Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

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Resultados: 103

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NTMFS6H864NLT1G
onsemi
1: S/4.44
7,660En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H864NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H864NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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7,660En existencias

Cinta cortada

S/4.44

S/2.77

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H854NLWFTAG
onsemi
1: S/8.10
4,076En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H854NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H854NLWFTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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4,076En existencias

Cinta cortada

S/8.10

S/5.14

S/3.47

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

44 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

NTMFS5H409NLT1G
onsemi
1: S/14.56
3,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H409NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H409NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

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3,988En existencias

Cinta cortada

S/14.56

S/9.46

S/6.62

S/6.07

Envase tipo carrete

S/5.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

270 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H864NLT1G
onsemi
1: S/6.97
22,590En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H864NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H864NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Cinta cortada

S/6.97

S/4.44

S/2.95

S/2.33

Envase tipo carrete

S/1.85

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H818NT1G
onsemi
1: S/15.65
1,373En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H818NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H818NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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1,373En existencias

Cinta cortada

S/15.65

S/10.24

S/7.43

S/6.23

Envase tipo carrete

S/5.41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

123 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NTMFS5H600NLT1G
onsemi
1: S/17.94
8,056En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H600NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H600NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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8,056En existencias

Cinta cortada

S/17.94

S/11.76

S/8.80

Envase tipo carrete

S/8.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300

: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H860NLTAG
onsemi
1: S/7.71
14,931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H860NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H860NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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14,931En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.87

S/3.18

S/2.52

Envase tipo carrete

S/2.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 224A 1.8mOhm Single N-Channel

NTMFS6H800NLT1G
onsemi
1: S/17.13
807En existencias
18,000Se espera el 18/10/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H800NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H800NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 224A 1.8mOhm Single N-Channel

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807En existencias

18,000Se espera el 18/10/2027

Cinta cortada

S/17.13

S/11.25

S/8.37

S/7.05

S/6.07

Envase tipo carrete

S/6.07

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,730

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

224 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN U8FL HEFET

NTTFS2D8N04HLTAG
onsemi
1: S/8.14
2,015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS2D8N04HLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS2D8N04HLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN U8FL HEFET

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Cinta cortada

S/8.14

S/5.18

S/3.49

S/2.77

S/2.26

Envase tipo carrete

S/2.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

104 A

2.75 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NVMFD6H846NLT1G
onsemi
1: S/12.38
985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD6H846NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD6H846NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

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Hoja de datos

985En existencias

Cinta cortada

S/12.38

S/7.98

S/5.49

S/4.48

Envase tipo carrete

S/3.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

80 V

31 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H860NLWFTAG
onsemi
1: S/7.71
2,794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H860NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H86NLWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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2,794En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.87

S/3.18

S/2.52

Envase tipo carrete

S/2.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H880NLTAG
onsemi
1: S/3.66
1,361En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H880NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H880NLTAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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1,361En existencias

Cinta cortada

S/3.66

S/2.28

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.48

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 360

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

29 mOhms

20 V

2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NVMFD6H840NLT1G
onsemi
1: S/14.36
11,512En existencias
7,500Se espera el 17/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD6H840NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD6H840NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

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11,512En existencias

7,500Se espera el 17/08/2026

Cinta cortada

S/14.36

S/9.38

S/6.54

S/5.33

S/5.25

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

80 V

74 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H800NT1G
onsemi
1: S/28.49
10,835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H800NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H800NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

10,835En existencias

Cinta cortada

S/28.49

S/18.68

S/13.78

S/12.22

Envase tipo carrete

S/12.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 560

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

203 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL

NTBLS1D1N08H
onsemi
1: S/33.01
518En existencias
2,000Se espera el 9/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTBLS1D1N08H

N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS1D1N08H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL

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Hoja de datos

518En existencias

2,000Se espera el 9/10/2026

Cinta cortada

S/33.01

S/22.46

S/16.47

S/16.15

S/15.06

Envase tipo carrete

S/15.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

351 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

311 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

NTMFS5H409NLT3G
onsemi
1: S/14.56
4,916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H409NLT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H409NLT3G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

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Hoja de datos

4,916En existencias

Cinta cortada

S/14.56

S/9.50

S/6.66

S/5.57

S/5.18

Envase tipo carrete

S/4.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NTMFS5H610NLT1G
onsemi
1: S/5.72
6,642En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H610NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H610NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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Hoja de datos

6,642En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.60

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

44 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

13.7 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NTMFS5H615NLT1G
onsemi
1: S/13.82
1,298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H615NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H615NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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Hoja de datos

1,298En existencias

Cinta cortada

S/13.82

S/9.03

S/6.27

S/5.41

S/5.02

Envase tipo carrete

S/4.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

185 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NTMFS5H630NLT1G
onsemi
1: S/9.58
3,895En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H630NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H630NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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3,895En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/6.11

S/4.16

Envase tipo carrete

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NTMFS6H801NLT1G
onsemi
1: S/14.17
1,286En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H801NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H801NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

1,286En existencias

Cinta cortada

S/14.17

S/9.23

S/6.46

S/5.41

S/5.02

Envase tipo carrete

S/4.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NTMFS6H818NLT1G
onsemi
1: S/11.44
10,588En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H818NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H818NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

10,588En existencias

Cinta cortada

S/11.44

S/7.40

S/5.10

S/4.09

S/3.78

Envase tipo carrete

S/3.64

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NTMFS6H818NT1G
onsemi
1: S/11.56
2,823En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H818NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H818NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

2,823En existencias

Cinta cortada

S/11.56

S/7.47

S/5.14

Envase tipo carrete

S/5.14

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 130

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

123 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NTMFS6H848NLT1G
onsemi
1: S/7.32
11,511En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H848NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H848NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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11,511En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.59

S/3.01

S/2.39

S/2.12

Envase tipo carrete

S/1.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

59 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3

NTTFS2D1N04HLTWG
onsemi
1: S/8.60
3,196En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS2D1N04HLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS2D1N04HLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3

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3,196En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/5.53

S/3.72

Envase tipo carrete

S/3.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340

: 3,000

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

43.6 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NVMFD6H840NLWFT1G
onsemi
1: S/15.03
1,755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD6H840NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD6H840NLWF1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

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1,755En existencias

Cinta cortada

S/15.03

S/9.81

S/7.12

Envase tipo carrete

S/7.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 170

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

80 V

14 A, 74 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Trench8 MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
14 A
14 A, 74 A
22 A
23 A
25 A
30 A
31 A
32 A
33 A
38 A
41 A
42 A
43 A
44 A
48 A
50 A
57 A
59 A
60 A

1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.75 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms
4.5 mOhms
5.2 mOhms
5.5 mOhms
5.9 mOhms

4.7 nC
6 nC
6.9 nC
8.7 nC
8.9 nC
9 nC
9.5 nC
10 nC
12 nC
13 nC
13.5 nC
13.7 nC
16 nC
17 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22.5 nC
25 nC
26 nC

18 W
23 W
26 W
31 W
33 W
34 W
38 W
42 W
43 W
46 W
54 W
63 W
66 W
68 W
73 W
83 W
89 W
90 W
100 W
104 W