Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SUM & SUP ThunderFET / TrenchFET MOSFETs

Vishay SUM and SUP ThunderFET® / TrenchFET® MOSFETs feature N-channel polarity options to expand on the ThunderFET and TrenchFET IV series low- and mid-range V_DS voltage MOSFETs. The SUM and SUP series are offered in TO-220 and TO-263 packages with voltages of 60V_DS, 80V_DS, and 100V_Ds. Vishay SUM and SUP ThunderFET / TrenchFET MOSFETs have a maximum junction temperature of 175°C and are 100% R_g and UIS tested. Typical applications include power supplies, motor drive switches, DC/DC power inverters and converters, power tools, battery management, and more.

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Resultados: 27

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 110A 375W

SUM110P08-11L-E3
Vishay / Siliconix
1: S/22.97
65,414En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM110P08-11L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM110P08-11L-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 110A 375W

Hoja de datos

65,414En existencias

Cinta cortada

S/22.97

S/15.34

S/11.02

S/9.46

Envase tipo carrete

S/9.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

80 V

110 A

11.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-263-3

SUM50020E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.50
3,361En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM50020E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM50020E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-263-3

Hoja de datos

3,361En existencias

S/16.50

S/10.82

S/7.98

S/6.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220

SUP50020EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.85
1,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP50020EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP50020EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220

Obtenga más información

Hoja de datos

1,048En existencias

S/16.85

S/11.09

S/8.45

S/7.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-220AB

SUP50020E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.66
796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP50020E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP50020E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-220AB

Hoja de datos

796En existencias

S/16.66

S/10.86

S/8.10

S/6.77

S/5.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SUM1

SUM110P04-04L-E3
Vishay Semiconductors
1: S/23.43
508En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SUM110P04-04L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM110P04-04L-E3

NRND

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SUM1

Hoja de datos

508En existencias

Cinta cortada

S/23.43

S/15.65

S/11.25

S/9.54

Envase tipo carrete

S/9.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

235 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 90A 375W 19mohm @ 10V

SUM90P10-19L-E3
Vishay Semiconductors
1: S/20.71
11,358En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM90P10-19L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM90P10-19L-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 90A 375W 19mohm @ 10V

Hoja de datos

11,358En existencias

Cinta cortada

S/20.71

S/13.62

S/10.24

S/8.60

Envase tipo carrete

S/8.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

90 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

217 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 P-CH 80V 150A

SUM60061EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/36.04
4,482En existencias
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SUM60061EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM60061EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 P-CH 80V 150A

Hoja de datos

4,482En existencias

4,000En pedido

S/36.04

S/25.38

S/20.51

S/18.92

S/16.15

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

80 V

150 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

218 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80V (D-S) TrenchFET

SUM60030E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/21.18
1,009En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM60030E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM60030E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80V (D-S) TrenchFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,009En existencias

Cinta cortada

S/21.18

S/14.09

S/10.04

S/8.49

Envase tipo carrete

S/8.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-4

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

141 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 150A N-CH MOSFET

SUM70030M-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/22.30
1,630En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM70030M-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70030M-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 150A N-CH MOSFET

Hoja de datos

1,630En existencias

Cinta cortada

S/22.30

S/14.87

S/10.63

S/10.12

Envase tipo carrete

S/8.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

142.4 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 150A N-CH MOSFET

SUM70042E-GE3
Vishay
1: S/17.75
997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM70042E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70042E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 150A N-CH MOSFET

Hoja de datos

997En existencias

S/17.75

S/11.72

S/8.25

S/6.70

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

4 mOhms

- 10 V, 10 V

4 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs TO-263

SUM70101EL-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/21.41
3,118En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM70101EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70101EL-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs TO-263

Hoja de datos

3,118En existencias

Cinta cortada

S/21.41

S/14.25

S/10.20

S/8.49

Envase tipo carrete

S/8.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

120 A

10.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 150A N-CH MOSFET

SUP70042E-GE3
Vishay
1: S/17.87
1,281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP70042E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP70042E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 150A N-CH MOSFET

Hoja de datos

1,281En existencias

S/17.87

S/9.15

S/8.33

S/7.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-220AB

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

4 mOhms

- 10 V, 10 V

4 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V

SUM70042M-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/27.25
118En existencias
800Se espera el 21/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUM70042M-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70042M-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V

