Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
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ZXMN6A25GTA
Diodes Incorporated
1:
S/8.06
17,023 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN6A25GTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
17,023 En existencias
1
S/8.06
10
S/3.85
100
S/3.38
1,000
S/3.38
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Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 220
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
60 V
6.7 A
50 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
20.4 nC
- 55 C
+ 150 C
3.9 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
ZXMN10A25KTC
Diodes Incorporated
1:
S/9.11
4,249 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN10A25KTC
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V MOSFET (UMOS)
4,249 En existencias
1
S/9.11
10
S/4.55
100
S/3.88
500
S/3.15
2,500
S/2.47
5,000
Ver
1,000
S/2.82
5,000
S/2.41
10,000
S/2.34
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
6.4 A
125 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
9.6 nC
- 55 C
+ 150 C
2.11 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 100V
ZXMN10A09KTC
Diodes Incorporated
1:
S/11.72
2,476 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN10A09KTC
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 100V
2,476 En existencias
1
S/11.72
10
S/6.19
100
S/5.02
500
S/4.28
1,000
S/3.82
2,500
S/3.74
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
7.7 A
100 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
10.1 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10.9A N-CHANNEL MOSFET
ZXMN4A06KTC
Diodes Incorporated
1:
S/8.91
2,688 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN4A06KTC
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10.9A N-CHANNEL MOSFET
2,688 En existencias
1
S/8.91
10
S/4.63
100
S/3.97
500
S/3.21
1,000
S/2.88
2,500
S/2.59
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
10.9 A
50 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
17.1 nC
- 55 C
+ 150 C
9.5 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
ZXMN6A25KTC
Diodes Incorporated
1:
S/6.58
5,530 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN6A25KTC
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
5,530 En existencias
1
S/6.58
10
S/3.45
100
S/2.93
2,500
S/2.93
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Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 160
Carrete :2,500
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
10.7 A
50 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
20.4 nC
- 55 C
+ 150 C
2.11 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap
+1 imagen
ZXMN2B03E6TA
Diodes Incorporated
1:
S/6.42
4,645 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN2B03E6TA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap
4,645 En existencias
1
S/6.42
10
S/3.03
100
S/2.70
500
S/2.30
3,000
S/1.55
9,000
Ver
1,000
S/1.97
9,000
S/1.50
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-26-6
N-Channel
1 Channel
20 V
5.4 A
40 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
14.5 nC
- 55 C
+ 150 C
1.7 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Chnl UMOS
+1 imagen
ZXMN2A01E6TA
Diodes Incorporated
1:
S/4.63
4,087 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN2A01E6TA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Chnl UMOS
4,087 En existencias
1
S/4.63
10
S/1.91
100
S/1.48
500
S/1.34
3,000
S/1.03
9,000
Ver
1,000
S/1.27
9,000
S/1.00
24,000
S/0.985
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-26-6
N-Channel
1 Channel
20 V
3.1 A
225 mOhms
- 12 V, 12 V
700 mV
3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.1 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM
ZXMN6A08KTC
Diodes Incorporated
1:
S/4.67
4,072 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN6A08KTC
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM
4,072 En existencias
1
S/4.67
10
S/2.19
100
S/1.91
500
S/1.50
2,500
S/1.02
10,000
Ver
1,000
S/1.32
10,000
S/0.993
25,000
S/0.977
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
7.9 A
80 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
5.8 nC
- 55 C
+ 150 C
4.13 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V N-Channel 6.1A MOSFET
ZXMN7A11KTC
Diodes Incorporated
1:
S/6.07
2,091 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN7A11KTC
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V N-Channel 6.1A MOSFET
2,091 En existencias
1
S/6.07
10
S/2.85
100
S/2.32
500
S/2.12
1,000
S/1.80
2,500
S/1.80
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
70 V
6.1 A
130 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
7.4 nC
- 55 C
+ 150 C
8.5 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Chnl UMOS
+2 imágenes
ZXMN4A06GTA
Diodes Incorporated
1:
S/7.40
35,218 En existencias
28,000 Se espera el 12/02/2027
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN4A06GTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Chnl UMOS
35,218 En existencias
28,000 Se espera el 12/02/2027
1
S/7.40
10
S/3.51
100
S/3.08
500
S/2.84
1,000
S/2.30
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 2,000
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
1 Channel
40 V
7 A
50 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
18.2 nC
- 55 C
+ 150 C
3.9 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS
+2 imágenes
ZXMN10A07ZTA
Diodes Incorporated
1:
S/4.16
14,187 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN10A07ZTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS
14,187 En existencias
1
S/4.16
10
S/1.99
100
S/1.68
500
S/1.32
1,000
S/1.25
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 1,000
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-89-3
N-Channel
1 Channel
100 V
1.4 A
900 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
2.9 nC
- 55 C
+ 150 C
2.6 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
+2 imágenes
ZXMN6A07ZTA
Diodes Incorporated
1:
S/4.90
6,888 En existencias
7,000 Se espera el 16/07/2027
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN6A07ZTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
6,888 En existencias
7,000 Se espera el 16/07/2027
1
S/4.90
10
S/2.34
100
S/1.99
500
S/1.56
1,000
S/1.33
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 1,000
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-89-3
N-Channel
1 Channel
60 V
2.5 A
250 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
3.2 nC
2.6 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 7.5A
+2 imágenes
ZXMN6A09GTA
Diodes Incorporated
1:
S/8.76
8,718 En existencias
10,000 Se espera el 2/07/2027
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN6A09GTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 7.5A
8,718 En existencias
10,000 Se espera el 2/07/2027
1
S/8.76
10
S/5.57
100
S/3.74
500
S/3.59
1,000
S/2.94
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 1,000
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
1 Channel
60 V
7.5 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
24.2 nC
- 55 C
+ 150 C
3.9 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
+2 imágenes
