Semiconductores – Mouser Perú

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Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

ZXMHC6A07N8TC
Diodes Incorporated
1: S/6.89
32,124En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMHC6A07N8TC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMHC6A07N8TC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

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S/2.07

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S/1.82

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

DMT6004LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/11.05
1,273En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6004LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6004LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

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S/11.05

S/5.61

S/4.83

S/4.09

S/3.62

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S/3.29

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523

DMG1013T-7
Diodes Incorporated
1: S/1.13
1,507,132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG1013T-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG1013T-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523

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S/0.428

S/0.374

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S/0.206

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

DMN2011UFDE-7
Diodes Incorporated
1: S/5.25
64,037En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2011UFDE-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2011UFDE7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563

DMG1016V-7
Diodes Incorporated
1: S/2.45
233,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG1016V-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016V-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563

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S/0.728

S/0.592

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S/0.378

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm

ZXMP7A17GQTA
Diodes Incorporated
1: S/6.38
17,666En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMP7A17GQTA

N.º de artículo de Mouser
621-ZXMP7A17GQTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm

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S/6.38

S/3.00

S/2.55

S/2.25

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S/1.67

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power

FZT753TC
Diodes Incorporated
1: S/5.57
4,949En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FZT753TC

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522-FZT753TC

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power

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S/2.63

S/2.22

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V

ZVN3320FTA
Diodes Incorporated
1: S/3.78
22,313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZVN3320FTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZVN3320FTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V

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S/3.78

S/1.72

S/1.52

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel

ZXMC4559DN8TC
Diodes Incorporated
1: S/9.93
3,347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMC4559DN8TC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMC4559DN8TC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel

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S/9.93

S/6.38

S/4.36

S/3.67

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S/2.72

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap

ZXMN2B03E6TA
Diodes Incorporated
1: S/6.42
4,645En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN2B03E6TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN2B03E6TA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap

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S/6.42

S/3.03

S/2.70

S/2.30

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S/1.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

DMN10H170SVT-7
Diodes Incorporated
1: S/3.85
37,854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN10H170SVT-7

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621-DMN10H170SVT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

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S/3.85

S/1.76

S/1.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A

DMNH10H028SK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/13.16
2,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMNH10H028SK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMNH10H028SK3Q13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A

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S/13.16

S/6.93

S/5.92

S/4.94

S/4.59

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S/4.28

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMNH6035SPDW-13
Diodes Incorporated
1: S/8.64
3,368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMNH6035SPDW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMNH6035SPDW-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

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S/8.64

S/4.40

S/3.69

S/2.99

S/2.68

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S/2.39

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A

DMP3008SFGQ-13
Diodes Incorporated
1: S/7.94
8,651En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3008SFGQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3008SFGQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A

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S/7.94

S/3.89

S/3.23

S/2.72

S/2.42

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S/2.07

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode -30V Low Rdson -20Vgss

DMP3028LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/4.13
9,479En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3028LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3028LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode -30V Low Rdson -20Vgss

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S/4.13

S/2.57

S/1.67

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S/1.67

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K

DMT10H009LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/7.82
6,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H009LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H009LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K

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S/7.82

S/3.74

S/3.25

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S/3.25

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

DMT10H010LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/9.85
2,442En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H010LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H010LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

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S/9.85

S/4.87

S/4.20

S/3.41

Envase tipo carrete

S/2.85

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Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3.7mOHm 10V 100A

DMTH4005SPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/8.33
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4005SPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4005SPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3.7mOHm 10V 100A

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S/8.33

S/4.01

S/3.55

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.19

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A

DMTH4007LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/6.66
6,927En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4007LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A

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S/6.66

S/3.55

S/2.74

S/2.23

S/1.91

Envase tipo carrete

S/1.56

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V MOSFET (UMOS)

ZXMN6A25GTA
Diodes Incorporated
1: S/8.06
17,023En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN6A25GTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN6A25GTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V MOSFET (UMOS)

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S/8.06

S/3.85

S/3.38

Envase tipo carrete

S/3.38

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 100 Volt 5.2A

ZXMP10A18KTC
Diodes Incorporated
1: S/8.84
8,758En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMP10A18KTC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMP10A18KTC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 100 Volt 5.2A

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8,758En existencias

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S/8.84

S/4.40

S/3.79

Envase tipo carrete

S/3.79

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Máx.: 320

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 60V MOSFET (UMOS)

ZXMP6A16KTC
Diodes Incorporated
1: S/7.71
9,697En existencias
7,500Se espera el 15/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
ZXMP6A16KTC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMP6A16KTC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 60V MOSFET (UMOS)

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9,697En existencias

7,500Se espera el 15/01/2027

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S/7.71

S/4.36

S/3.21

Envase tipo carrete

S/3.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 140

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
1: S/1.95
76,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMC2700UDM-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMC2700UDM-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

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76,792En existencias

Cinta cortada

S/1.95

S/0.86

S/0.751

S/0.65

S/0.584

Envase tipo carrete

S/0.37

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Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHAN.

DMP2069UFY4-7
Diodes Incorporated
1: S/3.97
19,788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2069UFY4-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2069UFY4-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHAN.

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19,788En existencias

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S/3.97

S/1.83

S/1.61

S/1.41

Envase tipo carrete

S/0.891

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Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMP3056LSDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/5.99
8,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3056LSDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3056LSDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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8,550En existencias

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S/5.99

S/2.93

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.94

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Máx.: 210

: 2,500

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