Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 64

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET TQM076NH04DCR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/10.08 2,496En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM076NH04DCR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM076NH04DCRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	2,496En existencias	Cinta cortada S/10.08 S/4.94 S/4.44 S/3.54 Envase tipo carrete S/3.19 Ver S/3.38 S/3.08 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	7.6 mOhms	20 V	3.6 V	13.6 nC	- 55 C	+ 175 C	55.6 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET TQM025NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/12.30 4,960En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM025NH04LCR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM025NH04LCRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	4,960En existencias	Cinta cortada S/12.30 S/6.11 S/5.53 S/4.48 S/4.36 Envase tipo carrete S/4.01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	2.5 mOhms	16 V	1.9 V	63.3 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	AEC-Q101	PerFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET TQM043NH04CR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/9.58 2,463En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM043NH04CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM043NH04CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	2,463En existencias	Cinta cortada S/9.58 S/4.67 S/4.20 S/3.35 S/3.16 Envase tipo carrete S/2.83 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	113 A	4.3 mOhms	20 V	3.6 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET TQM300NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/7.51 4,630En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM300NB06DCR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM300NB06DCRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	4,630En existencias	Cinta cortada S/7.51 S/4.36 S/3.06 S/2.63 Envase tipo carrete S/2.17 Ver S/2.38 S/2.10 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	2 Channel	60 V	6 A	30 mOhms	20 V	3.8 V	20 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET TQM025NH04CR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/12.30 4,980En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM025NH04CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM025NH04CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqm0xnh04cr power mosfets	Hoja de datos	4,980En existencias	Cinta cortada S/12.30 S/6.11 S/5.53 S/4.48 S/4.28 Envase tipo carrete S/3.97 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	174 A	2.5 mOhms	20 V	3.6 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	AEC-Q101	PerFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET TQM110NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/10.35 5,202En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM110NB04DCR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM110NB04DCRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	5,202En existencias	Cinta cortada S/10.35 S/6.31 S/4.55 S/3.84 Envase tipo carrete S/3.21 Ver S/3.40 S/3.04 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	2 Channel	40 V	10 A	11 mOhms	20 V	3.8 V	26 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET TQM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/8.02 4,915En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM250NB06DCR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM250NB06DCRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	4,915En existencias	Cinta cortada S/8.02 S/3.97 S/3.36 S/2.81 Envase tipo carrete S/2.41 Ver S/2.63 S/2.37 S/2.32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	2 Channel	60 V	6 A	25 mOhms	20 V	3.8 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET TQM019NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/15.92 4,992En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM019NH04LCR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM019NH04LCRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	4,992En existencias	Cinta cortada S/15.92 S/9.26 S/7.43 S/6.19 S/5.96 Envase tipo carrete S/5.53 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	1.9 mOhms	16 V	2.2 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET TQM032NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/10.39 3,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM032NH04LCR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM032NH04LCRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi 40v n channel power mosfets	Hoja de datos	3,000En existencias	Cinta cortada S/10.39 S/5.10 S/4.59 S/3.67 S/3.53 Envase tipo carrete S/3.16 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	81 A	3.2 mOhms	16 V	2.2 V	23.7 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement	AEC-Q101	PerFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET TQM070NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/7.28 4,905En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM070NH04LCR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM070NH04LCRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi 40v n channel power mosfets	Hoja de datos	4,905En existencias	Cinta cortada S/7.28 S/3.48 S/3.10 S/2.45 Envase tipo carrete S/2.01 Ver S/2.29 S/1.94 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	54 A	7 mOhms	16 V	2.2 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	46.8 W	Enhancement	AEC-Q101	PerFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET TQM056NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/8.33 1,570En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM056NH04LCR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM056NH04LCRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi 40v n channel power mosfets	Hoja de datos	1,570En existencias	Cinta cortada S/8.33 S/4.01 S/3.58 S/2.85 S/2.63 Envase tipo carrete S/2.33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	54 A	5.6 mOhms	16 V	2.2 V	14.2 nC	- 55 C	+ 175 C	78.9 W	Enhancement	AEC-Q101	PerFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET TQM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/6.38 7,210En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM150NB04CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM150NB04CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmxnb04cr tqmxnb06cr mosfets	Hoja de datos	7,210En existencias	Cinta cortada S/6.38 S/3.01 S/2.69 S/2.11 Envase tipo carrete S/1.72 Ver S/2.03 S/1.63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	41 A	15 mOhms	20 V	3.8 V	20 nC	- 55 C	+ 175 C	56 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET TQM130NB06CR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/7.71 3,787En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM130NB06CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM130NB06CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	3,787En existencias	Cinta cortada S/7.71 S/3.69 S/3.18 S/2.67 Envase tipo carrete S/2.24 Ver S/2.15 S/2.13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	