CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs are high-voltage super-junction MOSFET technology solutions. The Infineon Technologies CoolMOS 8 has an integrated fast body diode and is ideal for diverse applications. The CoolMOS 8 enhances Infineon's wide-bandgap (WBG) portfolio as the successor to the 600V CoolMOS 7 MOSFET family.

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Resultados: 53
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
834En existencias
2,000Se espera el 15/10/2026
Cinta cortada
S/36.75
S/23.12
S/20.94
S/18.61
S/17.75
Envase tipo carrete
S/16.66
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
MOSFETs Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
Hoja de datos
836En existencias
Cinta cortada
S/44.45
S/24.83
S/23.90
S/22.62
Envase tipo carrete
S/22.62
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
MOSFETs Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
Hoja de datos
882En existencias
Cinta cortada
S/34.64
S/18.88
S/17.36
S/17.20
S/14.05
Envase tipo carrete
S/14.01
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
MOSFETs Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
Hoja de datos
834En existencias
Cinta cortada
S/22.30
S/11.68
S/10.63
S/9.58
S/7.82
Envase tipo carrete
S/7.79
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
MOSFETs Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
Hoja de datos
873En existencias
Cinta cortada
S/17.98
S/9.26
S/8.41
S/7.20
Envase tipo carrete
S/6.03
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
MOSFETs Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
Hoja de datos
414En existencias
Cinta cortada
S/25.89
S/13.74
S/12.57
S/11.68
S/9.54
Envase tipo carrete
S/9.50
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
MOSFETs Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
2,195En existencias
Cinta cortada
S/107.20
S/73.96
S/69.75
S/66.06
Envase tipo carrete
S/66.06
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
MOSFETs Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
2,628En existencias
S/52.24
S/29.08
S/27.91
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
617En existencias
S/52.86
S/29.43
S/29.35
S/28.34
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,929En existencias
1,500Se espera el 8/10/2026
Cinta cortada
S/102.84
S/74.58
S/70.42
S/65.74
Envase tipo carrete
S/65.74
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
Hoja de datos
5,849En existencias
S/54.07
S/30.83
S/28.80
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
715En existencias
Cinta cortada
S/23.86
S/12.57
S/11.48
S/9.89
Envase tipo carrete
S/9.89
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
MOSFETs Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
663En existencias
Cinta cortada
S/61.93
S/36.78
S/34.84
Envase tipo carrete
S/34.84
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
MOSFETs Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
773En existencias
Cinta cortada
S/49.63
S/28.03
S/27.60
S/26.08
Envase tipo carrete
S/26.08
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
MOSFETs Si SMD/SMT N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
Hoja de datos
1,600En existencias
Cinta cortada
S/26.86
S/14.29
S/13.08
S/12.26
S/11.60
Envase tipo carrete
S/11.60
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
MOSFETs Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
1,495En existencias
Cinta cortada
S/23.12
S/12.14
S/11.09
S/10.04
S/9.65
Envase tipo carrete
S/9.50
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
MOSFETs Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
1,360En existencias
Cinta cortada
S/18.65
S/9.61
S/8.72
S/7.55
Envase tipo carrete
S/7.12
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
MOSFETs Si SMD/SMT N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
1,853En existencias
Cinta cortada
S/16.00
S/8.14
S/7.36
S/6.11
Envase tipo carrete
S/5.76
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
MOSFETs Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
3,157En existencias
Cinta cortada
S/13.43
S/6.73
S/6.07
S/4.94
S/4.83
Envase tipo carrete
S/4.55
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
MOSFETs Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
669En existencias
2,000Se espera el 29/10/2026
Cinta cortada
S/45.78
S/25.65
S/24.83
S/23.47
Envase tipo carrete
S/23.47
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
MOSFETs Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
950En existencias
S/30.32
S/15.96
S/14.67
S/14.64
S/13.62
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
898En existencias
S/18.68
S/9.38
S/8.56
S/8.10
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
1,319En existencias
960Se espera el 1/10/2026
S/66.64
S/38.26
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
298En existencias
S/40.60
S/22.07
S/20.12
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
620En existencias
S/31.22
S/16.47
S/15.14
S/15.10
S/14.17
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel