Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ CE Power MOSFETs are a technology platform of high voltage power MOSFETs that are designed according to the super junction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. CoolMOS™ CE portfolio offers 500V, 600V, 650V, 700V, and 800V devices targeting low power chargers for mobile devices and power tools, adapters for notebook and laptops, LCD, LED TV and LED lighting. This new series of CoolMOS™ is cost-optimized to meet typical requirements in consumers with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still being price attractive.

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Resultados: 99

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R140CP
Infineon Technologies
1: S/21.37
1,423En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R140CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R140CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

1,423En existencias

Cinta cortada

S/21.37

S/14.01

S/10.43

S/8.76

Envase tipo carrete

S/8.10

S/7.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

23 A

130 mOhms

20 V

2.5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R800CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
6,662En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R800CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R800CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

6,662En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/2.75

S/2.14

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.14

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8.4 A

800 mOhms

20 V

3 V

17.2 nC

- 40 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R099CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.48
994En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

994En existencias

Cinta cortada

S/27.48

S/17.13

S/15.73

S/15.03

Envase tipo carrete

S/14.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

20 V

2.5 V

80 nC

- 40 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.34
8,652En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K8CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K8CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

8,652En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/3.01

S/2.68

S/2.30

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.80
3,972En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R400CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R400CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

3,972En existencias

Cinta cortada

S/5.80

S/3.16

S/2.64

S/2.13

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

14.7 A

400 mOhms

20 V

3 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

112 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA50R140CP
Infineon Technologies
1: S/20.09
565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R140CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R140CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

565En existencias

S/20.09

S/11.87

S/9.26

S/7.98

S/7.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

23 A

130 mOhms

20 V

3.5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R199CP
Infineon Technologies
1: S/18.88
891En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R199CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R199CP

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP

Hoja de datos

891En existencias

Cinta cortada

S/18.88

S/12.38

S/9.23

S/7.75

Envase tipo carrete

S/7.12

S/6.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

180 mOhms

20 V

2.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R199CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.85
1,957En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R199CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R199CPATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP

Hoja de datos

1,957En existencias

Cinta cortada

S/16.85

S/11.13

S/7.86

S/7.24

Envase tipo carrete

S/6.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

180 mOhms

20 V

2.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD65R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.31
1,568En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

1,568En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/2.97

S/2.64

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.62

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

10.1 A

650 mOhms

20 V

2.5 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2

IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
1,923En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R399CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R399CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2

Hoja de datos

1,923En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/4.36

S/3.93

S/3.11

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

9 A

399 mOhms

30 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R075CP
Infineon Technologies
1: S/45.08
239En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R075CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R075CP

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

Hoja de datos

239En existencias

S/45.08

S/31.88

S/26.55

S/23.63

S/22.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

68 mOhms

20 V

2.5 V

116 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

IPD80R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.45
2,080En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K0CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

2,080En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/4.20

S/2.80

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

950 mOhms

20 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.78
4,487En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R950CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R950CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

4,487En existencias

Cinta cortada

S/3.78

S/1.74

S/1.54

S/1.18

Envase tipo carrete

S/0.895

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

6.6 A

2.25 Ohms

20 V

3 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.11
15,656En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R199CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R199CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

Hoja de datos

15,656En existencias

Cinta cortada

S/16.11

S/10.51

S/7.67

S/6.42

Envase tipo carrete

S/6.11

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

17 A

180 mOhms

20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.61
19,999En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R500CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R500CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

19,999En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/3.53

S/2.34

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

500 mOhms

20 V

3 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R045CPFKSA1
Infineon Technologies
1: S/67.65
3,861En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045CPFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CPFKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

3,861En existencias

S/67.65

S/39.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

60 A

40 mOhms

20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

431 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R099CP
Infineon Technologies
1: S/36.12
429En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

429En existencias

S/36.12

S/25.42

S/20.59

S/16.74

S/16.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

20 V

2.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/11.64
2,500En existencias
2,000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R190CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

2,500En existencias

2,000Se espera el 15/10/2026

S/11.64

S/5.92

S/5.18

S/4.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

450 mOhms

20 V

3 V

47.2 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
12,638En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R280CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

12,638En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/3.85

S/3.44

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

20 V

3 V

32.6 nC

- 55 C

+ 150 C

119 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP

IPL60R385CP
Infineon Technologies
1: S/13.58
1,481En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R385CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R385CP

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP

Hoja de datos

1,481En existencias

Cinta cortada

S/13.58

S/11.76

S/8.10

S/6.77

S/6.27

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

385 mOhms

20 V

3.5 V

17 nC

- 40 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/5.22
1,501En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

1,501En existencias

S/5.22

S/2.43

S/2.16

S/1.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

720 mOhms

20 V

2.5 V

12.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/5.10
996En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R950CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R950CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

996En existencias

S/5.10

S/2.38

S/2.11

S/1.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

550 V

6.6 A

2.22 Ohms

20 V

3 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

25.7 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA60R199CP
Infineon Technologies
1: S/17.98
199En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R199CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R199CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

199En existencias

S/17.98

S/9.23

S/8.41

S/6.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

199 mOhms

20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/10.20
648En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K0CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K0CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

648En existencias

S/10.20

S/5.84

S/4.48

S/3.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

2.19 Ohms

20 V

3 V

31 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2

IPD60R385CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.91
5,248En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R385CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R385CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2

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5,248En existencias

Cinta cortada

S/11.91

S/5.92

S/5.33

S/4.32

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

350 mOhms

20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.9 A
2.4 A
2.6 A
3.1 A
3.6 A
3.7 A
3.9 A
5 A
5.7 A
6.6 A
6.8 A
7 A
7.2 A
7.6 A
8.4 A
9 A
9.9 A
10.1 A
10.8 A
11 A

40 mOhms
68 mOhms
90 mOhms
110 mOhms
125 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
150 mOhms
165 mOhms
170 mOhms
180 mOhms
190 mOhms
199 mOhms
220 mOhms
250 mOhms
270 mOhms
280 mOhms
340 mOhms
350 mOhms
385 mOhms

4.6 nC
6 nC
6.7 nC
8.2 nC
9 nC
9.4 nC
10.5 nC
11 nC
12 nC
12.4 nC
13 nC
15.3 nC
17 nC
17.2 nC
18.7 nC
20.5 nC
22 nC
23 nC
24.8 nC
27 nC

5 W
25.7 W
26 W
26.4 W
28 W
29 W
29.2 W
30.4 W
31 W
32 W
33 W
34 W
35 W
38 W
42 W
49 W
53 W
57 W
61 W
63 W