Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
NXP Semiconductors AFT27S006NT1
AFT27S006NT1
NXP Semiconductors
1:
S/85.64
1,248 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-AFT27S006NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
1,248 En existencias
1
S/85.64
10
S/63.95
25
S/59.36
50
S/57.26
100
Ver
1,000
S/43.52
100
S/55.35
250
S/53.83
500
S/52.43
1,000
S/43.52
2,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
N-Channel
Si
65 V
728 MHz to 3.7 GHz
16 dB
28.8 dBm
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5W
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1:
S/21.02
21,803 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS004NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
21,803 En existencias
1
S/21.02
10
S/13.70
25
S/12.03
50
S/11.37
1,000
S/8.45
2,000
Ver
100
S/10.74
250
S/9.77
500
S/8.99
2,000
S/8.25
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
N-Channel
Si
4 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
20.9 dB
4.9 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
SOT-89-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101AN
NXP Semiconductors
1:
S/173.02
896 En existencias
2,000 En pedido
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-MRF101AN
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
896 En existencias
2,000 En pedido
1
S/173.02
10
S/141.38
25
S/137.79
50
S/123.70
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
8.8 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
21.1 dB
115 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-220-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300AN
NXP Semiconductors
1:
S/340.67
439 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-MRF300AN
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
439 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
30 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
20.4 dB
330 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-247-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
AFM907NT1
NXP Semiconductors
1:
S/25.50
10,000 En existencias
7,000 Se espera el 29/07/2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-AFM907NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
10,000 En existencias
7,000 Se espera el 29/07/2026
1
S/25.50
10
S/16.70
25
S/14.17
50
S/13.16
1,000
S/10.43
2,000
Ver
100
S/12.30
250
S/11.56
500
S/10.94
2,000
S/10.20
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
N-Channel
Si
3 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
15 dB
8 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
DFN-16
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1:
S/177.34
522 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MP075NR1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
522 En existencias
1
S/177.34
10
S/144.29
25
S/135.42
50
S/133.59
100
Ver
500
S/120.08
100
S/126.70
250
S/125.34
500
S/120.08
1,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :500
Detalles
N-Channel
Si
8 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
18.5 dB
70 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-WB-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1:
S/92.06
2,103 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS031GNR1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
2,103 En existencias
1
S/92.06
10
S/73.69
25
S/68.35
50
S/65.94
100
Ver
500
S/60.33
100
S/63.72
250
S/61.97
500
S/60.33
1,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :500
Detalles
N-Channel
Si
7.5 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
17.7 dB
33 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,594.64
64 En existencias
100 Se espera el 12/10/2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRF1K50HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
64 En existencias
100 Se espera el 12/10/2026
1
S/1,594.64
10
S/1,381.21
25
S/1,327.97
50
S/1,295.81
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :50
Detalles
N-Channel
Si
36 A
135 V
1.8 MHz to 500 MHz
23.7 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230H-4S
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,392.35
28 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRF1K50NR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
28 En existencias
1
S/1,392.35
10
S/1,202.04
25
S/1,154.52
50
S/1,125.87
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :50
Detalles
N-Channel
Si
36 A
133 V
1.8 MHz to 500 MHz
23 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,695.34
83 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP61K25HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
83 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/1,695.34
10
S/1,465.53
25
S/1,408.23
50
S/1,373.55
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :50
Detalles
N-Channel
Si
30 A
133 V
1.8 MHz to 600 MHz
24 dB
1.25 kW
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230H-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
NXP Semiconductors MHT1803B
MHT1803B
NXP Semiconductors
1:
S/152.94
283 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-MHT1803B
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
283 En existencias
1
S/152.94
10
S/124.09
25
S/116.39
50
S/114.36
100
Ver
100
S/107.94
240
S/105.64
480
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
N-Channel
Si
1.8 MHz to 50 MHz
28.2 dB
300 W
+ 150 C
Through Hole
TO-247-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,374.56
50 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80NR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
50 En existencias
1
S/1,374.56
10
S/1,186.40
25
S/1,139.41
50
S/1,111.11
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :50
Detalles
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
24.4 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
S/76.10
215 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS031NR1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
215 En existencias
1
S/76.10
10
S/60.68
25
S/56.83
