Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

NVMFD5C Power MOSFETs

onsemi NVMFD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications. NVMFD5C MOSFETs feature low ON Resistance to minimize conduction losses, and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These Power MOSFETs are 100% avalanche-tested and are available with a Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 26

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS NVMFD5C466NLT1G onsemi 1: S/11.76 27,819En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C466NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C466NLT1G NRND	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	27,819En existencias	Cinta cortada S/11.76 S/5.84 S/5.25 S/4.24 S/3.80 Envase tipo carrete S/3.80	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	40 V	52 A	6.2 mOhms, 6.2 mOhms	20 V	1.2 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	40 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS NVMFD5C446NLWFT1G onsemi 1: S/24.99 2,178En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C446NLWFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C446NLWFT	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	2,178En existencias	Cinta cortada S/24.99 S/13.20 S/12.07 S/11.33 S/10.51 Envase tipo carrete S/10.51	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	40 V	145 A	2.2 mOhms, 2.2 mOhms	20 V	1.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL NVMFD5C668NLT1G onsemi 1: S/18.29 1,829En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C668NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C668NLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	1,829En existencias	Cinta cortada S/18.29 S/9.42 S/8.52 S/7.32 S/6.93 Envase tipo carrete S/6.93 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	60 V	68 A	6.5 mOhms	20 V	2 V	21.3 nC	- 55 C	+ 175 C	57.5 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS NVMFD5C650NLET1G onsemi 1: S/12.07 5,840En existencias 1,500Se espera el 25/09/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C650NLET1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C650NLET1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	5,840En existencias 1,500Se espera el 25/09/2026	Cinta cortada S/12.07 S/7.82 S/5.41 S/4.36 Envase tipo carrete S/4.36	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 789 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-8	N-Channel	2 Channel	60 V	111 A	4.2 mOhms	20 V	2.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS NVMFD5C466NLWFET1G onsemi 1: S/7.47 1,480En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C466NLWFET1G N.º de artículo de Mouser 863-MFD5C466NLWFET1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	1,480En existencias	Cinta cortada S/7.47 S/3.57 S/3.19 Envase tipo carrete S/3.19	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 148 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-8	N-Channel	2 Channel	40 V	52 A	7.4 mOhms	20 V	2.2 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	46 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS NVMFD5C470NLWFET1G onsemi 1: S/7.75 2,937En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C470NLWFET1G N.º de artículo de Mouser 863-MFD5C470NLWFET1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	2,937En existencias	Cinta cortada S/7.75 S/4.79 S/3.15 Envase tipo carrete S/3.15	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 295 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-8	N-Channel	2 Channel	40 V	36 A	11.5 mOhms	20 V	2.2 V	9 nC	- 55 C	+ 175 C	46 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS NVMFD5C466NLET1G onsemi 1: S/7.05 1,359En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C466NLET1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C466NLET1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	1,359En existencias	Cinta cortada S/7.05 S/3.36 S/2.99 Envase tipo carrete S/2.99	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 136 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-8	N-Channel	2 Channel	40 V	52 A	7.4 mOhms	20 V	2.2 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	46 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS NVMFD5C470NLET1G onsemi 1: S/5.96 1,350En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C470NLET1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C470NLET1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	1,350En existencias	Cinta cortada S/5.96 S/2.81 S/2.50 Envase tipo carrete S/2.50	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 150 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-8	N-Channel	2 Channel	40 V	36 A	11.5 mOhms	20 V	2.2 V	9 nC	- 55 C	+ 175 C	46 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS NVMFD5C680NLET1G onsemi 1: S/7.47 1,676En existencias 1,500Se espera el 30/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C680NLET1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C680NLET1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	1,676En existencias 1,500Se espera el 30/10/2026	Cinta cortada S/7.47 S/3.53 S/3.09 Envase tipo carrete S/3.09	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 318 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-8	N-Channel	2 Channel	60 V	20 A	28 mOhms	20 V	2.2 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	24 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS NVMFD5C650NLT1G onsemi 1: S/24.21 9,743En existencias 58,500En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C650NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C650NLT1G NRND	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	9,743En existencias 58,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NVMFD5C650NLT1G Existencias: 9,743 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1,500 Se espera el 5/10/2026 33,000 Se espera el 13/11/2026 24,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/24.21 S/12.77 S/11.68 S/10.70 S/10.35 Envase tipo carrete S/10.00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	60 V	111 A	3.5 mOhms, 3.5 mOhms	20 V	2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS NVMFD5C446NLT1G onsemi 1: S/22.58 1,248En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C446NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C446NLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	1,248En existencias	Cinta cortada S/22.58 S/11.83 S/10.78 S/9.73 S/9.19 Envase tipo carrete S/9.19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	40 V	145 A	2.2 mOhms, 2.2 mOhms	20 V	1.