Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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4th Gen E Series MOSFETs

Vishay Semiconductors 4^th Gen E Series MOSFETs are low Figure-Of-Merit (FOM) MOSFETs with E series technology. The 4^th Gen E series MOSFETs feature low effective capacitance and reduced switching and conduction losses. These MOSFETs are avalanche energy rated (UIS). Vishay Semiconductors 4^th Gen E MOSFETs are available in TO-220AB, PowerPAK^® SO-8L, PowerPAK^® 8 x 8, DPAK (TO-252), and Thin-Lead TO-220 FULLPAK packages. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, Switch Mode Power Supplies (SMPS), and Power Factor Correction (PFC) power supplies.

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Resultados: 29

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHB080N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/25.77
4,217En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB080N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB080N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Hoja de datos

4,217En existencias

S/25.77

S/13.66

S/12.49

S/10.82

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

80 mOhms

30 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

SIHA180N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.75
866En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA180N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA180N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

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Hoja de datos

866En existencias

S/17.75

S/9.11

S/8.25

S/6.77

S/6.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

180 mOhms

30 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH180N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.84
1,629En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH180N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH180N60E-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

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Hoja de datos

1,629En existencias

Cinta cortada

S/18.84

S/12.34

S/10.00

S/8.56

Envase tipo carrete

S/8.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

180 mOhms

30 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

SIHP180N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.37
872En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP180N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP180N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

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Hoja de datos

872En existencias

S/18.37

S/12.03

S/8.99

S/7.51

S/6.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

180 mOhms

30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 34A N-CH MOSFET

SIHK065N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/36.04
3,679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK065N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIHK065N60ET1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 34A N-CH MOSFET

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3,679En existencias

Cinta cortada

S/36.04

S/19.73

S/18.49

Envase tipo carrete

S/17.17

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-10

1 Channel

600 V

34 A

59 mOhms

30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK

SIHA240N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.41
1,102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA240N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA240N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK

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Hoja de datos

1,102En existencias

S/15.41

S/10.08

S/7.32

S/6.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

240 mOhms

30 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 12A N-CH MOSFET

SIHH240N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.80
2,477En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH240N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH240N60ET1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 12A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

2,477En existencias

Cinta cortada

S/15.80

S/8.02

S/7.28

S/6.03

Envase tipo carrete

S/5.61

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8 - 8

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

208 mOhms

30 V

5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 40A N-CH MOSFET

SIHP065N60E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/34.80
904En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP065N60E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP065N60E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 40A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

904En existencias

S/34.80

S/19.00

S/17.48

S/16.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

57 mOhms

30 V

3 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB180N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/20.09
838En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB180N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB180N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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Hoja de datos

838En existencias

S/20.09

S/12.53

S/9.34

S/8.25

S/7.28

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

180 mOhms

30 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL

SIHD690N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.54
2,091En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHD690N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHD690N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL

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Hoja de datos

2,091En existencias

S/9.54

S/6.07

S/4.09

S/3.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.4 A

700 mOhms

30 V

5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB120N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/25.11
929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB120N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB120N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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Hoja de datos

929En existencias

S/25.11

S/13.27

S/12.14

S/10.47

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

120 mOhms

30 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8

SIHH120N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/23.47
1,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH120N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH120N60E-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8

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Hoja de datos

1,888En existencias

Cinta cortada

S/23.47

S/15.38

S/12.38

Envase tipo carrete

S/8.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-4

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

120 mOhms

30 V

3 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220

SIHA100N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/23.08
356En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA100N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA100N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220

Obtenga más información

Hoja de datos

356En existencias

S/23.08

S/12.38

S/11.29

S/9.38

S/9.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

100 mOhms

30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET

SIHA690N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.82
1,539En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA690N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA690N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

1,539En existencias

S/10.82

S/5.33

S/4.79

S/3.84

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4.3 A

600 mOhms

30 V

5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

SIHU5N80AE-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.20
2,894En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHU5N80AE-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHU5N80AE-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

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Hoja de datos

2,894En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/3.43

S/3.06

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Through Hole

N-Channel

1 Channel

800 V

4.4 A

1.35 Ohms

30 V

4 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET

SIHK075N60E-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/32.62
3,637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK075N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIHK075N60ET1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

3,637En existencias

Cinta cortada

S/32.62

S/17.71

S/17.32

S/16.82

Ver

Envase tipo carrete

S/15.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-10

1 Channel

600 V

29 A

70 mOhms

30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHB065N60E-T1-GE3
Vishay
1: S/27.87
1,536En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB065N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB065N60ET1GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,536En existencias

Cinta cortada

S/27.87

S/18.29

S/16.47

S/15.06

Envase tipo carrete

S/11.41

S/10.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG018N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/74.27
514En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG018N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG018N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

Obtenga más información

Hoja de datos

514En existencias

S/74.27

S/44.06

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

600 V

99 A

23 mOhms

30 V

3 V

228 nC

- 55 C

+ 150 C

524 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH068N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/26.31
2,987En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH068N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH068N60E-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

Obtenga más información

Hoja de datos

2,987En existencias

Cinta cortada

S/26.31

S/13.97

S/12.81

S/11.95

S/11.29

Envase tipo carrete

S/11.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-4

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

68 mOhms

30 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

SIHF074N65E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/34.57
2,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHF074N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHF074N65E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,156En existencias

S/34.57

S/23.67

S/18.88

S/18.84

S/17.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

14 A

70 mOhms

30 V

5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHA105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/20.36
415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA105N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA105N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

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Hoja de datos

415En existencias

S/20.36

S/10.55

S/9.61

S/8.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

100 mOhms

30 V

5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

SIHD1K4N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.59
2,211En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHD1K4N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHD1K4N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

Obtenga más información

Hoja de datos

2,211En existencias

S/7.59

S/4.75

S/3.12

S/2.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.2 A

1.45 Ohms

30 V

3 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)

SIHD240N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.62
952En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHD240N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHD240N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)

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Hoja de datos

952En existencias

S/13.62

S/6.81

S/6.15

S/5.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

240 mOhms

30 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

SIHP065N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/29.89
323En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP065N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP065N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

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Hoja de datos

323En existencias

S/29.89

S/18.61

S/14.17

S/11.95

S/10.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

57 mOhms

30 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L

SIHJ240N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.83
2,014Se espera el 10/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHJ240N60E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHJ240N60E-T1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L

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Hoja de datos

2,014Se espera el 10/09/2026

Cinta cortada

S/14.83

S/7.51

S/6.77

S/5.53

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

240 mOhms

30 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

4th Gen E Series MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

29 W
31 W
33 W
35 W
39 W
48 W
62.5 W
63 W
78 W
89 W
114 W
156 W
167 W
179 W
192 W
202 W
208 W
227 W
250 W
524 W