Transistores – Mouser Perú

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CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an R_DS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMW120R045M1XKSA1
Infineon Technologies
1: S/84.93
736En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
AIMW120R045M1XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMW120R045M1XKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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736En existencias

S/84.93

S/63.21

S/62.67

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMCQ120R030M1TXTMA1
Infineon Technologies
1: S/62.32
2,336En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
AIMCQ120R030M1TXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMCQ120R030M1TX

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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Cinta cortada

S/62.32

S/43.91

S/37.10

S/34.64

Envase tipo carrete

S/34.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-3

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R010M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/131.57
2,899En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMZH120R010M1TXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZH120R010M1TX

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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2,899En existencias

S/131.57

S/89.92

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture

AIMCQ120R060M1TXTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.78
27En existencias
2,250En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AIMCQ120R060M1TXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMCQ120R060M1TX

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture

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27En existencias

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Cinta cortada

S/42.78

S/29.89

S/23.82

S/21.06

Envase tipo carrete

S/21.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-3

N-Channel

MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture

AIMCQ120R080M1TXTMA1
Infineon Technologies
1: S/36.36
146En existencias
750Se espera el 20/08/2026
Nuevo producto

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AIMCQ120R080M1TXTMA1

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726-AIMCQ120R080M1TX

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture

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146En existencias

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Cinta cortada

S/36.36

S/24.83

S/20.59

S/17.13

Envase tipo carrete

S/17.13

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: 750

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

AIMBG120R030M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/59.20
459En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMBG120R030M1XTMA1

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726-AIMBG120R030M1X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

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Cinta cortada

S/59.20

S/43.71

S/36.51

Envase tipo carrete

S/34.10

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMBG120R040M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/52.98
675En existencias

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AIMBG120R040M1XTMA1

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726-AIMBG120R040M1X1

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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675En existencias

Cinta cortada

S/52.98

S/36.98

S/29.70

Envase tipo carrete

S/27.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

AIMBG120R060M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.35
899En existencias

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AIMBG120R060M1XTMA1

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726-AIMBG120R060M1X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

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S/42.35

S/29.23

S/22.19

Envase tipo carrete

S/20.71

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: 1,000

MOSFETs

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMBG120R080M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/36.08
898En existencias

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AIMBG120R080M1XTMA1

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726-AIMBG120R080M1X1

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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S/36.08

S/24.64

S/18.26

S/18.06

Envase tipo carrete

S/16.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

AIMBG120R160M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/32.39
1,600En existencias

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AIMBG120R160M1XTMA1

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726-AIMBG120R160M1X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

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S/32.39

S/21.99

S/16.11

S/15.57

Envase tipo carrete

S/14.52

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMCQ120R020M1TXTMA1
Infineon Technologies
1: S/80.42
893En existencias
3,000En pedido
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AIMCQ120R020M1TXTMA1

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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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S/80.42

S/57.49

S/51.46

S/42.04

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S/42.00

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Mult.: 1

: 750

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-3

N-Channel

MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V

AIMCQ120R040M1TXTMA1
Infineon Technologies
1: S/53.13
851En existencias
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AIMCQ120R040M1TXTMA1

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726-AIMCQ120R040M1TX

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S/53.13

S/37.10

S/30.17

S/28.18

Envase tipo carrete

S/28.18

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Mult.: 1

: 750

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-3

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMCQ120R120M1TXTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.58
464En existencias
750Se espera el 25/02/2027
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AIMCQ120R120M1TXTMA1

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726-AIMCQ120R120M1TX

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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S/29.58

S/20.01

S/14.56

S/13.04

Envase tipo carrete

S/13.04

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-3

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMCQ120R160M1TXTMA1
Infineon Technologies
1: S/24.99
2,128En existencias
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AIMCQ120R160M1TXTMA1

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726-AIMCQ120R160M1TX

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

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S/24.99

S/16.78

S/12.07

S/10.43

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S/10.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-3

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R020M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/80.46
152En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
AIMZH120R020M1TXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZH120R020M1TX

Infineon Technologies

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S/80.46

S/52.78

S/51.34

Min.: 1
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SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R040M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/51.58
445En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMZH120R040M1TXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZH120R040M1TX

Infineon Technologies

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S/51.58

S/33.63

S/30.09

Min.: 1
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SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R030M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/64.97
123En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMZH120R030M1TXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZH120R030M1TX

Infineon Technologies

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123En existencias

S/64.97

S/39.98

S/36.98

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Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R060M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/44.30
121En existencias
240En pedido

N.º de artículo del Fabricante
AIMZH120R060M1TXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZH120R060M1TX

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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121En existencias

240En pedido

S/44.30

S/26.39

S/22.50

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R120M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.79
139En existencias
240Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
AIMZH120R120M1TXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZH120R120M1TX

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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Hoja de datos

139En existencias

240Se espera el 20/08/2026

S/30.79

S/17.79

S/14.95

S/13.94

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMW120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/124.83
173En existencias
480Se espera el 5/11/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
AIMW120R060M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-W120R060M1HXKSA1

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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Hoja de datos

173En existencias

480Se espera el 5/11/2026

S/124.83

S/93.85

S/83.14

S/80.34

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R160M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.00
26En existencias
240Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
AIMZH120R160M1TXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZH120R160M1TX

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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Hoja de datos

26En existencias

240Se espera el 15/10/2026

S/26.00

S/14.83

S/12.38

S/11.13

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

AIMBG120R020M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/84.55
3,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
AIMBG120R020M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMBG120R020M1X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

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3,500En pedido

Cinta cortada

S/84.55

S/60.22

S/53.91

S/52.16

Envase tipo carrete

S/47.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMBG120R010M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/124.68
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
AIMBG120R010M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMBG120R010M1X1

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

S/124.68

S/91.43

S/88.75

S/88.67

Envase tipo carrete

S/82.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

AIMBG120R120M1XTMA1
Infineon Technologies
1,000: S/13.86
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
AIMBG120R120M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMBG120R120M1X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/13.86

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

MOSFETs

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R080M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/40.56
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
AIMZH120R080M1TXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZH120R080M1TX

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

S/40.56

S/25.81

S/21.84

S/19.07

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

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