Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V_(ds) and are 100% tested gate resistance(R_g). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

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Resultados: 47

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2307CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.78
400,123En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2307CDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2307CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

400,123En existencias

Cinta cortada

S/3.78

S/1.73

S/1.53

S/1.18

Envase tipo carrete

S/0.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.5 A

88 mOhms

20 V

1 V

4.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2302DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.57
200,680En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2302DDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2302DDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

Hoja de datos

200,680En existencias

Cinta cortada

S/2.57

S/1.15

S/1.01

S/0.763

Envase tipo carrete

S/0.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.9 A

57 mOhms

8 V

850 mV

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

860 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2347DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.41
158,839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2347DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2347DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

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Hoja de datos

158,839En existencias

Cinta cortada

S/2.41

S/1.09

S/0.954

S/0.72

Envase tipo carrete

S/0.545

MouseReel Disponible

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Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

5 A

33 mOhms

20 V

2.5 V

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2369DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.31
218,610En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2369DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2369DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

218,610En existencias

Cinta cortada

S/3.31

S/1.51

S/1.34

S/1.21

Envase tipo carrete

S/0.911

Ver

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

7.6 A

29 mOhms

20 V

2.5 V

11.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SOT-23

SI2371EDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/1.95
471,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2371EDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2371EDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SOT-23

Obtenga más información

Hoja de datos

471,510En existencias

Cinta cortada

S/1.95

S/0.872

S/0.763

S/0.572

Envase tipo carrete

S/0.428

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

4.8 A

45 mOhms

12 V

1.5 V

10.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2302CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/2.76
179,398En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2302CDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2302CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

Hoja de datos

179,398En existencias

Cinta cortada

S/2.76

S/1.24

S/1.09

S/0.829

Envase tipo carrete

S/0.631

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.6 A

57 mOhms

8 V

850 mV

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

710 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 5V Vgs SOT-23

SI2329DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.97
21,772En existencias
9,000Se espera el 24/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI2329DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2329DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 5V Vgs SOT-23

Hoja de datos

21,772En existencias

9,000Se espera el 24/09/2026

Cinta cortada

S/3.97

S/1.82

S/1.61

S/1.24

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.891

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

8 V

6 A

30 mOhms

5 V

350 mV

19.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs SOT-23

SI2342DS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.19
64,915En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2342DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2342DS-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs SOT-23

Hoja de datos

64,915En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/1.44

S/1.27

S/0.969

S/0.954

Envase tipo carrete

S/0.747

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

8 V

6 A

17 mOhms

5 V

800 mV

6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23

SI2356DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.72
31,256En existencias
339,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2356DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2356DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23

Hoja de datos

31,256En existencias

339,000En pedido

Cinta cortada

S/2.72

S/1.67

S/1.12

S/0.794

S/0.662

Envase tipo carrete

S/0.389

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

4.3 A

51 mOhms

12 V

1.5 V

3.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SOT-23

SI2300DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.76
27,086En existencias
24,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2300DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2300DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SOT-23

Hoja de datos

27,086En existencias

24,000En pedido

Cinta cortada

S/2.76

S/1.24

S/1.09

S/0.829

Envase tipo carrete

S/0.631

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

68 mOhms

12 V

1.5 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2302CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.19
69,806En existencias
114,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2302CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2302CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

Hoja de datos

69,806En existencias

114,000En pedido

Cinta cortada

S/3.19

S/1.44

S/1.27

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.9 A

57 mOhms

8 V

850 mV

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

860 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2303CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.19
12,665En existencias
57,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
SI2303CDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2303CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

12,665En existencias

57,000Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/3.19

S/1.44

S/1.27

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.7 A

190 mOhms

20 V

1 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2303CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.19
10,870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2303CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2303CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

10,870En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/1.44

S/1.27

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.7 A

190 mOhms

20 V

3 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2305CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.41
32,008En existencias
27,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2305CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2305CDS-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 8V Vgs SOT-23

Hoja de datos

32,008En existencias

27,000En pedido

Cinta cortada

S/2.41

S/1.09

S/0.954

S/0.72

Envase tipo carrete

S/0.545

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

8 V

5.8 A

35 mOhms

8 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 0.75W

SI2306BDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
44,113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2306BDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2306BDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 0.75W

Hoja de datos

44,113En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/1.69

S/1.49

S/1.14

S/1.11

Envase tipo carrete

S/1.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.16 A

47 mOhms

20 V

1 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

750 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

SI2306BDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.58
14,539En existencias
12,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2306BDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2306BDS-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

Hoja de datos

14,539En existencias

12,000En pedido

Cinta cortada

S/3.58

S/1.64

S/1.44

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.16 A

47 mOhms

20 V

3 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

750 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2309CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
76,391En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2309CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2309CDS-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

76,391En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/1.54

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.802

S/0.701

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

345 mOhms

20 V

3 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2312CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.87
89,232En existencias
8,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2312CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2312CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

Hoja de datos

89,232En existencias

8,000En pedido

Cinta cortada

S/4.87

S/3.36

S/2.13

S/1.32

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.887

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

6 A

31.8 mOhms

8 V

1 V

8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2325DS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/1.67
18,949En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2325DS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2325DS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

18,949En existencias

Cinta cortada

S/1.67

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

150 V

690 mA

1.2 Ohms

20 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V

SI2333CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/4.71
21,507En existencias
36,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2333CDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2333CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V

Hoja de datos

21,507En existencias

36,000En pedido

Cinta cortada

S/4.71

S/2.18

S/1.91

S/1.50

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

7.1 A

35 mOhms

8 V

400 mV

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2343CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
12,740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2343CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2343CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

12,740En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/1.69

S/1.49

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.884

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

5.9 A

45 mOhms

20 V

2.5 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2367DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.76
9,853En existencias
30,000Se espera el 18/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
SI2367DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2367DS-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Hoja de datos

9,853En existencias

30,000Se espera el 18/01/2027

Cinta cortada

S/2.76

S/1.24

S/1.09

S/0.829

Envase tipo carrete

S/0.631

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.8 A

66 mOhms

8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2377EDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.88
27,753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2377EDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2377EDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Hoja de datos

27,753En existencias

Cinta cortada

S/2.88

S/1.30

S/1.14

S/0.864

Envase tipo carrete

S/0.662

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.4 A

61 mOhms

8 V

1 V

7.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2324DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.71
9En existencias
51,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2324DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2324DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

9En existencias

51,000En pedido

Cinta cortada

S/4.71

S/3.36

S/2.09

S/1.44

S/1.27

Envase tipo carrete

S/1.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

2.3 A

234 mOhms

20 V

1.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2338DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.58
348En existencias
42,000Se espera el 24/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
SI2338DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2338DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

348En existencias

42,000Se espera el 24/06/2027

Cinta cortada

S/3.58

S/1.79

S/1.57

S/1.16

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.779

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

28 mOhms

20 V

2.5 V

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

530 mA
690 mA
1.15 A
1.6 A
2.17 A
2.3 A
2.6 A
2.7 A
2.9 A
3.1 A
3.16 A
3.5 A
3.6 A
3.8 A
4.3 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.2 A
5.3 A

17 mOhms
23 mOhms
26.5 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
31.8 mOhms
33 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
39 mOhms
42 mOhms
45 mOhms
47 mOhms
51 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
61 mOhms
66 mOhms

2 nC
2.7 nC
2.9 nC
3 nC
3.2 nC
3.3 nC
3.5 nC
3.8 nC
4 nC
4.1 nC
4.2 nC
6 nC
6.7 nC
6.9 nC
7 nC
7.6 nC
7.7 nC
8.8 nC
9 nC
10 nC