Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

Tipos de Transistores

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Resultados: 101
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SSM PLN TRANSISTOR, Pd=100mW, F=80MHz
255,057En existencias
Cinta cortada
S/0.779
S/0.487
S/0.304
S/0.222
Envase tipo carrete
S/0.14
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-75-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor for Low Freq. Amplification 145,453En existencias
Cinta cortada
S/1.05
S/0.65
S/0.409
S/0.30
S/0.234
Envase tipo carrete
S/0.163
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: 10,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT CST-3 PNP
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 5A 3,035En existencias
S/23.08
S/12.11
S/11.25
S/9.54
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-N-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V
96,437En existencias
Cinta cortada
S/0.701
S/0.42
S/0.261
S/0.191
Envase tipo carrete
S/0.105
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A 5,949En existencias
Cinta cortada
S/2.18
S/1.49
S/0.942
S/0.592
Envase tipo carrete
S/0.444
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SM-6 NPN, PNP
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6 2,970En existencias
Cinta cortada
S/3.74
S/2.58
S/1.64
S/1.01
Envase tipo carrete
S/0.646
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A 7,924En existencias
Cinta cortada
S/2.41
S/1.48
S/0.946
S/0.712
Envase tipo carrete
S/0.541
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-25-5 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) USV PLN TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz 2,812En existencias
Cinta cortada
S/1.40
S/0.958
S/0.607
S/0.381
Envase tipo carrete
S/0.292
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) TRANS-SS NPN SOT323 50V 6,264En existencias
Cinta cortada
S/1.13
S/0.689
S/0.428
S/0.323
Envase tipo carrete
S/0.245
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz 5,759En existencias
Cinta cortada
S/1.28
S/1.07
S/0.911
S/0.572
Envase tipo carrete
S/0.292
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A 4,366En existencias
Cinta cortada
S/1.79
S/1.51
S/1.41
S/0.887
Envase tipo carrete
S/0.381
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-26-6 PNP
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor for Small Signal Amp
14,018En existencias
Cinta cortada
S/1.28
S/0.782
S/0.487
S/0.389
Envase tipo carrete
S/0.249
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: 4,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz 8,292En existencias
Cinta cortada
S/1.40
S/0.899
S/0.561
S/0.381
Envase tipo carrete
S/0.292
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans 457En existencias
Cinta cortada
S/1.40
S/0.81
S/0.494
S/0.354
Envase tipo carrete
S/0.269
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-416-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Gen Trans NPN NPN 50V, 0.15A, SMV 245En existencias
3,000Se espera el 27/11/2026
Cinta cortada
S/1.79
S/1.51
S/1.41
S/0.681
Envase tipo carrete
S/0.319
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMV-5 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA 659En existencias
Cinta cortada
S/1.01
S/0.588
S/0.362
S/0.261
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S/0.195
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans 13,322En existencias
Cinta cortada
S/1.40
S/0.81
S/0.494
S/0.354
Envase tipo carrete
S/0.269
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) TRANS-SS NPN 3SMD 50V
10,609En existencias
Cinta cortada
S/2.49
S/1.53
S/0.981
S/0.743
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S/0.564
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCE 0.4V IC 3A Tstg 1.0 VCEO 80V 1,020En existencias
2,000Se espera el 15/02/2027
Cinta cortada
S/8.99
S/5.64
S/3.71
S/2.94
Envase tipo carrete
S/2.29
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: 2,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3 NPN

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
86,481En existencias
Cinta cortada
S/0.817
S/0.51
S/0.315
S/0.23
Envase tipo carrete
S/0.163
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
80,853En existencias
141,000Se espera el 28/09/2026
Cinta cortada
S/1.05
S/0.65
S/0.409
S/0.389
Envase tipo carrete
S/0.218
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 PNP
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2,176En existencias
3,600Se espera el 5/10/2026
S/15.53
S/7.86
S/6.23
S/5.80
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 PNP
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor Lo Freq 0.15A 50V
63,538En existencias
Cinta cortada
S/0.779
S/0.588
S/0.362
S/0.261
Envase tipo carrete
S/0.195
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Epitaxial Transistor 98,186En existencias
Cinta cortada
S/1.05
S/0.631
S/0.393
S/0.288
Envase tipo carrete
S/0.21
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-346-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min 4,694En existencias
Cinta cortada
S/5.92
S/3.73
S/2.48
S/2.36
Envase tipo carrete
S/1.62
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3 NPN