ZXMN6A11ZTA
Diodes Incorporated
1:
S/5.45
13,319 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN6A11ZTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
13,319 En existencias
1
S/5.45
10
S/2.72
100
S/2.21
500
S/1.74
1,000
S/1.49
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 1,000
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-89-3
N-Channel
1 Channel
60 V
3.6 A
120 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
5.7 nC
- 55 C
+ 150 C
2.6 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS
+2 imágenes
ZXMN10A07FTA
Diodes Incorporated
1:
S/4.36
9,132 En existencias
51,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN10A07FTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS
9,132 En existencias
51,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
9,132 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
30,000 Se espera el 16/12/2026
21,000 Se espera el 29/01/2027
Plazo de entrega de fábrica:
44 Semanas
1
S/4.36
10
S/2.10
100
S/1.86
500
S/1.49
3,000
S/1.49
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 680
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
100 V
800 mA
700 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
2.9 nC
- 55 C
+ 150 C
806 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL
ZXMN20B28KTC
Diodes Incorporated
1:
S/5.22
6,499 En existencias
12,500 Se espera el 6/08/2027
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN20B28KTC
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL
6,499 En existencias
12,500 Se espera el 6/08/2027
1
S/5.22
10
S/2.43
100
S/2.16
500
S/1.85
2,500
S/1.38
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 2,500
Carrete :2,500
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
2.3 A
750 mOhms
- 20 V, 20 V
1.6 V
8.1 nC
- 55 C
+ 150 C
4.3 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Chnl UMOS
+2 imágenes
ZXMN2A01FTA
Diodes Incorporated
1:
S/3.39
9,557 En existencias
9,000 Se espera el 9/09/2026
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN2A01FTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Chnl UMOS
9,557 En existencias
9,000 Se espera el 9/09/2026
1
S/3.39
10
S/1.52
100
S/1.34
500
S/1.08
1,000
S/0.911
3,000
S/0.736
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 3,000
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
20 V
2.2 A
120 mOhms
- 12 V, 12 V
700 mV
3 nC
- 55 C
+ 150 C
625 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel
+2 imágenes
ZXMN2A14FTA
Diodes Incorporated
1:
S/4.83
30,816 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN2A14FTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel
30,816 En existencias
1
S/4.83
10
S/3.00
100
S/1.97
500
S/1.55
1,000
S/1.36
3,000
S/1.20
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 3,000
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
20 V
4.1 A
110 mOhms
- 12 V, 12 V
700 mV
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
+2 imágenes
ZXMN2F34FHTA
Diodes Incorporated
1:
S/3.00
45,875 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN2F34FHTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
45,875 En existencias
1
S/3.00
10
S/1.35
100
S/1.19
1,000
S/1.05
3,000
S/0.693
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 3,000
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
20 V
4 A
60 mOhms
- 12 V, 12 V
500 mV
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
950 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS
ZXMN3A02X8TA
Diodes Incorporated
1:
S/10.90
9,591 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN3A02X8TA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS
9,591 En existencias
1
S/10.90
10
S/7.01
100
S/4.75
500
S/4.05
1,000
S/3.58
2,000
Ver
2,000
S/3.39
5,000
S/3.22
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
MSOP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
6.7 A
35 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
26.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.1 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS
+2 imágenes
ZXMN3B14FTA
Diodes Incorporated
1:
S/5.76
29,858 En existencias
96,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN3B14FTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS
29,858 En existencias
96,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
29,858 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
36,000 Se espera el 21/01/2027
60,000 Se espera el 26/01/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/5.76
10
S/3.05
100
S/2.33
500
S/1.83
1,000
S/1.56
3,000
S/1.42
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 3,000
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
30 V
3.5 A
140 mOhms
- 12 V, 12 V
700 mV
6.7 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
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ZXMN6A07FTA
Diodes Incorporated
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S/3.31
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
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S/3.31
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S/1.50
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S/1.32
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
1.4 A
250 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
3.2 nC
- 55 C
+ 150 C
625 mW
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V N-Channel 3.8A MOSFET
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ZXMN7A11GTA
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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7,000 Se espera el 6/08/2027
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1
S/7.28
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S/3.44
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S/3.07
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S/2.52
1,000
S/2.15
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
70 V
3.8 A
130 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
7.4 nC
- 55 C
+ 150 C
3.9 W
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS
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ZXMN10A11GTA
Diodes Incorporated
1:
S/5.57
3,356 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN10A11GTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS
3,356 En existencias
4,000 Se espera el 23/08/2027
1
S/5.57
10
S/2.60
100
S/2.31
500
S/1.94
1,000
S/1.67
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 1,000
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
100 V
2.4 A
350 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
5.4 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 60V N-Chnl UMOS
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ZXMN6A09DN8TA
Diodes Incorporated
1:
S/11.91
25 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 522-ZXMN6A09DN8TA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 60V N-Chnl UMOS
25 En existencias
1,000 Se espera el 15/01/2027
1
S/11.91
10
S/6.31
100
S/5.29
500
S/4.01
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
5.1 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
24.2 nC
- 55 C
+ 150 C
2.1 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