100
S/55.20
500
S/51.23
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :500
Detalles
N-Channel
Si
10 A
40 V
764 MHz to 941 MHz
15.7 dB
32 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,310.76
8 En existencias
250 Se espera el 14/12/2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP6300HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
8 En existencias
250 Se espera el 14/12/2026
1
S/1,310.76
10
S/1,124.19
50
S/1,124.19
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :50
Detalles
N-Channel
Si
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
26.5 dB
300 W
+ 150 C
Screw Mount
NI-780-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101BN
NXP Semiconductors
1:
S/152.08
50 En existencias
500 Se espera el 8/10/2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-MRF101BN
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
50 En existencias
500 Se espera el 8/10/2026
1
S/152.08
10
S/123.74
25
S/122.11
50
S/112.42
100
Ver
100
S/108.91
250
S/104.59
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
No
N-Channel
Si
8.8 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
21.1 dB
115 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-220-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
AFM906NT1
NXP Semiconductors
1:
S/14.44
49 En existencias
1,000 En pedido
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-AFM906NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
49 En existencias
1,000 En pedido
1
S/14.44
10
S/10.86
25
S/9.96
100
S/8.99
250
Ver
1,000
S/7.94
250
S/8.52
500
S/8.21
1,000
S/7.94
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
N-Channel
Si
4.7 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
16.2 dB
6.5 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
HVSON-16
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
S/94.04
10 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS031NR1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
10 En existencias
1
S/94.04
10
S/75.28
25
S/69.83
50
S/67.38
100
Ver
500
S/61.66
100
S/65.12
250
S/63.33
500
S/61.66
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :500
Detalles
N-Channel
Si
7.5 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
17.7 dB
33 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1:
S/29.97
20 En existencias
6,000 Se espera el 4/08/2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS007NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
20 En existencias
6,000 Se espera el 4/08/2026
1
S/29.97
10
S/22.97
25
S/19.81
50
S/18.41
100
Ver
1,000
S/14.44
100
S/17.20
250
S/16.19
500
S/15.30
1,000
S/14.44
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
N-Channel
Si
3 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
15.2 dB
7.3 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V
MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
1:
S/691.11
1 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRF6V10010NR4
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V
1 En existencias
1
S/691.11
10
S/586.25
20
S/558.65
50
S/551.22
100
S/512.64
200
Ver
200
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :100
Detalles
N-Channel
Si
100 V
960 MHz to 1.4 GHz
25 dB
10 W
- 65 C
+ 150 C
Screw Mount
PLD-1.5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
MHT1803A
NXP Semiconductors
1:
S/152.12
238 Se espera el 8/10/2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-MHT1803A
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
238 Se espera el 8/10/2026
1
S/152.12
10
S/123.78
25
S/115.53
50
S/113.66
100
S/108.13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
N-Channel
Si
1.8 MHz to 50 MHz
28.2 dB
330 W
+ 150 C
Through Hole
TO-247-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300BN
NXP Semiconductors
1:
S/340.40
232 En pedido
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-MRF300BN
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
232 En pedido
1
S/340.40
10
S/283.61
25
S/267.03
100
S/252.20
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
30 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
20.4 dB
330 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-247-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,634.38
Plazo de entrega 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
Plazo de entrega 53 Semanas
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :50
Detalles
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
25.1 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230H-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
A2T08VD020NT1
NXP Semiconductors
1:
S/106.81
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-A2T08VD020NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
1
S/106.81
10
S/69.99
25
S/59.36
50
S/55.16
100
Ver
1,000
S/40.48
100
S/51.54
250
S/48.50
500
S/44.26
1,000
S/40.48
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
N-Channel
Si
64 mA
105 V
728 MHz to 960 MHz
19.1 dB
2 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
PQFN-24
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
AFT09MS031GNR1
NXP Semiconductors
1:
S/117.86
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS031GNR1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
1
S/117.86
10
S/96.77
25
S/91.01
50
S/89.45
100
Ver
500
S/78.36
100
S/85.52
250
S/83.18
500
S/78.36
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :500
Detalles
N-Channel
Si
10 A
40 V
764 MHz to 941 MHz
15.7 dB
32 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520 MHz, 8 W, 12.5 V
MRF1518NT1
NXP Semiconductors
1:
S/57.69
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRF1518NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520 MHz, 8 W, 12.5 V
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
1
S/57.69
10
S/37.80
25
S/32.07
50
S/29.82
100
Ver
1,000
S/22.34
100
S/27.83
250
S/26.31
1,000
S/22.34
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
N-Channel
Si
4 A
40 V
520 MHz
13 dB
8 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Perú