Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Toshiba Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs is an extensive lineup of Power MOSFETs covering various automotive applications in 12V to 48V battery systems. Toshiba has been in the discrete automotive industry since the 1960s, starting with rectifiers and then Automotive MOSFETs in the 1990s. With performance and reliability, all of Toshiba’s automotive products go above and beyond AEC-Q101 standards.

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Resultados: 39

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/6.73
46,177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ40S04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ40S04M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

46,177En existencias

Cinta cortada

S/6.73

S/3.19

S/2.84

S/2.24

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

9.1 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

83 nC

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
1: S/11.17
25,771En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK1R4S04PB,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK1R4S04PB,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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25,771En existencias

Cinta cortada

S/11.17

S/5.53

S/4.98

S/4.01

S/3.76

Envase tipo carrete

S/3.50

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.35 mOhms

20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/5.61
44,524En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ8S06M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ8S06M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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44,524En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/2.62

S/2.33

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.56

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

8 A

104 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

19 nC

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A

XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
1: S/7.36
56,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPN12006NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN12006NCL1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A

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56,440En existencias

Cinta cortada

S/7.36

S/3.52

S/3.15

S/2.48

Envase tipo carrete

S/2.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

20 A

23.7 mOhms

20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/17.28
40,776En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ200F04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ200F04M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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40,776En existencias

Cinta cortada

S/17.28

S/8.84

S/8.02

S/6.81

Envase tipo carrete

S/6.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-220SM-3

P-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

460 nC

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
1: S/14.17
14,861En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK1R5R04PB,LXGQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK1R5R04PB,LXGQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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14,861En existencias

Cinta cortada

S/14.17

S/7.12

S/6.46

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.5 mOhms

20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK90S06N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/9.38
17,458En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK90S06N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK90S06N1L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

17,458En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/4.59

S/4.13

S/3.27

S/3.11

Envase tipo carrete

S/2.76

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

3.3 mOhms

20 V

2.5 V

81 nC

+ 175 C

157 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
1: S/14.29
1,831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK1R4F04PB,LXGQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK1R4F04PB,LXGQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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1,831En existencias

Cinta cortada

S/14.29

S/7.20

S/6.50

S/5.29

Envase tipo carrete

S/4.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.35 mOhms

20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/5.61
17,713En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ10S04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ10S04M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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17,713En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/2.62

S/2.33

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

10 A

44 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

19 nC

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/9.11
4,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ80S04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

4,029En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/4.44

S/3.97

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

5.2 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

158 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1: S/8.17
16,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPW1R104PB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPW1R104PB,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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16,682En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/5.02

S/3.97

S/3.40

Ver

Envase tipo carrete

S/3.09

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DSOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.14 mOhms

20 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK65S04N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/7.36
11,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK65S04N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK65S04N1L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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11,180En existencias

Cinta cortada

S/7.36

S/3.52

S/3.15

S/2.48

Envase tipo carrete

S/2.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

65 A

4.3 mOhms

20 V

2.5 V

39 nC

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK33S10N1L,LQ
Toshiba
1: S/10.94
968En existencias
2,000Se espera el 6/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK33S10N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK33S10N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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968En existencias

2,000Se espera el 6/11/2026

Cinta cortada

S/10.94

S/5.41

S/4.87

S/3.93

S/3.65

Envase tipo carrete

S/3.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

33 A

9.7 mOhms

20 V

1.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK33S10N1Z,LXHQ
Toshiba
1: S/8.17
1,835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK33S10N1Z,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK33S10N1Z,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

1,835En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/3.97

S/3.52

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

33 A

9.7 mOhms

20 V

4 V

28 nC

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN6R706NC,L1XHQ
Toshiba
1: S/6.54
4,856En existencias
5,000Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPN6R706NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN6R706NC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

4,856En existencias

5,000Se espera el 16/10/2026

Cinta cortada

S/6.54

S/3.10

S/2.76

S/2.17

Ver

Envase tipo carrete

S/1.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

6.7 mOhms

20 V

2.5 V

35 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1: S/9.07
1,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK15S04N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK15S04N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

1,682En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/4.40

S/3.97

S/3.14

Envase tipo carrete

S/2.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

15 A

13.7 mOhms

20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPH3R114MC,L1XHQ
Toshiba
1: S/9.85
23,524En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPH3R114MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH3R114MC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

23,524En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/4.83

S/4.32

S/3.44

Ver

Envase tipo carrete

S/2.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3.1 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

230 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/9.11
5,373En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ60S06M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

5,373En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/4.44

S/3.97

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

60 A

11.2 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

156 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ90S04M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/10.04
3,739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ90S04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ90S04M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

3,739En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/5.06

S/4.40

S/3.61

Envase tipo carrete

S/3.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

172 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK100S04N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/9.38
4,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK100S04N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK100S04N1L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Obtenga más información

Hoja de datos

4,390En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/4.59

S/4.13

S/3.27

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

20 V

2.5 V

76 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK55S10N1,LXHQ
Toshiba
1: S/9.26
4,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK55S10N1,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK55S10N1,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Obtenga más información

Hoja de datos

4,000En existencias

Cinta cortada

S/9.26

S/5.96

S/4.05

S/3.21

Envase tipo carrete

S/2.73

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

55 A

6.5 mOhms

20 V

4 V

49 nC

+ 175 C

157 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPH1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1: S/9.46
2,964En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R104PB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R104PB,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

2,964En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.16

S/3.50

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Envase tipo carrete

S/2.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.14 mOhms

20 V

3 V

55 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPWR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1: S/12.26
2,944En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR7904PB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR7904PB,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

2,944En existencias

Cinta cortada

S/12.26

S/7.94

S/5.49

S/4.55

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Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DSOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

790 uOhms

20 V

3 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPH4R714MC,L1XHQ
Toshiba
1: S/7.63
3,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPH4R714MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH4R714MC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

3,783En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/4.94

S/3.39

S/2.77

Ver

Envase tipo carrete

S/2.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

4.7 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
1: S/6.66
4,594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPN3R804NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN3R804NC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

4,594En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/3.16

S/2.81

S/2.21

Ver

Envase tipo carrete

S/1.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

3.8 mOhms

20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

7 A
8 A
10 A
11 A
15 A
20 A
25 A
30 A
33 A
40 A
45 A
50 A
55 A
60 A
65 A
80 A
90 A
100 A
120 A
150 A

790 uOhms
900 uOhms
1.14 mOhms
1.35 mOhms
1.5 mOhms
1.8 mOhms
2.3 mOhms
3.1 mOhms
3.3 mOhms
3.8 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
6.5 mOhms
6.7 mOhms
7.1 mOhms
9.1 mOhms
9.6 mOhms
9.7 mOhms

7.1 nC
10 nC
15 nC
19 nC
21 nC
23 nC
26 nC
28 nC
33 nC
35 nC
36 nC
37 nC
39 nC
49 nC
52 nC
55 nC
64 nC
76 nC
80 nC
81 nC