Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET M6 MDmesh™

Los MOSFET M6 MDmesh™ de STMicroelectronics combinan una carga de puerta baja (Q_g) con un perfil de capacitancia optimizado para enfocar una alta eficiencia en nuevas topologías en aplicaciones de conversión de potencia. La serie M6 MDmesh con estructura de "súper unión" ofrece un rendimiento de eficiencia extremadamente alta, lo que permite una mayor densidad y una carga de puerta baja para altas frecuencias. Los MOSFET serie M6 tienen un voltaje de ruptura que oscila entre 600 y 700 V. Están disponibles en una amplia gama de opciones de empaque, como una solución de empaque TO sin plomo (TO-LL) que permite una gestión térmica eficiente. Los dispositivos incluyen un amplio rango de voltajes de funcionamiento para aplicaciones industriales como cargadores, adaptadores, módulos de caja de plata, iluminación LED, telecomunicaciones, servidores y energía solar.

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Resultados: 48

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV STL13N60M6 STMicroelectronics 1: S/10.86 2,784En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL13N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STL13N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	2,784En existencias	Cinta cortada S/10.86 S/5.37 S/4.75 S/3.85 S/3.56 Envase tipo carrete S/3.20	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5x6-4	N-Channel	1 Channel	600 V	7 A	415 mOhms	25 V	3.25 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV STL47N60M6 STMicroelectronics 1: S/26.27 1,742En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL47N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STL47N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	1,742En existencias	Cinta cortada S/26.27 S/13.97 S/12.77 S/11.91 S/11.13 Envase tipo carrete S/11.13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-8x8-5	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	80 mOhms	25 V	3.25 V	57 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead STWA75N60M6 STMicroelectronics 1: S/43.87 478En existencias	N.º de artículo del Fabricante STWA75N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STWA75N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	478En existencias	S/43.87 S/23.98 S/23.39 S/22.23	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	72 A	36 mOhms	25 V	3.25 V	106 nC	- 55 C	+ 150 C	446 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package STW24N60M6 STMicroelectronics 1: S/16.85 1,031En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW24N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STW24N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	1,031En existencias	S/16.85 S/8.60 S/6.42 S/6.38	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	22 A	190 mOhms	25 V	3.25 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package STF36N60M6 STMicroelectronics 1: S/29.23 289En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF36N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STF36N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	289En existencias	S/29.23 S/15.69 S/14.40 S/12.92	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	30 A	99 mOhms	20 V	3.25 V	44.3 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package STB18N60M6 STMicroelectronics 1: S/13.08 878En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB18N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STB18N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	878En existencias	Cinta cortada S/13.08 S/7.51 S/5.88 S/4.83 Envase tipo carrete S/4.32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	280 mOhms	25 V	3.25 V	16.8 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package STP33N60M6 STMicroelectronics 1: S/20.94 610En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP33N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STP33N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	610En existencias	S/20.94 S/10.90 S/9.93 S/8.72 S/8.29	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	125 mOhms	25 V	3.25 V	33.4 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package STU3N65M6 STMicroelectronics 1: S/8.06 2,440En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante STU3N65M6 N.º de artículo de Mouser 511-STU3N65M6 NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	2,440En existencias	S/8.06 S/5.06 S/3.32 S/2.63 Ver S/2.34 S/2.13 S/2.05 S/1.98	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3.5 A	1.5 Ohms	25 V	2.25 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package STB36N60M6 STMicroelectronics 1: S/26.27 881En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB36N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STB36N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	881En existencias	Cinta cortada S/26.27 S/13.97 S/12.77 S/11.91 Envase tipo carrete S/11.25 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	30 A	85 mOhms	25 V	3.25 V	44.3 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package STW36N60M6 STMicroelectronics 1: S/29.15 816En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW36N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STW36N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	816En existencias	S/29.15 S/15.30 S/14.05 S/12.96	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	30 A	85 mOhms	25 V	3.25 V	44.3 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package STB24N60M6 STMicroelectronics 1: S/14.67 941En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB24N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STB24N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	941En existencias	Cinta cortada S/14.67 S/7.40 S/6.70 S/5.88 Envase tipo carrete S/5.14	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	22 A	190 mOhms	25 V	3.25 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package STD16N60M6 STMicroelectronics 1: S/10.74 1,455En existencias 2,500Se espera el 30/04/2027	N.