Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.

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Resultados: 130

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Panjit
1: S/3.62
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PJQ5458A-AU_R2_000A1

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Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Cinta cortada

S/3.62

S/3.22

S/2.69

S/1.85

Envase tipo carrete

S/1.39

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3441_R1_00001
Panjit
1: S/1.44
179,023En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3441_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3441_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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179,023En existencias

Cinta cortada

S/1.44

S/0.642

S/0.561

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.308

S/0.28

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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1 Channel

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJS6421_S1_00001
Panjit
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N.º de artículo del Fabricante
PJS6421_S1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJS6421_S1_00001

Panjit

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Cinta cortada

S/2.80

S/1.25

S/1.10

S/0.829

Envase tipo carrete

S/0.607

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3414_R1_00001
Panjit
1: S/2.22
1,669En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3414_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
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S/2.22

S/1.53

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Envase tipo carrete

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3433-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/1.71
1,911En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
PJA3433-AU_R1_000A1

N.º de artículo de Mouser
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Panjit

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S/1.71

S/0.743

S/0.646

S/0.479

Envase tipo carrete

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Ver

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Panjit
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N.º de artículo del Fabricante
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N.º de artículo de Mouser
241-PJA3406_R1_00001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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S/1.13

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S/0.436

S/0.319

Envase tipo carrete

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S/0.222

MouseReel Disponible

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Panjit
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2,970En existencias
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PJQ2410_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
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NRND

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S/2.30

S/1.42

S/0.907

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Envase tipo carrete

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Panjit
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PJA3401A_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
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S/1.40

S/0.623

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Envase tipo carrete

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Panjit
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PJA3401_R1_00001

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S/0.346

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3403_R1_00001
Panjit
1: S/1.63
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N.º de artículo del Fabricante
PJA3403_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
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S/1.63

S/1.00

S/0.631

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Ver

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3404A_R1_00001
Panjit
1: S/1.32
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9,000Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
PJA3404A_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3404AR100001

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9,000Se espera el 14/09/2026

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S/1.32

S/0.588

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Envase tipo carrete

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3404-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/1.60
2,990En existencias
3,000Se espera el 20/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
PJA3404-AU_R1_000A1

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241-PJA3404AUR1000A1

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3,000Se espera el 20/01/2027

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S/1.60

S/0.708

S/0.619

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Envase tipo carrete

S/0.343

Ver

MouseReel Disponible

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SOT-23-3

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3404_R1_00001
Panjit
1: S/1.21
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36,000Se espera el 21/10/2026

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PJA3404_R1_00001

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241-PJA3404_R1_00001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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36,000Se espera el 21/10/2026

Cinta cortada

S/1.21

S/0.537

S/0.467

S/0.346

Envase tipo carrete

S/0.245

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.6 A

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20 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3405-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/1.71
1,167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3405-AU_R1_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3405AUR1000A1

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Cinta cortada

S/1.71

S/0.751

S/0.658

S/0.49

Envase tipo carrete

S/0.362

S/0.311

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

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20 V

2.1 V

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- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3405_R1_00001
Panjit
1: S/1.36
3,873En existencias
12,000Se espera el 1/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PJA3405_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3405_R1_00001

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3,873En existencias

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Cinta cortada

S/1.36

S/0.841

S/0.529

S/0.389

S/0.346

Envase tipo carrete

S/0.292

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

73 mOhms

20 V

2.1 V

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- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3411_R1_00001
Panjit
1: S/1.05
11,335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3411_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3411_R1_00001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Cinta cortada

S/1.05

S/0.463

S/0.405

S/0.354

Envase tipo carrete

S/0.257

S/0.241

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.1 A

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12 V

1.2 V

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3412-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/1.60
5,042En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3412-AU_R1_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3412AUR1000A1

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Cinta cortada

S/1.60

S/0.708

S/0.619

S/0.459

Envase tipo carrete

S/0.343

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

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1 Channel

20 V

4.1 A

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12 V

1.2 V

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- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3412_R1_00001
Panjit
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909En existencias
9,000Se espera el 30/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
PJA3412_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3412_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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909En existencias

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Cinta cortada

S/1.09

S/0.483

S/0.42

S/0.308

Envase tipo carrete

S/0.241

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4.1 A

56 mOhms

12 V

1.2 V

4.6 nC

- 55 C

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1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3413_R1_00001
Panjit
1: S/1.21
1,710En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PJA3413_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3413_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

1,710En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/1.21

S/0.529

S/0.459

S/0.339

Envase tipo carrete

S/0.241

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

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1 Channel

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3415A-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/1.75
2,157En existencias
24,000Se espera el 5/04/2027

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PJA3415A-AU_R1_000A1

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S/1.75

S/0.782

S/0.681

S/0.51

Envase tipo carrete

S/0.378

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.5 A

88 mOhms

12 V

1.3 V

10 nC

- 50 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

PJA3415AE-AU_R1_000A1
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1: S/1.60
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S/1.60

S/0.705

S/0.615

S/0.459

Envase tipo carrete

S/0.366

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.3 A

50 mOhms

8 V

1 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

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S/1.36

S/0.596

S/0.518

S/0.385

Envase tipo carrete

S/0.335

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.3 A

50 mOhms

8 V

1 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

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PJA3415A_R1_00001
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1: S/1.44
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PJA3415A_R1_00001

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241-PJA3415AR100001

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Cinta cortada

S/1.44

S/0.884

S/0.557

S/0.413

Envase tipo carrete

S/0.304

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.5 A

46 mOhms

12 V

1.3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

PJA3416AE_R1_00001
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1: S/1.32
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N.º de artículo del Fabricante
PJA3416AE_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3416AER100001

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Cinta cortada

S/1.32

S/0.588

S/0.51

S/0.378

Envase tipo carrete

S/0.276

S/0.253

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

6.5 A

22 mOhms

8 V

1 V

8.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

300 mA
750 mA
1.1 A
1.2 A
1.5 A
1.6 A
2 A
2.2 A
2.9 A
3.1 A
3.2 A
3.3 A
3.4 A
3.6 A
4 A
4.1 A
4.2 A
4.3 A
4.4 A
4.5 A

2.4 mOhms
4.5 mOhms
9 mOhms
11.5 mOhms
12 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
29.81 mOhms
30 mOhms
32 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
37 mOhms
38 mOhms

900 pC
1.4 nC
1.5 nC
1.6 nC
1.7 nC
1.8 nC
4.1 nC
4.3 nC
4.6 nC
4.8 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.1 nC
6.7 nC
6.8 nC
6.9 nC
7 nC