Hoja de datos

118En existencias

800Se espera el 21/08/2026

Cinta cortada

S/27.25

S/18.37

S/14.87

S/12.11

Envase tipo carrete

S/11.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.83 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L

SUM70040M-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.85
1,098En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM70040M-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70040M-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L

Obtenga más información

Hoja de datos

1,098En existencias

Cinta cortada

S/16.85

S/11.09

S/7.82

S/6.15

Envase tipo carrete

S/6.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 150A N-CH MOSFET

SUM90100E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/20.59
470En existencias
800Se espera el 31/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUM90100E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM90100E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 150A N-CH MOSFET

Hoja de datos

470En existencias

800Se espera el 31/07/2026

S/20.59

S/13.66

S/9.73

S/8.06

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

150 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 150A N-CH MOSFET

SUP90100E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.11
722En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP90100E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP90100E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 150A N-CH MOSFET

Hoja de datos

722En existencias

S/19.11

S/12.65

S/8.99

S/7.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

150 A

12.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 60A 150W

SUM60N10-17-E3
Vishay Semiconductors
1: S/20.40
740En existencias
1,600Se espera el 30/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUM60N10-17-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM60N10-17-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 60A 150W

Hoja de datos

740En existencias

1,600Se espera el 30/07/2026

Cinta cortada

S/20.40

S/12.22

S/9.85

S/8.06

Envase tipo carrete

S/7.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

SUM50020EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.28
5En existencias
1,600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SUM50020EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM50020EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

1,600En pedido

Cinta cortada

S/17.28

S/11.33

S/8.45

S/6.23

Envase tipo carrete

S/6.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TO-220

SUP60030E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/19.62
364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP60030E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP60030E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TO-220

Obtenga más información

Hoja de datos

364En existencias

S/19.62

S/10.16

S/9.23

S/7.59

S/7.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

141 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 110A 375W

SUM110N10-09-E3
Vishay / Siliconix
1: S/24.37
64En existencias
14,400En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SUM110N10-09-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM110N10-09-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 110A 375W

Hoja de datos

64En existencias

14,400En pedido

Cinta cortada

S/24.37

S/16.31

S/11.76

S/9.38

Envase tipo carrete

S/9.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 65A 375W 30mohm @ 10V

SUM65N20-30-E3
Vishay Semiconductors
1: S/26.08
51En existencias
7,200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SUM65N20-30-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM65N20-30-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 65A 375W 30mohm @ 10V

Hoja de datos

51En existencias

7,200En pedido

Cinta cortada

S/26.08

S/17.52

S/11.87

S/11.05

Envase tipo carrete

S/11.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

65 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 P-CH 80V 150A

SUP60061EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/23.51
9,985Se espera el 17/12/2027

N.º de artículo del Fabricante
SUP60061EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP60061EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 P-CH 80V 150A

Hoja de datos

9,985Se espera el 17/12/2027

S/23.51

S/15.26

S/11.21

S/9.96

S/8.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

P-Channel

1 Channel

80 V

150 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

218 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V 45A 375W 58mohm @ 10V

SUM45N25-58-E3
Vishay / Siliconix
1: S/26.55
3,200Se espera el 23/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUM45N25-58-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM45N25-58-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V 45A 375W 58mohm @ 10V

Hoja de datos

3,200Se espera el 23/11/2026

Cinta cortada

S/26.55

S/17.40

S/12.81

S/11.41

Envase tipo carrete

S/11.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

45 A

58 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 55A 125W

SUM55P06-19L-E3
Vishay / Siliconix
1: S/16.00
8,260En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SUM55P06-19L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM55P06-19L-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 55A 125W

Hoja de datos

8,260En pedido

Cinta cortada

S/16.00

S/10.04

S/7.32

S/5.41

Envase tipo carrete

S/5.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

55 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 50A 83W w/Sense Terminal

SUM50N03-13LC-E3
Vishay / Siliconix
800: S/4.40
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM50N03-13LC-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM50N03-13LC-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 50A 83W w/Sense Terminal

No en existencias

Envase tipo carrete

S/4.40

S/4.16

Min.: 800
Mult.: 800

: 800

SMD/SMT

TO-263-5

TrenchFET

Reel

SUM & SUP ThunderFET / TrenchFET MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.8 mOhms
3.2 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms
3.83 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
8.1 mOhms
8.6 mOhms
9.5 mOhms
10.1 mOhms
11.2 mOhms
12.4 mOhms
12.9 mOhms
16.5 mOhms
19 mOhms
30 mOhms