Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

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Resultados: 47

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V

DMN10H100SK3-13
Diodes Incorporated
1: S/5.33
2,399En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN10H100SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H100SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V

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Hoja de datos

2,399En existencias

Cinta cortada

S/5.33

S/3.08

S/2.15

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.38

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

18 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

25.2 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

DMN53D0L-7
Diodes Incorporated
1: S/1.17
394,423En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0L-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0L-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

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Hoja de datos

394,423En existencias

Cinta cortada

S/1.17

S/0.708

S/0.444

S/0.327

S/0.288

Envase tipo carrete

S/0.237

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V

DMN3730UFB-7
Diodes Incorporated
1: S/3.54
11,861En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3730UFB-7

N.º de artículo de Mouser
522-DMN3730UFB-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V

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Hoja de datos

11,861En existencias

Cinta cortada

S/3.54

S/2.29

S/1.48

S/1.08

Envase tipo carrete

S/1.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 630

: 3,000

SMD/SMT

X1-DFN1006-3

N-Channel

1 Channel

30 V

730 mA

460 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

690 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A

DMN4034SSD-13
Diodes Incorporated
1: S/6.85
4,636En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN4034SSD-13

N.º de artículo de Mouser
522-DMN4034SSD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A

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Hoja de datos

4,636En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.36

S/2.90

S/2.28

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

40 V

4.8 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

4.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R 4K

DMN6068SE-13
Diodes Incorporated
1: S/2.88
40,381En existencias
32,000Se espera el 5/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN6068SE-13

N.º de artículo de Mouser
522-DMN6068SE-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R 4K

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Hoja de datos

40,381En existencias

32,000Se espera el 5/03/2027

Cinta cortada

S/2.88

S/1.79

S/1.15

S/0.876

S/0.786

Envase tipo carrete

S/0.786

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,320

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

60 V

5.6 A

68 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

10.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET

DMN1019UVT-7
Diodes Incorporated
1: S/2.80
33,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN1019UVT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN1019UVT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET

Hoja de datos

33,190En existencias

Cinta cortada

S/2.80

S/1.72

S/1.33

S/1.01

S/0.903

Envase tipo carrete

S/0.903

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,130

: 3,000

SMD/SMT

TSOT-26-6

N-Channel

1 Channel

12 V

10.7 A

10 mOhms

- 8 V, 8 V

350 mV

50.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW

DMN2230UQ-7
Diodes Incorporated
1: S/2.53
13,055En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2230UQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2230UQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW

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Hoja de datos

13,055En existencias

Cinta cortada

S/2.53

S/1.56

S/1.00

S/0.755

Envase tipo carrete

S/0.755

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 630

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2 A

110 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

2.3 nC

- 55 C

+ 150 C

600 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF

DMN6075S-7
Diodes Incorporated
1: S/2.02
52,420En existencias
267,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN6075S-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN6075S-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF

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Hoja de datos

52,420En existencias

267,000En pedido

Cinta cortada

S/2.02

S/1.23

S/0.779

S/0.58

S/0.514

Envase tipo carrete

S/0.514

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,460

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2.5 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V SO-8 T&R 2.5K

DMN2028USS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.01
1,286En existencias
2,500Se espera el 26/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN2028USS-13

N.º de artículo de Mouser
522-DMN2028USS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V SO-8 T&R 2.5K

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Hoja de datos

1,286En existencias

2,500Se espera el 26/02/2027

Cinta cortada

S/4.01

S/2.50

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

20 V

9.8 A

20 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A

DMN2300UFB4-7B
Diodes Incorporated
1: S/1.83
7,228En existencias
80,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN2300UFB4-7B

N.º de artículo de Mouser
522-DMN2300UFB4-7B

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A

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Hoja de datos

7,228En existencias

80,000En pedido

Cinta cortada

S/1.83

S/1.13

S/0.708

S/0.525

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.416

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,630

: 10,000

SMD/SMT

X2-DFN1006-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.3 A

175 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS

DMN2300UFL4-7
Diodes Incorporated
1: S/2.65
3,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2300UFL4-7

N.º de artículo de Mouser
522-DMN2300UFL4-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS

Obtenga más información

Hoja de datos

3,510En existencias

Cinta cortada

S/2.65

S/1.64

S/1.05

S/0.798

Envase tipo carrete

S/0.607

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

X2-DFN1310-6

N-Channel

2 Channel

20 V

2.11 A

195 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

530 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A

DMN4027SSD-13
Diodes Incorporated
1: S/6.70
153En existencias
7,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN4027SSD-13

N.º de artículo de Mouser
522-DMN4027SSD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A

Obtenga más información

Hoja de datos

153En existencias

7,500En pedido

Cinta cortada

S/6.70

S/4.16

S/2.74

S/2.15

S/1.89

Envase tipo carrete

S/1.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

40 V

5.4 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

6.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A

DMN4034SSS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.18
4,233En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN4034SSS-13

N.º de artículo de Mouser
522-DMN4034SSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A

Obtenga más información

Hoja de datos

4,233En existencias

Cinta cortada

S/5.18

S/3.25

S/2.14

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.35

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

5.4 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

4.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss

DMN1045UFR4-7
Diodes Incorporated
1: S/2.34
8,043En existencias
6,000Se espera el 16/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN1045UFR4-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN1045UFR4-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss

