Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications. These modules are available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These Infineon MOSFETs are ideal for fuel injection systems, in-vehicle wireless charging applications, and the C0₂ emission-reducing 48V power subsystem known as Board Net.

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Resultados: 63

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPB120N10S405ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.39
14,053En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N10S405ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S405ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Hoja de datos

14,053En existencias

Cinta cortada

S/16.39

S/8.33

S/7.55

S/6.31

Envase tipo carrete

S/5.88

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

5 mOhms

20 V

2.7 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.96
36,604En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2L21ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L21ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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Hoja de datos

36,604En existencias

Cinta cortada

S/9.96

S/4.98

S/4.28

S/3.57

S/3.41

Envase tipo carrete

S/3.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

15.9 mOhms

20 V

1.2 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N012ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.89
6,480En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS300N08S5N012

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

6,480En existencias

Cinta cortada

S/25.89

S/13.74

S/12.57

S/11.68

S/10.86

Envase tipo carrete

S/10.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.7 mOhms

20 V

3.8 V

231 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N10S5L040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
25,157En existencias
10,000Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N10S5L040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N10S5L040

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

25,157En existencias

10,000Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/13.16

S/6.58

S/5.76

S/4.83

Ver

Envase tipo carrete

S/4.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4 Ohms

20 V

1.2 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD90N10S4L-06
Infineon Technologies
1: S/12.03
3,677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N10S4L-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N10S4L-06

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Hoja de datos

3,677En existencias

Cinta cortada

S/12.03

S/7.75

S/5.33

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.87

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.6 mOhms

16 V

1.1 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPD60N10S412ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.56
4,325En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60N10S412ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60N10S412ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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4,325En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/4.16

S/3.52

S/2.95

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

12.2 mOhms

20 V

2.7 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

IPD90N08S405ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.76
3,177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N08S405ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N08S405ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

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Hoja de datos

3,177En existencias

Cinta cortada

S/11.76

S/5.96

S/4.75

S/3.85

Envase tipo carrete

S/3.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4.5 mOhms

20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

IPD90N08S4-05
Infineon Technologies
1: S/12.38
2,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N08S4-05

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N08S4-05

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

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Hoja de datos

2,278En existencias

Cinta cortada

S/12.38

S/7.98

S/5.49

S/4.48

Envase tipo carrete

S/3.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4.5 mOhms

20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2L-21
Infineon Technologies
1: S/10.39
17,816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2L-21

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L-21

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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Hoja de datos

17,816En existencias

Cinta cortada

S/10.39

S/6.70

S/4.55

S/3.85

Envase tipo carrete

S/3.22

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

20.5 mOhms

20 V

1.2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPG20N10S436AATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.52
6,478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S436AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S436AATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Hoja de datos

6,478En existencias

Cinta cortada

S/8.52

S/4.32

S/3.54

S/2.93

Ver

Envase tipo carrete

S/2.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

31 mOhms, 31 mOhms

20 V

2.7 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.88
6,170En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT150N10S5N035ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT150N10S5N035

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

6,170En existencias

Cinta cortada

S/15.88

S/8.25

S/7.32

S/6.23

S/6.15

Envase tipo carrete

S/5.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.5 mOhms

20 V

2.2 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.41
4,534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L35AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L35AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

4,534En existencias

Cinta cortada

S/8.41

S/4.13

S/3.46

S/2.90

Ver

Envase tipo carrete

S/2.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

45 mOhms

16 V

1.1 V

17.4 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.28
6,035En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT200N08S5N023

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

6,035En existencias

Cinta cortada

S/17.28

S/8.99

S/8.02

S/6.93

S/6.70

Envase tipo carrete

S/6.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

2.3 mOhms

20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S312ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.41
1,235En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S312ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312ATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

1,235En existencias

Cinta cortada

S/15.41

S/7.82

S/7.08

S/5.80

Envase tipo carrete

S/5.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

9.4 mOhms

20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD35N10S3L26ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.46
2,500En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD35N10S3L26ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD35N10S3L26ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

2,500En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/4.55

S/3.63

S/3.09

Envase tipo carrete

S/2.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

20 mOhms

20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

IPP120N08S403AKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.38
1,228En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP120N08S403AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP120N08S403AKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,228En existencias

S/28.38

S/15.73

S/14.40

S/11.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.1 mOhms

20 V

2 V

167 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2-22
Infineon Technologies
1: S/10.12
2,349En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2-22

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2-22

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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Hoja de datos

2,349En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.50

S/4.44

S/3.74

Envase tipo carrete

S/3.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

17.4 mOhms

20 V

2.1 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

IPD50N08S4-13
Infineon Technologies
1: S/8.45
2,138En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N08S4-13

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N08S4-13

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,138En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/5.33

S/3.49

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

50 A

11.2 mOhms

20 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

72 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N10S3L-16
Infineon Technologies
1: S/11.60
4,330En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N10S3L-16

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N10S3L16

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

4,330En existencias

Cinta cortada

S/11.60

S/7.51

S/4.94

S/4.20

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15 mOhms

20 V

1.2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
1: S/15.73
700En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

700En existencias

Cinta cortada

S/15.73

S/10.28

S/7.47

S/6.27

Envase tipo carrete

S/5.76

S/5.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

9.4 mOhms

20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN08S5N012GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/24.37
4,040En existencias
8,000Se espera el 28/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN08S5N012GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN08S5N012GAU

Infineon Technologies

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S/24.37

S/12.88

S/11.76

S/10.78

S/10.39

Envase tipo carrete

S/10.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

80 V

370 A

1.2 mOhms

20 V

3.8 V

149 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB35N10S3L26ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.99
1,998En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB35N10S3L26ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB35N10S3L26ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

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S/11.99

S/5.96

S/5.37

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.13

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

20.3 mOhms

20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD35N10S3L-26
Infineon Technologies
1: S/9.73
6,580En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD35N10S3L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPD35N10S3L26

NRND

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/9.73

S/6.19

S/4.16

S/3.38

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

24 mOhms

20 V

1.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPB120N10S403ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.29
1,846En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N10S403ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S403ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Cinta cortada

S/21.29

S/11.05

S/10.04

S/8.84

Envase tipo carrete

S/7.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.5 mOhms

20 V

2.7 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

IPB180N10S4-02
Infineon Technologies
1: S/28.61
986En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N10S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N10S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6

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Cinta cortada

S/28.61

S/18.72

S/13.82

S/12.49

Envase tipo carrete

S/10.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

20 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

16 A
20 A
22 A
30 A
35 A
50 A
60 A
64 A
70 A
80 A
90 A
100 A
114 A
120 A
150 A
165 A
180 A
200 A
240 A
260 A

1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms
4.5 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
5.6 mOhms
5.8 mOhms

7 nC
9.4 nC
13.4 nC
17.4 nC
24 nC
27 nC
28 nC
30 nC
33 nC
34 nC
39 nC
49 nC
51 nC
56 nC
57 nC
59 nC
60 nC
64 nC
66 nC
67 nC

29 W
43 W
57 W
60 W
71 W
72 W
75 W
94 W
100 W
125 W
136 W
144 W
166 W
167 W
190 W
200 W
230 W
250 W
278 W
300 W