º de artículo del Fabricante STD16N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STD16N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	1,455En existencias 2,500Se espera el 30/04/2027	Cinta cortada S/10.74 S/6.93 S/4.75 S/3.86 Envase tipo carrete S/3.45 Ver S/3.58 S/3.39 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	650 V	12 A	320 mOhms	25 V	4.75 V	16.7 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag STF24N60M6 STMicroelectronics 1: S/13.31 871En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF24N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STF24N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	871En existencias	S/13.31 S/6.66 S/6.03 S/4.90 Ver S/4.87 S/4.79 S/4.63	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	22 A	190 mOhms	25 V	3.25 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 STL10N60M6 STMicroelectronics 1: S/9.96 1,140En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL10N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STL10N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	1,140En existencias	Cinta cortada S/9.96 S/5.76 S/4.36 S/3.68 S/3.26 Envase tipo carrete S/2.97	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5x6-4	N-Channel	1 Channel	600 V	5.5 A	660 mOhms	25 V	3.25 V	8.8 nC	- 55 C	+ 150 C	48 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package STP24N60M6 STMicroelectronics 1: S/13.31 517En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP24N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STP24N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	517En existencias	S/13.31 S/6.66 S/6.03 S/4.98 Ver S/4.87 S/4.79 S/4.63	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	17 A	190 mOhms	25 V	3.25 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package STP36N60M6 STMicroelectronics 1: S/26.74 457En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP36N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STP36N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	457En existencias	S/26.74 S/14.25 S/11.52	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	30 A	85 mOhms	25 V	3.25 V	44.3 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package STW33N60M6 STMicroelectronics 1: S/25.30 209En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW33N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STW33N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	209En existencias	S/25.30 S/13.39 S/12.22 S/10.70	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	26 A	125 mOhms	25 V	3.25 V	33.4 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package STW75N60M6 STMicroelectronics 1: S/39.39 99En existencias 600En pedido	N.º de artículo del Fabricante STW75N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STW75N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	99En existencias 600En pedido	S/39.39 S/25.46 S/19.54 S/18.68	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	72 A	36 mOhms	25 V	3.25 V	106 nC	- 55 C	+ 150 C	446 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package STP46N60M6 STMicroelectronics 1: S/26.35 1,000Se espera el 12/02/2027	N.º de artículo del Fabricante STP46N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STP46N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	1,000Se espera el 12/02/2027	S/26.35 S/20.09 S/17.75 S/16.66 S/15.73	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	36 A	80 mOhms	25 V	3.25 V	53.5 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET STO36N60M6 STMicroelectronics 1: S/25.11 408En existencias	N.º de artículo del Fabricante STO36N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STO36N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	408En existencias	Cinta cortada S/25.11 S/13.31 S/12.14 S/11.25 S/10.63 Envase tipo carrete S/10.63	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	TO-LL-8	N-Channel	1 Channel	600 V	30 A	99 mOhms	25 V	4.75 V	44.3 nC	- 55 C	+ 150 C	230 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package STW70N60DM6-4 STMicroelectronics 1: S/48.62 25En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW70N60DM6-4 N.º de artículo de Mouser 511-STW70N60DM6-4	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	25En existencias	S/48.62 S/30.63 S/26.86 S/23.71 Ver S/21.80 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	600 V	62 A	42 mOhms	25 V	4.75 V	99 nC	- 55 C	+ 150 C	390 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET STWA48N60M6 STMicroelectronics 1: S/42.27 16En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante STWA48N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STWA48N60M6 NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	16En existencias	S/42.27 S/29.89 S/24.91 S/22.19 S/20.71	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	39 A	69 mOhms	25 V	3.25 V	57 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa STF16N60M6 STMicroelectronics 1: S/13.27 997Se espera el 1/10/2027	N.º de artículo del Fabricante STF16N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STF16N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	997Se espera el 1/10/2027	S/13.27 S/6.66 S/5.99 S/4.87 Ver S/4.83 S/4.75 S/4.59	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	320 mOhms	25 V	4.75 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag STF18N60M6 STMicroelectronics 1: S/11.56 1,162Se espera el 13/08/2027	N.º de artículo del Fabricante STF18N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STF18N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	1,162Se espera el 13/08/2027	S/11.56 S/5.72 S/5.18 S/4.16 Ver S/4.13 S/3.84	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	280 mOhms	25 V	3.25 V	16.8 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package STB33N60M6 STMicroelectronics 1,000: S/8.80 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STB33N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STB33N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	Envase tipo carrete S/8.80	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	Si															MDmesh	Reel