Hoja de datos

8,043En existencias

6,000Se espera el 16/07/2027

Cinta cortada

S/2.34

S/1.44

S/0.915

S/0.685

S/0.572

Envase tipo carrete

S/0.506

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

X2-DFN1010-3

N-Channel

1 Channel

12 V

3.2 A

25 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

DMN10H220LVT-7
Diodes Incorporated
1: S/4.20
405En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN10H220LVT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H220LVT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

Obtenga más información

Hoja de datos

405En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.61

S/1.69

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.833

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOT-26-6

N-Channel

1 Channel

100 V

2.24 A

250 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.67 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

DMN13H750S-7
Diodes Incorporated
1: S/3.93
1,176En existencias
9,000Se espera el 19/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN13H750S-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN13H750S-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

Hoja de datos

1,176En existencias

9,000Se espera el 19/05/2027

Cinta cortada

S/3.93

S/2.65

S/1.67

S/1.20

S/1.09

Envase tipo carrete

S/1.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,020

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

130 V

1 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A

DMN15H310SE-13
Diodes Incorporated
1: S/7.24
263En existencias
2,500Se espera el 31/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN15H310SE-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN15H310SE-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A

Hoja de datos

263En existencias

2,500Se espera el 31/03/2027

Cinta cortada

S/7.24

S/4.63

S/3.09

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

150 V

2 A

178 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A

DMN3008SFG-7
Diodes Incorporated
1: S/4.44
2,263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3008SFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3008SFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,263En existencias

Cinta cortada

S/4.44

S/2.53

S/1.73

S/1.39

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

17.6 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

PowerDI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF

DMN3016LDN-7
Diodes Incorporated
1: S/3.93
15En existencias
3,000Se espera el 25/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN3016LDN-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3016LDN-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF

Obtenga más información

Hoja de datos

15En existencias

3,000Se espera el 25/12/2026

Cinta cortada

S/3.93

S/2.65

S/1.67

S/1.20

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.837

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

V-DFN3030-8

N-Channel

2 Channel

30 V

7.3 A

24 mOhms, 24 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

25.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF

DMN3035LWN-7
Diodes Incorporated
1: S/3.23
2,830En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3035LWN-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3035LWN-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF

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2,830En existencias

Cinta cortada

S/3.23

S/2.00

S/1.29

S/0.985

Envase tipo carrete

S/0.872

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

V-DFN3020-8

N-Channel

2 Channel

30 V

5.5 A

45 mOhms, 45 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

9.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF

DMN3053L-7
Diodes Incorporated
1: S/2.92
326En existencias
6,000Se espera el 24/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN3053L-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3053L-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF

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Cinta cortada

S/2.92

S/1.93

S/1.23

S/0.767

Envase tipo carrete

S/0.767

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 740

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

17.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET

DMN30H4D0LFDE-7
Diodes Incorporated
1: S/4.05
10En existencias
17,772En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN30H4D0LFDE-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN30H4D0LFDE-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET

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Cinta cortada

S/4.05

S/2.51

S/1.48

S/1.14

Envase tipo carrete

S/1.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 860

: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

300 V

550 mA

2.3 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

7.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.98 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF

DMN4026SK3-13
Diodes Incorporated
1: S/4.20
281En existencias
2,500Se espera el 19/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN4026SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN4026SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF

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Cinta cortada

S/4.20

S/2.61

S/1.71

S/1.33

Envase tipo carrete

S/1.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

28 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

9.6 nC

- 55 C

+ 150 C

3.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

DMN53D0L-13
Diodes Incorporated
1: S/1.36
76En existencias
10,000Se espera el 15/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0L-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0L-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

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76En existencias

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Cinta cortada

S/1.36

S/0.852

S/0.529

S/0.378

S/0.331

Envase tipo carrete

S/0.331

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,880

: 10,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

420 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

DMN53D0LDW-13
Diodes Incorporated
1: S/1.28
2,690En existencias
10,000Se espera el 17/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LDW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LDW-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

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2,690En existencias

10,000Se espera el 17/03/2027

Cinta cortada

S/1.28

S/0.786

S/0.592

S/0.436

S/0.381

Envase tipo carrete

S/0.381

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,620

: 10,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

50 V

360 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

310 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

DMNxx MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

200 mA
300 mA
360 mA
470 mA
480 mA
500 mA
550 mA
630 mA
730 mA
1 A
1.3 A
2 A
2.11 A
2.24 A
2.5 A
3.2 A
3.3 A
3.6 A
3.7 A
4 A

4.6 mOhms
10 mOhms
13 mOhms
20 mOhms
24 mOhms, 24 mOhms
25 mOhms
27 mOhms
34 mOhms
45 mOhms
45 mOhms, 45 mOhms
48 mOhms
68 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
175 mOhms
178 mOhms
195 mOhms
250 mOhms

600 pC
740 pC
870 pC
1.2 nC
1.6 nC
2.3 nC
4.8 nC
4.9 nC
5.4 nC
5.6 nC
6.3 nC
6.6 nC
7.6 nC
8.3 nC
8.7 nC
9.6 nC
9.9 nC
10 nC
10.3 nC
11.6 nC

310 mW
360 mW
400 mW
420 mW
500 mW
520 mW
530 mW
540 mW
600 mW
610 mW
690 mW
1.09 W
1.15 W
1.2 W
1.25 W
1.26 W
1.56 W
1.6 W
1.67 W
1.73 W