Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Infineon Technologies
1: S/17.48
6,045En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT200N08S5N023

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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6,045En existencias

Cinta cortada

S/17.48

S/10.74

S/8.17

S/6.97

Envase tipo carrete

S/6.50

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: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA180N10S5N029AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.54
1,528En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA180N10S5N029AUMA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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1,528En existencias

Cinta cortada

S/16.54

S/10.32

S/7.67

S/6.42

Envase tipo carrete

S/5.99

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.15
6,225En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT150N10S5N035ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT150N10S5N035

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/16.15

S/10.63

S/7.47

S/6.70

S/6.34

Envase tipo carrete

S/5.80

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon Technologies
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862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT165N08S5N029ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT165N08S5N029

Infineon Technologies

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862En existencias

Cinta cortada

S/15.73

S/9.65

S/7.24

S/5.99

Envase tipo carrete

S/5.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

165 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.51
3,879En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS240N08S5N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS240N08S5N019

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/20.51

S/13.12

S/9.69

S/8.56

S/8.02

Envase tipo carrete

S/8.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

240 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 11.3 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5

IAUCN10S5L110TATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.90
3,980En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN10S5L110TATMA1

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726-IAUCN10S5L110TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 11.3 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5

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Cinta cortada

S/10.90

S/7.01

S/4.79

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

LHDSO-10

N-Channel

1 Channel

100 V

61 A

11.3 mOhms

20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 15.8 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5

IAUCN08S5L160TATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.37
1,400En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S5L160TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S5L160TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 15.8 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5

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Cinta cortada

S/8.37

S/5.29

S/3.57

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

LHDSO-10

N-Channel

1 Channel

80 V

42 A

15.8 mOhms

20 V

2 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN08S5N012GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/24.37
6,690En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN08S5N012GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN08S5N012GAU

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S/24.37

S/16.31

S/11.76

S/10.78

S/10.08

Envase tipo carrete

S/10.08

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

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1 Channel

80 V

370 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

149 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUCN10S5L094DATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.46
9,313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN10S5L094DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S5L094DAT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/12.46

S/8.10

S/5.61

S/4.55

Ver

Envase tipo carrete

S/4.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUCN10S5L280DATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.72
3,925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN10S5L280DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S5L280DAT

Infineon Technologies

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S/8.72

S/5.57

S/3.77

S/3.00

Ver

Envase tipo carrete

S/2.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN08S5N013GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/23.28
35En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN08S5N013GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN08S5N013GAU

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/23.28

S/15.53

S/11.17

S/10.70

S/10.35

Envase tipo carrete

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

80 V

350 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

307 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN10S5N016GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/25.65
2,670En existencias
6,000Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN10S5N016GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN10S5N016GAU

Infineon Technologies

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2,670En existencias

6,000Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

S/25.65

S/17.20

S/12.42

S/12.18

S/11.76

Envase tipo carrete

S/10.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

100 V

310 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

142 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUTN08S5N012LATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.12
2,293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN08S5N012LATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN08S5N012LAT

Infineon Technologies

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S/26.12

S/17.56

S/12.69

S/11.83

S/11.41

Envase tipo carrete

S/11.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-2

N-Channel

2 Channel

80 V

410 A

1.15 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N011TATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.31
6,010En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N011TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-AUS300N08S5N011T

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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S/29.31

S/19.81

S/14.44

S/13.82

S/12.88

Envase tipo carrete

S/12.88

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16-2

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N10S5L040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
20,772En existencias
15,000Se espera el 18/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N10S5L040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N10S5L040

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

20,772En existencias

15,000Se espera el 18/02/2027

Cinta cortada

S/13.16

S/8.56

S/5.96

S/4.83

Ver

Envase tipo carrete

S/4.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.2 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
1: S/25.89
7,353En existencias
58,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N08S5N012ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

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Hoja de datos

7,353En existencias

58,000En pedido

Cinta cortada

S/25.89

S/17.05

S/12.49

S/11.17

S/10.94

Envase tipo carrete

S/10.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

231 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N10S5N014ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.22
36,126En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N10S5N014ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N10S5N014

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

36,126En existencias

Cinta cortada

S/25.22

S/16.93

S/12.22

S/11.29

S/10.63

Envase tipo carrete

S/10.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N10S5N015TATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.10
5,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N10S5N015TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US300N10S5N015T1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

5,265En existencias

Cinta cortada

S/28.10

S/18.96

S/13.74

S/13.04

S/12.18

Envase tipo carrete

S/12.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA170N10S5N031AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.00
3,771En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA170N10S5N031AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA170N10S5N031

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

3,771En existencias

Cinta cortada

S/16.00

S/10.51

S/7.36

S/6.11

Envase tipo carrete

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

170 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA180N08S5N026AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.87
3,491En existencias
4,000Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUA180N08S5N026AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA180N08S5N026

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

3,491En existencias

4,000Se espera el 24/08/2026

Cinta cortada

S/14.87

S/9.73

S/6.81

S/5.57

Envase tipo carrete

S/5.37

S/5.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA210N10S5N024AUMA1
Infineon Technologies
1: S/18.33
2,706En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA210N10S5N024AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA210N10S5N024

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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S/18.33

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S/8.56

S/7.36

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S/7.24

S/6.85

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

210 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

238 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N08S5N043ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.54
4,965En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N08S5N043ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N043

Infineon Technologies

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S/9.54

S/6.11

S/4.16

S/3.32

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Envase tipo carrete

S/2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N10S5L054ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.17
2,082En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N10S5L054ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N10S5L054

Infineon Technologies

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S/11.17

S/7.24

S/4.98

S/4.01

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S/3.50

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC90N10S5N062ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.67
3,937En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC90N10S5N062ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC90N10S5N062A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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S/10.67

S/6.85

S/4.67

S/3.86

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Envase tipo carrete

S/3.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N012ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.89
4,690En existencias
1,800Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS300N08S5N012

Infineon Technologies

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1,800Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/25.89

S/17.40

S/12.57

S/11.68

S/10.90

Envase tipo carrete

S/10.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

231 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

18 A
20 A
24 A
28 A
30 A
40 A
42 A
50 A
61 A
70 A
90 A
100 A
150 A
165 A
170 A
180 A
200 A
210 A
220 A
240 A

1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms

5.4 nC
7.6 nC
8.1 nC
9.5 nC
11.6 nC
15 nC
17 nC
20 nC
22 nC
30 nC
36 nC
56 nC
67 nC
76 nC
78 nC
81 nC
90 nC
91 nC
96 nC
110 nC

30 W
38 W
45.5 W
60 W
68 W
83 W
88 W
115 W
125 W
166 W
167 W
179 W
197 W
200 W
211 W
221 W
230 W
238 W
300 W
307 W