tipo carrete

S/12.88

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

6EDL04I06NT
Infineon Technologies
1: S/13.55
618En existencias

N.º de artículo del Fabricante
6EDL04I06NT

N.º de artículo de Mouser
726-6EDL04I06NT

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

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Cinta cortada

S/13.55

S/10.12

S/9.23

S/8.29

Envase tipo carrete

S/7.08

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
8,670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Cinta cortada

S/6.97

S/4.44

S/2.95

S/2.33

Envase tipo carrete

S/1.89

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Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.67
3,361En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3,361En existencias

Cinta cortada

S/14.67

S/8.76

S/6.58

S/5.57

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.22

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

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