Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V_(ds) and are 100% tested gate resistance(R_g). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

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Resultados: 47

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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SI2307CDS-T1-E3
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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2303CDS-T1-GE3
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S/1.27

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1 Channel

30 V

2.7 A

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

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Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2347DS-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2369DS-T1-GE3
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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2302DDS-T1-GE3
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SI2302DDS-T1-GE3

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S/1.58

S/1.01

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SI2371EDS-T1-GE3
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S/1.21

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S/0.572

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4.8 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

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+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

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SI2302CDS-T1-E3
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S/1.31

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- 8 V, 8 V

850 mV

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

710 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2302CDS-T1-GE3
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S/1.27

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20 V

2.9 A

57 mOhms

- 8 V, 8 V

850 mV

3.5 nC

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860 mW

Enhancement

TrenchFET

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SI2309CDS-T1-GE3
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S/3.39

S/2.10

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1.6 A

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 5V Vgs SOT-23

SI2329DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.97
23,271En existencias

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SI2329DS-T1-GE3

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78-SI2329DS-T1-GE3

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Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SOT-23

SI2300DS-T1-GE3
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1: S/2.76
14,639En existencias
24,000Se espera el 27/07/2026

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SI2300DS-T1-GE3

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781-SI2300DS-T1-GE3

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S/2.76

S/1.70

S/1.09

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30 V

3.6 A

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1.5 V

3 nC

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1.7 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2304DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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3,123En existencias
60,000En pedido

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SI2304DDS-T1-GE3

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781-SI2304DDS-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23

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S/3.58

S/2.48

S/1.57

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S/0.638

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1 Channel

30 V

3.6 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

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+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2305CDS-T1-GE3
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40,095En existencias

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SI2305CDS-T1-GE3

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781-SI2305CDS-GE3

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S/2.41

S/1.49

S/0.954

S/0.72

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S/0.545

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SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

8 V

5.8 A

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1 V

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+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2309CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
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SI2309CDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2309CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23

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S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.04

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S/0.802

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: 3,000

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SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

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- 20 V, 20 V

3 V

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- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2325DS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/6.38
23,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2325DS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2325DS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

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23,650En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.69

S/2.11

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.64

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

150 V

690 mA

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V

SI2333CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/4.71
29,597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2333CDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2333CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V

Hoja de datos

Comentarios de Producto

29,597En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/2.89

S/1.93

S/1.50

S/1.36

Envase tipo carrete

S/1.07

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

12 V

7.1 A

35 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2343CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
13,734En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2343CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2343CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

Hoja de datos

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13,734En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/2.29

S/1.49

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.884

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

5.9 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2377EDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.88
31,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2377EDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2377EDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

31,005En existencias

Cinta cortada

S/2.88

S/1.77

S/1.14

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.864

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.4 A

61 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

7.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs SOT-23

SI2342DS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.70
68,293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2342DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2342DS-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs SOT-23

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68,293En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/2.37

S/1.53

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.786

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

8 V

6 A

17 mOhms

- 5 V, 5 V

800 mV

6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23

SI2356DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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65,007En existencias
144,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2356DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2356DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23

Hoja de datos

Comentarios de Producto

65,007En existencias

144,000En pedido

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S/2.69

S/1.63

S/1.04

S/0.782

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S/0.518

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Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

4.3 A

51 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

3.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2303CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.19
28,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2303CDS-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2303CDS-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23

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S/3.19

S/1.97

S/1.27

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.747

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2325DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.38
10,108En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2325DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2325DS-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23

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Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.69

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.68

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

150 V

530 mA

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

750 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2366DS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.96
2,250En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2366DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2366DS-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23

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2,250En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/2.96

S/1.84

S/1.18

S/0.899

Envase tipo carrete

S/0.689

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.8 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2374DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/1.99
2,597En existencias
174,000Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI2374DS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2374DS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

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2,597En existencias

174,000Se espera el 17/09/2026

Cinta cortada

S/1.99

S/1.22

S/0.775

S/0.58

Envase tipo carrete

S/0.436

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

5.9 A

30 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

SI2306BDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.58
6,144En existencias
12,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2306BDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2306BDS-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

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12,000En pedido

Cinta cortada

S/3.58

S/2.23

S/1.44

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.856

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.16 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

750 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

530 mA
690 mA
1.15 A
1.6 A
2.17 A
2.3 A
2.6 A
2.7 A
2.9 A
3.1 A
3.16 A
3.5 A
3.6 A
3.8 A
4.3 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.2 A
5.3 A

17 mOhms
23 mOhms
26.5 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
31.8 mOhms
33 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
39 mOhms
42 mOhms
45 mOhms
47 mOhms
51 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
61 mOhms
66 mOhms

2 nC
2.7 nC
2.9 nC
3 nC
3.2 nC
3.3 nC
3.5 nC
3.8 nC
4 nC
4.1 nC
4.2 nC
6 nC
6.7 nC
6.9 nC
7 nC
7.6 nC
7.7 nC
8.8 nC
9 nC
10 nC