Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Si3 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET® Power MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. These Si3 MOSFETs are also offered in different V_GS and V_DS ranges. Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and offer ultra-low R_DS(ON) for high efficiency. The series incorporates Si technology and operates at a temperature range of -55°C to 150°C. Typical applications include load switches and DC to DC converters.

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Resultados: 69

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 20V 4.7A

SI3443CDV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.70
135,170En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3443CDV-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3443CDV-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 20V 4.7A

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Cinta cortada

S/3.70

S/2.29

S/1.49

S/1.14

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.763

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5.97 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

7.53 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 100V 3.8A N-CH MOSFET

SI3474DV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.88
118,235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3474DV-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3474DV-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 100V 3.8A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/2.88

S/1.78

S/1.15

S/0.872

Envase tipo carrete

S/0.666

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

100 V

3.8 A

126 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 30V 6.1A

SI3483CDV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.38
36,532En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3483CDV-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3483CDV-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 30V 6.1A

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S/6.38

S/4.05

S/2.69

S/2.11

S/1.92

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

8 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

11.5 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3437DV-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/5.49
49,677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3437DV-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3437DV-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs TSOP-6

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S/5.49

S/2.85

S/2.06

S/1.75

Envase tipo carrete

S/1.41

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

150 V

1.4 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

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12.2 nC

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3.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 20V 5.2A

SI3433CDV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.19
119,453En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3433CDV-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3433CDV-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 20V 5.2A

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Cinta cortada

S/3.19

S/1.97

S/1.27

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.677

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MouseReel Disponible

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TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

38 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

18 nC

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+ 150 C

3.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3437DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.49
118,221En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3437DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3437DV-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/5.49

S/3.44

S/2.28

S/1.78

Envase tipo carrete

S/1.41

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

150 V

1.4 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3424CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.72
349,329En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3424CDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3424CDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/2.72

S/1.68

S/1.07

S/0.814

Envase tipo carrete

S/0.623

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

SI3429EDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.96
11,763En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3429EDV-T1-GE3

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78-SI3429EDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

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S/2.96

S/1.84

S/1.18

S/0.899

Envase tipo carrete

S/0.779

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TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

8 A

38 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

118 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3417DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.76
43,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3417DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3417DV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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S/2.76

S/1.71

S/1.10

S/0.833

Envase tipo carrete

S/0.634

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

8 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

SI3122DV-T1-GE3
Vishay
1: S/3.78
2,836En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3122DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3122DV-T1-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

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2,836En existencias

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S/3.78

S/2.69

S/1.67

S/1.16

Envase tipo carrete

S/0.872

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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

100 V

1.78 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

3.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.34 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3459BDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.06
38,995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3459BDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3459BDV-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/5.06

S/3.17

S/2.09

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

2.9 A

216 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

7.7 nC

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+ 150 C

3.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs TSOP-6

SI3473CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.52
15,744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3473CDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3473CDV-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/4.52

S/2.83

S/1.85

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.12

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

12 V

8 A

22 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 20V 7.5A

SI3407DV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.53
78,420En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3407DV-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3407DV-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 20V 7.5A

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78,420En existencias

Cinta cortada

S/2.53

S/1.78

S/1.22

S/0.954

Envase tipo carrete

S/0.736

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

8 A

32.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3476DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
42,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3476DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3476DV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/3.39

S/2.10

S/1.79

S/1.24

Envase tipo carrete

S/0.934

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

80 V

4.6 A

93 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

4.9 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6

SI3443CDV-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
23,332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3443CDV-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3443CDV-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/3.70

S/2.23

S/1.49

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5.97 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

7.53 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3456DDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.30
15,379En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3456DDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3456DDV-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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S/2.30

S/1.42

S/0.907

S/0.681

Envase tipo carrete

S/0.514

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

6.3 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3457CDV-T1-E3
Vishay / Siliconix
1: S/3.78
47,264En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3457CDV-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3457CDV-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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S/3.78

S/2.14

S/1.45

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.891

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

5.1 A

74 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3483CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.38
27,237En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3483CDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3483CDV-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.69

S/2.11

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S/1.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

8 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 N-CH 30V 5A

SI3456DDV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.30
46,770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3456DDV-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3456DDV-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 N-CH 30V 5A

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S/1.42

S/0.907

S/0.681

Envase tipo carrete

S/0.494

Ver

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

6.3 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 N-CH 20V 7.5A

SI3464DV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.70
21,773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3464DV-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3464DV-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 N-CH 20V 7.5A

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Cinta cortada

S/3.70

S/2.29

S/1.49

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.825

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

20 V

8 A

24 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 20V 7A

SI3493BDV-T1-BE3
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SI3493BDV-T1-BE3

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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

8 A

27.5 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

26.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.97 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6

SI3443CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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S/1.34

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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5.97 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

7.53 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

TrenchFET

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SI3477DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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TSOP-6

P-Channel

1 Channel

12 V

8 A

17.5 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 N-CH 30V 7.5A

SI3424CDV-T1-BE3
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S/1.68

S/1.07

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 N-CH 20V 6.2A

SI3460DDV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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S/1.09

S/0.829

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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

20 V

7.9 A

28 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

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Si3 TrenchFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

17.5 mOhms
19.2 mOhms
19.5 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
27.5 mOhms
28 mOhms
32.7 mOhms
34 mOhms
35.5 mOhms
36 mOhms
38 mOhms
40 mOhms
58 mOhms
58 mOhms, 195 mOhms
74 mOhms
90 mOhms
93 mOhms
100 mOhms

2.6 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.2 nC, 6 nC
3.8 nC
4.2 nC
4.9 nC
5 nC
6 nC
6.8 nC
7.53 nC
7.7 nC
8 nC
8.2 nC
9 nC
10.4 nC
11.5 nC
12.2 nC
15 nC
18 nC