Semiconductores – Mouser Perú

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Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMS3014SFGQ-7
Diodes Incorporated
1: S/4.83
3,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMS3014SFGQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMS3014SFGQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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S/4.83

S/2.22

S/1.95

S/1.53

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S/1.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A

DMTH4004LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/8.29
2,381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4004LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A

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S/8.29

S/4.01

S/3.52

S/2.79

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S/2.22

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

DMG4466SSSL-13
Diodes Incorporated
1: S/4.13
4,498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG4466SSSL-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMG4466SSSL-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

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S/4.13

S/1.97

S/1.66

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S/1.66

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMG4822SSDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/5.92
2,306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG4822SSDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMG4822SSDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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S/5.92

S/2.77

S/2.45

S/2.04

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S/1.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

DMN10H099SFG-13
Diodes Incorporated
1: S/5.96
7,930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN10H099SFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H099SFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

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S/5.96

S/3.67

S/2.42

S/1.90

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S/1.26

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC

DMN2550UFA-7B
Diodes Incorporated
1: S/1.52
17,134En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2550UFA-7B

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2550UFA-7B

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC

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S/1.52

S/0.662

S/0.576

S/0.49

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S/0.237

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: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMN3020UTS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.81
4,243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3020UTS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3020UTS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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S/3.81

S/1.74

S/1.53

S/1.27

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S/0.814

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh Mode AEC-Q101

DMNH4006SK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/8.49
2,129En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMNH4006SK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMNH4006SK3Q-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh Mode AEC-Q101

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S/8.49

S/4.32

S/3.63

S/2.94

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S/2.42

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF

DMT6008LFG-13
Diodes Incorporated
1: S/6.54
2,835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6008LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6008LFG-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF

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S/6.54

S/3.09

S/2.65

S/2.16

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S/1.67

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H025LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/6.85
2,569En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H025LK3Q-13

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621-DMTH10H025LK3Q13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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S/6.85

S/3.39

S/2.79

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S/2.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A

DMTH6005LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/8.49
1,864En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6005LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6005LPS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A

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S/8.49

S/4.32

S/3.63

S/2.94

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S/2.35

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH8003SPS-13
Diodes Incorporated
1: S/10.98
1,316En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH8003SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH8003SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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S/10.98

S/5.80

S/4.87

S/3.97

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S/3.51

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF

DMN10H120SFG-13
Diodes Incorporated
1: S/4.44
5,385En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN10H120SFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H120SFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF

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S/4.44

S/2.16

S/1.72

S/1.48

S/1.30

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S/0.989

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K

DMN2016LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/4.48
6,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2016LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2016LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K

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S/4.48

S/2.06

S/1.65

S/1.37

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S/0.93

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Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMN2044UCB4-7
Diodes Incorporated
1: S/4.13
4,906En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2044UCB4-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2044UCB4-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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S/4.13

S/1.90

S/1.67

S/1.37

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S/0.895

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Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

DMN3007LSSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/5.45
4,517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3007LSSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3007LSSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

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S/5.45

S/2.63

S/2.17

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S/2.17

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Máx.: 230

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH MOSFET

DMN3900UFA-7B
Diodes Incorporated
1: S/2.37
15,043En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3900UFA-7B

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3900UFA-7B

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH MOSFET

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S/2.37

S/1.06

S/0.872

S/0.673

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S/0.673

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Máx.: 760

: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-CH MOSFET

DMP1022UFDEQ-7
Diodes Incorporated
1: S/5.29
2,967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP1022UFDEQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP1022UFDEQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-CH MOSFET

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2,967En existencias

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S/5.29

S/2.47

S/2.19

S/1.76

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.34

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHAN

DMP2035UTS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.97
4,035En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2035UTS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2035UTS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHAN

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S/3.97

S/1.83

S/1.61

S/1.41

Envase tipo carrete

S/0.86

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

DMTH43M8LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/7.71
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH43M8LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH43M8LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

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S/7.71

S/3.93

S/3.04

S/2.46

Envase tipo carrete

S/1.69

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Enh Mode FET 41V to 60V TO263

DMTH6004SCTB-13
Diodes Incorporated
1: S/13.31
750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6004SCTB-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SCTB-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Enh Mode FET 41V to 60V TO263

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750En existencias

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S/13.31

S/7.01

S/5.88

S/4.32

Envase tipo carrete

S/4.28

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Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V N-Channel 6.1A MOSFET

ZXMN7A11KTC
Diodes Incorporated
1: S/6.07
2,091En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN7A11KTC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN7A11KTC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V N-Channel 6.1A MOSFET

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2,091En existencias

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S/6.07

S/2.85

S/2.32

S/2.12

S/1.80

Envase tipo carrete

S/1.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K

DMG4511SK4-13
Diodes Incorporated
1: S/5.68
2,273En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG4511SK4-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMG4511SK4-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K

Hoja de datos

2,273En existencias

Cinta cortada

S/5.68

S/2.66

S/2.34

S/1.94

S/1.66

Envase tipo carrete

S/1.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMG7430LFGQ-7
Diodes Incorporated
1: S/4.48
3,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG7430LFGQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG7430LFGQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

Hoja de datos

3,750En existencias

Cinta cortada

S/4.48

S/2.76

S/1.81

S/1.42

Envase tipo carrete

S/0.95

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP

DMHC3025LSDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/6.38
2,545En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMHC3025LSDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMHC3025LSDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP

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2,545En existencias

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S/6.38

S/3.00

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.57

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190

: 2,500

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