Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 301
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 1,381En existencias
S/ 30.67
S/ 16.54
S/ 15.18
S/ 13.00
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 500En existencias
S/ 40.56
S/ 26.27
S/ 23.12
S/ 17.87
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package 1,439En existencias
S/ 15.80
S/ 8.02
S/ 7.28
S/ 5.96
S/ 5.92
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 4,350En existencias
Cinta cortada
S/ 9.34
S/ 4.55
S/ 4.09
S/ 3.25
S/ 3.16
Envase tipo carrete
S/ 2.74
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII 1,648En existencias
S/ 13.58
S/ 6.81
S/ 6.15
S/ 5.02
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5 1,443En existencias
S/ 13.12
S/ 6.46
S/ 5.14
S/ 4.63
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 1,637En existencias
S/ 25.38
S/ 17.32
S/ 15.22
S/ 15.10
S/ 15.03
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5 1,000En existencias
S/ 56.05
S/ 31.41
S/ 30.21
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package 876En existencias
1,000Se espera el 16/04/2027
Cinta cortada
S/ 24.52
S/ 12.96
S/ 11.83
S/ 11.48
Envase tipo carrete
S/ 10.28
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package 2,500En existencias
Cinta cortada
S/ 10.98
S/ 5.45
S/ 4.83
S/ 3.93
Envase tipo carrete
S/ 3.27
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII 1,885En existencias
S/ 10.90
S/ 6.23
S/ 4.83
S/ 3.93
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 2,935En existencias
S/ 8.87
S/ 5.10
S/ 3.79
S/ 3.07
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected 4,908En existencias
Cinta cortada
S/ 8.21
S/ 5.25
S/ 4.67
S/ 4.13
S/ 4.05
Envase tipo carrete
S/ 3.82
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package 3,016En existencias
Cinta cortada
S/ 9.07
S/ 4.40
S/ 3.58
S/ 3.01
Envase tipo carrete
S/ 2.71
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 1,953En existencias
S/ 26.94
S/ 14.36
S/ 13.12
S/ 11.02
S/ 10.98
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5 2,434En existencias
Cinta cortada
S/ 49.40
S/ 28.30
S/ 27.91
S/ 27.36
S/ 25.89
Envase tipo carrete
S/ 25.89
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII 3,000En existencias
3,000Se espera el 5/03/2027
Cinta cortada
S/ 8.33
S/ 4.40
S/ 3.93
S/ 3.13
Envase tipo carrete
S/ 2.64
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 1,999En existencias
S/ 30.79
S/ 20.16
S/ 16.58
S/ 14.75
S/ 13.20
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A 862En existencias
S/ 24.44
S/ 12.57
S/ 10.98
S/ 10.43
S/ 10.12
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 3En existencias
1,000Se espera el 23/04/2027
S/ 11.83
S/ 7.55
S/ 5.33
S/ 4.59
S/ 4.01
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
633En existencias
S/ 10.51
S/ 6.77
S/ 4.59
S/ 3.89
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET 139En existencias
1,200Se espera el 23/04/2027
S/ 18.84
S/ 10.78
S/ 6.89
S/ 6.85
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package 855En existencias
S/ 15.96
S/ 8.84
S/ 7.51
S/ 6.19
S/ 5.88
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT 589En existencias
S/ 20.82
S/ 10.47
S/ 8.37
S/ 7.94
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT 769En existencias
S/ 18.41
S/ 8.99
S/ 7.08
S/ 7.01
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247