Semiconductores discretos

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Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

STL57N65M5
STMicroelectronics
1: S/49.40
2,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL57N65M5

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511-STL57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

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S/49.40

S/28.30

S/27.91

S/27.36

S/25.50

Envase tipo carrete

S/25.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa

STE145N65M5
STMicroelectronics
1: S/126.58
760En existencias

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STE145N65M5

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511-STE145N65M5

STMicroelectronics

Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa

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760En existencias

S/126.58

S/92.88

S/88.44

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Screw Mount

ISOTOP

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

STL8N10F7
STMicroelectronics
1: S/5.96
38,107En existencias

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STL8N10F7

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511-STL8N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

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Cinta cortada

S/5.96

S/2.79

S/2.49

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STB31N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.00
840En existencias

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STB31N65M5

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511-STB31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

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Cinta cortada

S/23.00

S/13.00

S/11.25

S/9.42

Envase tipo carrete

S/8.49

S/8.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STB38N65M5
STMicroelectronics
1: S/29.00
757En existencias

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STB38N65M5

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511-STB38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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Cinta cortada

S/29.00

S/15.53

S/14.25

S/13.58

Envase tipo carrete

S/12.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD13N65M2
STMicroelectronics
1: S/9.07
3,053En existencias

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STD13N65M2

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511-STD13N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/9.07

S/4.40

S/3.58

S/3.09

Envase tipo carrete

S/2.67

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STF12N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.58
1,667En existencias

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STF12N65M5

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511-STF12N65M5

STMicroelectronics

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S/13.58

S/7.90

S/6.11

S/5.10

S/4.36

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo

STGWA50IH65DF
STMicroelectronics
1: S/17.79
933En existencias

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STGWA50IH65DF

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511-STGWA50IH65DF

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo

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S/17.79

S/11.79

S/9.11

S/8.06

S/7.98

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

STH150N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/17.28
1,000En existencias

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STH150N10F7-2

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511-STH150N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

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S/17.28

S/10.24

S/8.37

S/7.05

Envase tipo carrete

S/6.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-2AG
STMicroelectronics
1: S/26.35
841En existencias

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STH275N8F7-2AG

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511-STH275N8F7-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

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S/26.35

S/14.83

S/13.55

S/12.61

Envase tipo carrete

S/11.13

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec

STL8N80K5
STMicroelectronics
1: S/15.34
1,961En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL8N80K5

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511-STL8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec

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S/15.34

S/7.79

S/7.05

S/5.80

S/5.72

Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB28N60M2
STMicroelectronics
1: S/10.86
1,854En existencias

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STB28N60M2

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511-STB28N60M2

STMicroelectronics

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S/10.86

S/5.37

S/4.83

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

STD3N80K5
STMicroelectronics
1: S/8.56
5,125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD3N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

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S/8.56

S/5.41

S/3.54

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.28

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

STD5N95K5
STMicroelectronics
1: S/10.04
3,878En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

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3,878En existencias

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S/10.04

S/4.94

S/4.44

S/3.53

S/3.34

Envase tipo carrete

S/2.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
1: S/22.58
925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH275N8F7-6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH275N8F7-6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

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S/22.58

S/11.83

S/10.78

S/9.73

Envase tipo carrete

S/9.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

STH310N10F7-6
STMicroelectronics
1: S/27.13
1,235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH310N10F7-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

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S/27.13

S/14.48

S/13.23

S/12.46

Envase tipo carrete

S/11.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

STL110N10F7
STMicroelectronics
1: S/11.95
4,534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL110N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL110N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

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4,534En existencias

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S/11.95

S/5.92

S/5.33

S/4.32

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

STL2N80K5
STMicroelectronics
1: S/5.49
5,124En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL2N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

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5,124En existencias

Cinta cortada

S/5.49

S/3.27

S/2.77

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected

STP10N95K5
STMicroelectronics
1: S/16.82
1,545En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP10N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected

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1,545En existencias

S/16.82

S/8.80

S/7.98

S/6.54

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5

STP18N55M5
STMicroelectronics
1: S/15.34
2,043En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18N55M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N55M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5

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2,043En existencias

S/15.34

S/7.98

S/7.20

S/5.92

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STU7N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.10
2,824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU7N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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2,824En existencias

S/8.10

S/3.66

S/2.79

S/2.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package

STW56N60M2-4
STMicroelectronics
1: S/39.86
382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW56N60M2-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW56N60M2-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package

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382En existencias

S/39.86

S/21.56

S/19.93

S/19.31

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2

STW70N60M2
STMicroelectronics
1: S/43.56
565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW70N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW70N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2

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565En existencias

S/43.56

S/23.78

S/21.68

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect

STWA20N95K5
STMicroelectronics
1: S/31.88
595En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STWA20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect

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595En existencias

S/31.88

S/17.48

S/16.08

S/14.52

S/14.25

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD16N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.84
5,585En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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5,585En existencias

Cinta cortada

S/8.84

S/4.20

S/3.34

S/2.83

S/2.70

Envase tipo carrete

S/2.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

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Soporte

D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
ISOTOP
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-8
PowerFLAT-5x6-HV-8
PowerFLAT-8x8-5
PowerFLAT-8x8-HV-5
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247
TO-247-3
TO-247-4