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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 80 Amp 3,120En existencias
S/19.77
S/12.96
S/9.69
S/8.10
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 4 mOhms 20 V 1 V 110 nC - 65 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp 1,693En existencias
S/15.69
S/7.98
S/7.20
S/5.92
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 15 mOhms 20 V 2 V 135 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp 1,908En existencias
Cinta cortada
S/13.58
S/7.12
S/6.23
S/5.22
Envase tipo carrete
S/4.48
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms 20 V 2 V 142 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V Pwr Mosfet 1,695En existencias
Cinta cortada
S/19.27
S/9.96
S/9.07
S/7.86
Envase tipo carrete
S/7.32
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2 mOhms 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60V 0.060 Ohm 16A 6,785En existencias
Cinta cortada
S/6.70
S/3.17
S/2.81
S/2.21
Envase tipo carrete
S/1.58
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 16 A 70 mOhms 20 V 2 V 14.1 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A 2,881En existencias
Cinta cortada
S/9.38
S/4.59
S/4.13
S/3.27
Envase tipo carrete
S/3.13
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.8 mOhms 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A 1,885En existencias
3,000Se espera el 30/10/2026
S/13.94
S/8.76
S/6.73
S/5.76
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 10.5 mOhms 20 V 2 V 233 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 24 Amp 5,157En existencias
S/9.73
S/5.14
S/4.09
S/3.40
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 26 A 60 mOhms 20 V 2 V 30 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp 1,816En existencias
S/9.30
S/5.68
S/3.93
S/3.62
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 38 mOhms 20 V 2 V 55 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A 3,409En existencias
Cinta cortada
S/6.93
S/3.30
S/2.95
S/2.32
Envase tipo carrete
S/1.96
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 5 A 45 mOhms 15 V 1.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 50 Amp 3,679En existencias
Cinta cortada
S/13.16
S/6.58
S/5.92
S/4.83
Envase tipo carrete
S/4.40
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms 20 V 2 V 60 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp 5,049En existencias
Cinta cortada
S/7.71
S/3.69
S/3.30
S/2.61
S/2.33
Envase tipo carrete
S/1.97
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 18 mOhms 20 V 2 V 60 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120 Volt 80 Amp 1,798En existencias
S/11.64
S/5.76
S/5.22
S/4.20
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 80 A 18 mOhms 20 V 2 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II 2,081En existencias
S/10.24
S/5.22
S/4.48
S/3.73
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 68 V 98 A 9.8 mOhms 20 V 2 V 75 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 120 Amp 718En existencias
S/18.14
S/9.30
S/8.10
S/7.79
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 7.5 mOhms 20 V 2 V 218 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ 17A STripFET II Power MOSFET 4,673En existencias
Cinta cortada
S/4.87
S/2.27
S/2.01
S/1.56
Envase tipo carrete
S/1.19
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 50 mOhms 16 V 1 V 6.5 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A 2,089En existencias
Cinta cortada
S/9.11
S/4.44
S/3.97
S/3.16
S/2.98
Envase tipo carrete
S/2.68
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 25 A 38 mOhms 20 V 2 V 55 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI 675En existencias
Cinta cortada
S/17.28
S/11.17
S/9.93
S/8.56
Envase tipo carrete
S/7.28
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 2.4 mOhms 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40 V StripFET II Pwr Mos 850En existencias
S/11.09
S/7.32
S/5.68
S/4.75
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5 mOhms 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40 Volt 120 Amp 1,108En existencias
Cinta cortada
S/14.67
S/7.47
S/6.77
S/5.53
Envase tipo carrete
S/5.10
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 4.6 mOhms 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 120 Amp 1,452En existencias
Cinta cortada
S/18.57
S/9.58
S/8.68
S/7.47
Envase tipo carrete
S/7.05
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 7.5 mOhms 20 V 2 V 218 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 16 Amp 3,035En existencias
Cinta cortada
S/8.14
S/4.24
S/3.61
S/2.92
Envase tipo carrete
S/2.65
S/2.53
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 16 A 90 mOhms 20 V 1 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II 2,103En existencias
4,000Se espera el 4/06/2027
Cinta cortada
S/10.24
S/5.02
S/4.52
S/3.61
Envase tipo carrete
S/3.28
S/3.11
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 17 A 140 mOhms 20 V 2 V 29.3 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK 1,400En existencias
Cinta cortada
S/13.55
S/6.81
S/6.31
S/5.29
Envase tipo carrete
S/4.87
S/4.59
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 330 V 18 A 180 mOhms 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp 13,146En existencias
Cinta cortada
S/11.79
S/5.84
S/5.29
S/4.24
Envase tipo carrete
S/3.89
S/3.82
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 14 mOhms 20 V 2.5 V 35 nC - 65 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel