Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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ZXMN Enhancement Mode MOSFETs

The Diodes Inc. ZXMN Enhancement Mode MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs featuring low on-resistance, fast switching, and high avalanche withstand capability. The Diodes Inc. ZXMN MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications, including SLIC line drivers for VoIP applications, transformer driving switch, motor control, uninterrupted power supply, and more.

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Resultados: 56

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 60V N-Chnl UMOS

ZXMN6A11DN8TA
Diodes Incorporated
1: S/6.97
893En existencias
1,000Se espera el 9/08/2027

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN6A11DN8TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN6A11DN8TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 60V N-Chnl UMOS

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1,000Se espera el 9/08/2027

Cinta cortada

S/6.97

S/3.29

S/3.02

Envase tipo carrete

S/3.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 290

: 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

3.2 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

5.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET

ZXMN10A08DN8TA
Diodes Incorporated
1: S/6.81
918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN10A08DN8TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN10A08DN8TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET

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918En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/3.22

S/2.87

Envase tipo carrete

S/2.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

100 V

2.1 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS

ZXMN10A08E6TA
Diodes Incorporated
1: S/5.37
90En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN10A08E6TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN10A08E6TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS

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15,000En pedido

Cinta cortada

S/5.37

S/2.94

S/2.18

S/1.71

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-26-6

N-Channel

1 Channel

100 V

1.9 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel 2.9A MOSFET

ZXMN10A25GTA
Diodes Incorporated
1: S/8.41
1,618En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN10A25GTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN10A25GTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel 2.9A MOSFET

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1,618En existencias

Cinta cortada

S/8.41

S/4.55

S/3.59

Envase tipo carrete

S/3.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

100 V

4 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

3.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 20V N-Chnl UMOS

ZXMN2A04DN8TA
Diodes Incorporated
1: S/11.95
479En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN2A04DN8TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN2A04DN8TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 20V N-Chnl UMOS

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479En existencias

Cinta cortada

S/11.95

S/6.11

S/5.29

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

20 V

7.7 A

35 mOhms

- 12 V, 12 V

700 mV

40.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A

ZXMN3A01ZTA
Diodes Incorporated
1: S/3.54
45En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3A01ZTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3A01ZTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A

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45En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

S/3.54

S/2.11

S/1.49

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.817

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

SOT-89-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.3 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

970 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS

ZXMN3A03E6TA
Diodes Incorporated
1: S/6.89
161En existencias
27,000Se espera el 21/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3A03E6TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3A03E6TA

Diodes Incorporated

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161En existencias

27,000Se espera el 21/01/2027

Cinta cortada

S/6.89

S/3.50

S/2.79

S/2.65

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-26-6

N-Channel

1 Channel

30 V

4.6 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V N-Chnl UMOS

ZXMN3A04DN8TA
Diodes Incorporated
1: S/13.00
155En existencias
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3A04DN8TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3A04DN8TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V N-Chnl UMOS

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S/13.00

S/7.01

S/5.80

Envase tipo carrete

S/4.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8.5 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

36.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V N-Chnl UMOS

ZXMN3A06DN8TA
Diodes Incorporated
1: S/9.11
790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3A06DN8TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3A06DN8TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V N-Chnl UMOS

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790En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/4.55

S/3.76

Envase tipo carrete

S/3.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6.2 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS

ZXMN3B01FTA
Diodes Incorporated
1: S/4.28
2,736En existencias
3,000Se espera el 16/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3B01FTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3B01FTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS

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2,736En existencias

3,000Se espera el 16/09/2026

Cinta cortada

S/4.28

S/1.96

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 360

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2 A

150 mOhms

- 12 V, 12 V

700 mV

2.93 nC

- 55 C

+ 150 C

625 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS

ZXMN3B04N8TA
Diodes Incorporated
1: S/8.99
2,226En existencias
2,500Se espera el 13/09/2027

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3B04N8TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3B04N8TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS

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2,226En existencias

2,500Se espera el 13/09/2027

Cinta cortada

S/8.99

S/4.98

S/3.71

Envase tipo carrete

S/3.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 540

: 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

8.9 A

25 mOhms

- 12 V, 12 V

700 mV

23.1 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET

ZXMN3F31DN8TA
Diodes Incorporated
1: S/6.42
710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3F31DN8TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3F31DN8TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET

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Hoja de datos

710En existencias

Cinta cortada

S/6.42

S/3.03

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

7.3 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET

ZXMN3G32DN8TA
Diodes Incorporated
1: S/6.89
804En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3G32DN8TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3G32DN8TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET

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804En existencias

Cinta cortada

S/6.89

S/3.33

S/2.87

Envase tipo carrete

S/2.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

7.1 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.8A N-Channel MOSFET

ZXMN6A08GTA
Diodes Incorporated
1: S/6.77
3,727En existencias
35,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN6A08GTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN6A08GTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.8A N-Channel MOSFET

