Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 301
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5 651En existencias
S/ 21.18
S/ 11.05
S/ 10.04
S/ 8.45
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5 2,750En existencias
Cinta cortada
S/ 27.87
S/ 14.91
S/ 13.66
S/ 12.92
S/ 12.18
Envase tipo carrete
S/ 12.18
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 6,369En existencias
Cinta cortada
S/ 3.43
S/ 1.56
S/ 1.37
S/ 1.05
Envase tipo carrete
S/ 0.841
S/ 0.677
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package 469En existencias
S/ 22.58
S/ 14.79
S/ 10.90
S/ 9.23
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 963En existencias
S/ 11.79
S/ 6.85
S/ 5.22
S/ 4.24
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag 1,022En existencias
S/ 15.03
S/ 8.45
S/ 6.85
S/ 5.76
S/ 5.57
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 1,729En existencias
S/ 8.21
S/ 3.88
S/ 3.54
S/ 2.81
S/ 2.55
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 1,487En existencias
Cinta cortada
S/ 23.12
S/ 15.14
S/ 11.29
S/ 9.46
S/ 8.80
Envase tipo carrete
S/ 8.21
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected 1,524En existencias
S/ 8.68
S/ 4.20
S/ 3.75
S/ 2.99
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET 997En existencias
Cinta cortada
S/ 14.32
S/ 7.20
S/ 6.54
S/ 5.33
Envase tipo carrete
S/ 4.94
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package 772En existencias
S/ 12.26
S/ 5.88
S/ 5.33
S/ 4.44
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 1,846En existencias
S/ 7.55
S/ 3.58
S/ 3.22
S/ 2.55
S/ 2.41
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package 706En existencias
S/ 13.78
S/ 7.08
S/ 6.31
S/ 5.22
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5 415En existencias
S/ 23.94
S/ 12.30
S/ 9.85
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 1,000En existencias
Cinta cortada
S/ 29.04
S/ 15.57
S/ 14.29
S/ 13.62
Envase tipo carrete
S/ 12.73
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed 416En existencias
S/ 27.87
S/ 15.96
S/ 12.18
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd 308En existencias
S/ 30.79
S/ 16.15
S/ 13.94
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A 1,232En existencias
S/ 12.81
S/ 6.38
S/ 5.76
S/ 4.67
S/ 4.32
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET 62En existencias
1,200Se espera el 30/04/2027
S/ 18.84
S/ 10.78
S/ 6.89
S/ 6.85
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
633En existencias
S/ 10.51
S/ 6.77
S/ 4.59
S/ 3.89
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 3En existencias
1,000Se espera el 23/04/2027
S/ 11.83
S/ 7.55
S/ 5.33
S/ 4.59
S/ 4.01
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 1,337En existencias
Cinta cortada
S/ 12.61
S/ 6.31
S/ 5.68
S/ 4.59
S/ 4.55
Envase tipo carrete
S/ 4.05
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-HV-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte 2,731En existencias
S/ 7.79
S/ 3.49
S/ 3.24
S/ 2.67
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 842En existencias
S/ 13.35
S/ 6.77
S/ 5.99
S/ 4.98
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT 10,535En existencias
S/ 24.29
S/ 15.92
S/ 11.72
S/ 10.43
S/ 9.30
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3