Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 29

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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S/21.06

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24 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R019C7
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

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S/88.17

S/65.86

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Tube

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

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Infineon Technologies
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S/44.22

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S/26.04

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Infineon Technologies
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242En existencias
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S/18.57

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S/13.27

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Infineon Technologies
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726-IPA65R065C7

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S/35.46

S/24.95

S/20.20

S/17.94

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Tube

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Infineon Technologies
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408En existencias
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Cinta cortada

S/48.15

S/34.84

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R065C7ATMA2
Infineon Technologies
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1,264En existencias

N.º de artículo del Fabricante
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726-IPB65R065C7ATMA2

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/38.38

S/26.62

S/20.63

S/18.06

Envase tipo carrete

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Ver

MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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171 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
1: S/28.14
916En existencias

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IPB65R095C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R095C7ATMA2

Infineon Technologies

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916En existencias

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S/28.14

S/18.84

S/15.14

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

IPD65R225C7
Infineon Technologies
1: S/12.46
1,639En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

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Cinta cortada

S/12.46

S/8.33

S/5.80

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.16

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

650 V

11 A

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R190C7
Infineon Technologies
1: S/19.07
243En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R190C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190C7

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/19.07

S/12.49

S/9.34

S/7.79

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1 Channel

650 V

13 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R045C7
Infineon Technologies
1: S/48.85
281En existencias
240Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

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281En existencias

240Se espera el 24/08/2026

S/48.85

S/36.39

S/30.36

S/27.01

S/25.57

Min.: 1
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TO-247-3

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1 Channel

650 V

46 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

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227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.62
69En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R125C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R125C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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69En existencias

S/22.62

S/14.83

S/10.90

S/9.03

S/8.68

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

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+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.70
155En existencias
500Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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155En existencias

500Se espera el 24/08/2026

S/13.70

S/9.42

S/7.63

S/6.11

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R190C7ATMA2
Infineon Technologies
1: S/16.27
932En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R190C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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932En existencias

Cinta cortada

S/16.27

S/10.67

S/7.94

S/6.89

Envase tipo carrete

S/5.84

S/5.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

404 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD65R190C7
Infineon Technologies
1: S/13.86
1,079En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R190C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R190C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,079En existencias

Cinta cortada

S/13.86

S/9.03

S/6.34

S/5.29

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R095C7
Infineon Technologies
1: S/28.18
99En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R095C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

99En existencias

S/28.18

S/18.45

S/13.58

S/11.52

S/10.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R065C7
Infineon Technologies
1: S/37.95
184En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

184En existencias

S/37.95

S/25.92

S/21.37

S/19.03

S/18.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

IPZ65R019C7
Infineon Technologies
1: S/93.42
73En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R019C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R019C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

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Hoja de datos

73En existencias

S/93.42

S/74.77

S/64.65

S/61.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

215 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

IPZ65R045C7
Infineon Technologies
1: S/54.38
240Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

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Hoja de datos

240Se espera el 13/08/2026

S/54.38

S/41.42

S/34.53

S/29.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm

IPP65R225C7
Infineon Technologies
500: S/5.37
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/5.37

S/4.98

S/4.71

Min.: 500
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

199 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPL65R070C7
Infineon Technologies
3,000: S/16.97
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R070C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R070C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

S/16.97

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

62 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 40 C

+ 150 C

169 W

Enhancement

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPL65R099C7
Infineon Technologies
3,000: S/11.64
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R099C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R099C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.64

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Reel

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