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3,727En existencias

35,000En pedido

Cinta cortada

S/6.77

S/3.17

S/2.78

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS

ZXMN6A11GTA
Diodes Incorporated
1: S/5.92
1,788En existencias
3,000Se espera el 21/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN6A11GTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN6A11GTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,788En existencias

3,000Se espera el 21/07/2027

Cinta cortada

S/5.92

S/2.78

S/2.46

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

60 V

4.4 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

5.7 nC

- 55 C

+ 150 C

3.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

ZXMN2F30FHTA
Diodes Incorporated
1: S/4.90
140,539En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN2F30FHTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN2F30FHTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

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Hoja de datos

140,539En pedido

Cinta cortada

S/4.90

S/3.39

S/2.14

S/1.33

S/1.23

Envase tipo carrete

S/0.716

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4.9 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel 2A MOSFET

ZXMN10A08GTA
Diodes Incorporated
1: S/5.80
32,238En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN10A08GTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN10A08GTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel 2A MOSFET

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Hoja de datos

32,238En pedido

Cinta cortada

S/5.80

S/2.72

S/2.20

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

100 V

2.9 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

ZXMN10A11KTC
Diodes Incorporated
1: S/6.11
4,997En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN10A11KTC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN10A11KTC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

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Hoja de datos

4,997En pedido

Cinta cortada

S/6.11

S/3.76

S/2.48

S/1.95

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

350 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

8.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS

ZXMN10B08E6TA
Diodes Incorporated
1: S/7.08
33,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN10B08E6TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN10B08E6TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

33,000En pedido

Cinta cortada

S/7.08

S/4.36

S/2.87

S/2.65

Envase tipo carrete

S/1.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-26-6

N-Channel

1 Channel

100 V

1.9 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

9.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

ZXMN2B01FTA
Diodes Incorporated
1: S/3.89
33,471Se espera el 23/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN2B01FTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN2B01FTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

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Hoja de datos

33,471Se espera el 23/11/2026

Cinta cortada

S/3.89

S/2.57

S/1.85

S/1.49

S/1.30

Envase tipo carrete

S/0.806

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.4 A

100 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

806 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS

ZXMN3A01E6TA
Diodes Incorporated
1: S/4.75
23,979Se espera el 21/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3A01E6TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3A01E6TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

23,979Se espera el 21/01/2027

Cinta cortada

S/4.75

S/2.73

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-26-6

N-Channel

1 Channel

30 V

3 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS

ZXMN3A01FTA
Diodes Incorporated
1: S/3.31
53,323En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3A01FTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3A01FTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS

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53,323En pedido

Cinta cortada

S/3.31

S/2.06

S/1.51

S/1.32

Envase tipo carrete

S/1.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 740

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

625 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

ZXMN3F30FHTA
Diodes Incorporated
1: S/4.05
11,936Se espera el 21/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3F30FHTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3F30FHTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

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11,936Se espera el 21/01/2027

Cinta cortada

S/4.05

S/2.45

S/1.82

S/1.27

Envase tipo carrete

S/1.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4.6 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS

ZXMN6A08E6TA
Diodes Incorporated
1: S/6.58
28,907En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN6A08E6TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN6A08E6TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS

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28,907En pedido

Cinta cortada

S/6.58

S/3.76

S/2.86

S/2.76

Envase tipo carrete

S/1.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-26-6

N-Channel

1 Channel

60 V

3.5 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 60V N-Chnl UMOS

ZXMN6A25DN8TA
Diodes Incorporated
1: S/10.35
1,500Se espera el 15/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN6A25DN8TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN6A25DN8TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 60V N-Chnl UMOS

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1,500Se espera el 15/01/2027

Cinta cortada

S/10.35

S/6.58

S/4.55

Envase tipo carrete

S/3.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

5 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

20.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

ZXMN Enhancement Mode MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

800 mA
1.4 A
1.9 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.9 A
3 A
3.1 A
3.2 A
3.3 A
3.5 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.1 A
4.3 A

24 mOhms
25 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
47 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
60 mOhms
65 mOhms
80 mOhms
100 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
150 mOhms

2.8 nC
2.9 nC
2.93 nC
3 nC
3.2 nC
3.5 nC
3.9 nC
4.8 nC
5 nC
5.4 nC
5.7 nC
5.8 nC
6.6 nC
6.7 nC
7.4 nC
7.7 nC
8.1 nC
8.2 nC
9.2 nC
9.6 nC

625 mW
806 mW
950 mW
970 mW
1 W
1.1 W
1.4 W
1.5 W
1.7 W
1.8 W
2 W
2.1 W
2.11 W
2.15 W
2.6 W
3 W
3.9 W
4.13 W
4.3 W
8.5 W