60 V	10 A	13 Ohms	20 V	3.8 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	3.1 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET TQM300NB06CR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/6.11 4,196En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM300NB06CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM300NB06CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	4,196En existencias	Cinta cortada S/6.11 S/2.88 S/2.56 S/2.00 Envase tipo carrete S/1.72 Ver S/1.93 S/1.54 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	60 V	6 A	30 mOhms	20 V	3.8 V	20 nC	- 55 C	+ 175 C	3.1 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET TQM070NB04CR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/6.93 5,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM070NB04CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM070NB04CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	5,000En existencias	Cinta cortada S/6.93 S/3.34 S/2.84 S/2.35 Envase tipo carrete S/1.92 Ver S/2.18 S/1.87 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	15 A	7 mOhms	20 V	3.8 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	3.1 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET TQM025NB04CR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/11.99 4,700En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM025NB04CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM025NB04CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	4,700En existencias	Cinta cortada S/11.99 S/7.28 S/5.29 S/4.71 S/4.44 Envase tipo carrete S/4.20 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	24 A	2.5 mOhms	20 V	3.8 V	118 nC	- 55 C	+ 175 C	3.1 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET TQM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/8.91 3,901En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM033NB04CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM033NB04CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmxnb04cr tqmxnb06cr mosfets	Hoja de datos	3,901En existencias	Cinta cortada S/8.91 S/4.48 S/3.86 S/3.18 Envase tipo carrete S/2.67 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	121 A	3.3 mOhms	20 V	3.8 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET TQM110NB04CR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/7.63 4,924En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM110NB04CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM110NB04CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	4,924En existencias	Cinta cortada S/7.63 S/3.66 S/3.15 S/2.58 Envase tipo carrete S/2.14 Ver S/2.45 S/2.10 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	12 A	11 mOhms	20 V	3.8 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	3.1 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET TQM019NH04CR-V RLG Taiwan Semiconductor 1: S/32.89 5,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM019NH04CR-V RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM019NH04CRVRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	5,000En existencias	Cinta cortada S/32.89 S/21.99 S/17.71 S/15.73 S/14.87 Envase tipo carrete S/13.90 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	1.9 mOhms	20 V	3 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	AEC-Q101	PerFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 4.8V TQM048NH10LCR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/15.49 1,765En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TQM048NH10LCR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM048NH10LCRRLG Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 4.8V Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	1,765En existencias	Cinta cortada S/15.49 S/7.86 S/7.12 S/5.88 Envase tipo carrete S/5.53 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DFN56U-8	N-Channel	1 Channel	100 V	146 A	4.8 mOhms	20 V	2.2 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	224 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 7.5V TQM075NH10LCR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/12.18 2,415En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TQM075NH10LCR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM075NH10LCRRLG Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 7.5V Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	2,415En existencias	Cinta cortada S/12.18 S/6.07 S/5.45 S/4.40 S/4.32 Envase tipo carrete S/3.97 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DFN56U-8	N-Channel	1 Channel	100 V	113 A	7.5 mOhms	20 V	2.2 V	18 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 52A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TQM145NH08CR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/8.29 5,000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TQM145NH08CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM145NH08CRRLG Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 52A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	5,000En existencias	Cinta cortada S/8.29 S/4.01 S/3.58 S/2.85 S/2.72 Envase tipo carrete S/2.36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	80 V	52 A	14.5 mOhms	20 V	3.6 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	82 W	Enhancement	AEC-Q101	PerFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 34A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TQM240NH10CR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/7.20 4,975En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TQM240NH10CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM240NH10CRRLG Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 34A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	4,975En existencias	Cinta cortada S/7.20 S/3.44 S/3.07 S/2.42 Envase tipo carrete S/1.99 Ver S/2.33 S/1.94 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	100 V	34 A	24 mOhms	20 V	3.6 V	6 nC	- 55 C	+ 175 C	63 W	Enhancement	AEC-Q101	PerFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 25V TQM250NH10LDCR RLG Taiwan Semiconductor 1: S/10.16 2,500En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TQM250NH10LDCR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM250NH10LDCRLG Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 25V Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	2,500En existencias	Cinta cortada S/10.16 S/4.98 S/4.48 S/3.58 S/3.50 Envase tipo carrete S/3.12 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DFN56U-8	N-Channel	1 Channel	100 V	31 A	25 mOhms	20 V	2.2 V	5.5 nC	- 55 C	+ 175 C	54 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TQM2N7002CU RFG Taiwan Semiconductor 1: S/1.09 17,666En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TQM2N7002CU RFG N.º de artículo de Mouser 821-TQM2N7002CURFG Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	17,666En existencias	Cinta cortada S/1.09 S/0.483 S/0.42 S/0.311 Envase tipo carrete S/0.269 Ver S/0.257 S/0.226 S/0.179 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-323	N-Channel	1 Channel	60 V	310 mA	3 Ohms	20 V	2.5 V	1.7 nC	- 55 C	+ 150 C	568 mW	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel