Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 67 mOhm
FCPF067N65S3
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512-FCPF067N65S3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 67 mOhm
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Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 8A 650V
FFSP0865A
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Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 8A 650V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
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FCH023N65S3L4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
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Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 10A 650V
FFSP1065A
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Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 10A 650V
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Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
NCD5701ADR2G
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863-NCD5701ADR2G
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Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
4,850 En existencias
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S/7.82
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Optoacopladores de salida MOSFET Input LED drive 2.5A gate driver
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FOD8332
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FOD8332
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Optoacopladores de salida MOSFET Input LED drive 2.5A gate driver
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S/27.52
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Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
NCD5701BDR2G
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Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
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NTHL082N65S3F
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863-NTHL082N65S3F
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
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S/49.43
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S/27.36
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Amplificadores de detección de corriente Currnet Sense Amp 26V G=100
NCS214RMUTAG
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863-NCS214RMUTAG
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Amplificadores de detección de corriente Currnet Sense Amp 26V G=100
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S/3.11
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Optoacopladores de salida lógica 3.3V/5V, 10Mbit/sec Logic gate SOP 5
FOD8160
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Optoacopladores de salida lógica 3.3V/5V, 10Mbit/sec Logic gate SOP 5
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Embalaje alternativo
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S/17.63
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Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
NCD5701CDR2G
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863-NCD5701CDR2G
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Controladores de puertas HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
2,097 En existencias
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S/5.41
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 82MOHM
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NTP082N65S3F
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863-NTP082N65S3F
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S/40.64
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S/20.36
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET
FDMC86260
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512-FDMC86260
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET
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S/14.71
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
FDMS86101DC
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6,000 Se espera el 4/09/2026
N.º de artículo de Mouser
512-FDMS86101DC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
7,296 En existencias
6,000 Se espera el 4/09/2026
1
S/24.09
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S/15.76
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S/11.60
500
S/10.32
3,000
S/10.32
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Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 20A 650V
FFSP2065A
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S/29.08
1,177 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-FFSP2065A
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Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 20A 650V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 70mOhm
FCB070N65S3
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S/34.72
845 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FCB070N65S3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 70mOhm
845 En existencias
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S/34.72
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S/24.44
800
S/24.44
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
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FCP067N65S3
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S/35.30
1,542 En existencias
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512-FCP067N65S3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
1,542 En existencias
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S/35.30
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S/24.83
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S/20.09
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET
FDMC2523P
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N.º de artículo de Mouser
512-FDMC2523P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET
4,593 En existencias
1
S/10.24
10
S/6.58
100
S/4.48
3,000
S/4.48
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET
FDMS86200DC
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S/25.30
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3,000 Se espera el 16/10/2026
N.º de artículo de Mouser
512-FDMS86200DC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET
1,574 En existencias
3,000 Se espera el 16/10/2026
1
S/25.30
10
S/16.58
100
S/12.22
500
S/10.86
3,000
S/10.86
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO
FDMT800100DC
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1:
S/42.08
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512-FDMT800100DC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO
1,690 En existencias
1
S/42.08
10
S/29.74
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S/24.80
500
S/22.07
1,000
S/20.67
3,000
S/20.67
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3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
FDMT800120DC
onsemi
1:
S/36.59
1,627 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDMT800120DC
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
1,627 En existencias
1
S/36.59
10
S/25.77
100
S/20.82
500
S/18.53
1,000
S/16.39
3,000
S/16.39
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Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 8A
FFSP08120A
onsemi
1:
S/29.51
515 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FFSP08120A
onsemi
Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 8A
515 En existencias
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IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
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FGH75T65SQD-F155
onsemi
1:
S/27.48
1,048 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FGH75T65SQD_F155
onsemi
IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
1,048 En existencias
1
S/27.48
10
S/15.80
120
S/13.20
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Máx.: 120
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Optoacopladores de alta velocidad 10MBit Optocoupler HS Logic Gate
HCPL0600
onsemi
1:
S/5.80
11,334 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-HCPL0600
onsemi
Optoacopladores de alta velocidad 10MBit Optocoupler HS Logic Gate
11,334 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.80
10
S/4.83
100
S/4.05
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Máx.: 150
Detalles
IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
+1 imagen
FGH75T65SQDT-F155
onsemi
1:
S/27.79
476 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-FGH75T65SQDTF155
onsemi
IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
476 En existencias
1
S/27.79
10
S/16.00
120
S/13.39
510
S/13.12
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