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS NVMFD5C672NLWFT1G onsemi 1: S/13.27 2,764En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C672NLWFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C672NLWFT	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	2,764En existencias	Cinta cortada S/13.27 S/6.66 S/5.99 S/4.87 S/4.48 Envase tipo carrete S/4.48 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	60 V	49 A	9.8 mOhms, 9.8 mOhms	20 V	1.2 V	12.3 nC	- 55 C	+ 175 C	45 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS NVMFD5C674NLT1G onsemi 1: S/11.83 2,074En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C674NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C674NLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	2,074En existencias	Cinta cortada S/11.83 S/5.88 S/5.29 S/4.28 Envase tipo carrete S/3.93 Ver S/4.09 S/3.84 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	60 V	42 A	11.7 mOhms	20 V	2 V	10 nC	- 55 C	+ 175 C	37 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS NVMFD5C674NLWFT1G onsemi 1: S/11.95 2,101En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C674NLWFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C674NLWFT	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	2,101En existencias	Cinta cortada S/11.95 S/5.96 S/5.37 S/4.32 S/3.89 Envase tipo carrete S/3.89 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	60 V	42 A	11.7 mOhms	20 V	2 V	10 nC	- 55 C	+ 175 C	37 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS NVMFD5C680NLWFT1G onsemi 1: S/10.35 6,873En existencias 16,500Se espera el 3/11/2026	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C680NLWFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C680NLWFT	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	6,873En existencias 16,500Se espera el 3/11/2026	Cinta cortada S/10.35 S/5.10 S/4.59 S/3.66 Envase tipo carrete S/3.22 Ver S/3.22 S/3.20	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	60 V	26 A	23 mOhms, 23 mOhms	20 V	1.2 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	19 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 NVMFD5C446NT1G onsemi 1: S/23.55 28En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C446NT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C446NT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	28En existencias	Cinta cortada S/23.55 S/14.01 S/11.25 S/10.08 S/8.99 Envase tipo carrete S/8.99 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	40 V	127 A	2.9 mOhms	20 V	2.5 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	89 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS NVMFD5C462NLT1G onsemi 1: S/14.56 72En existencias 4,500Se espera el 5/02/2027	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C462NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C462NLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	72En existencias 4,500Se espera el 5/02/2027	Cinta cortada S/14.56 S/9.54 S/6.93 S/5.80 S/5.41 Envase tipo carrete S/5.41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	40 V	84 A	3.9 mOhms, 3.9 mOhms	20 V	1.2 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS NVMFD5C462NLWFT1G onsemi 1: S/15.96 12En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C462NLWFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C462NLWFT	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	12En existencias	Cinta cortada S/15.96 S/9.69 S/8.14 S/6.42 S/5.72 Envase tipo carrete S/5.72	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	40 V	84 A	3.9 mOhms, 3.9 mOhms	20 V	1.2 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 NVMFD5C462NT1G onsemi 1: S/14.99 380En existencias 1,500Se espera el 14/12/2026	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C462NT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C462NT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	380En existencias 1,500Se espera el 14/12/2026	Cinta cortada S/14.99 S/9.77 S/6.85 S/5.72 S/5.33 Envase tipo carrete S/5.33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	40 V	70 A	5.4 mOhms	20 V	2.5 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 NVMFD5C478NLT1G onsemi 1: S/10.55 315En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C478NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C478NLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	315En existencias	Cinta cortada S/10.55 S/5.18 S/4.67 S/3.73 S/3.29 Envase tipo carrete S/3.28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	40 V	29 A	14.5 mOhms	20 V	1.2 V	8.1 nC	- 55 C	+ 175 C	23 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8 NVMFD5C478NT1G onsemi 1: S/10.67 510En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C478NT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C478NT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8 Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	510En existencias	Cinta cortada S/10.67 S/5.25 S/4.71 S/3.78 S/3.33 Envase tipo carrete S/3.33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	40 V	27 A	17 mOhms	20 V	2.5 V	6.3 nC	- 55 C	+ 175 C	23 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS NVMFD5C650NLWFT1G onsemi 1: S/27.56 226En existencias 6,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C650NLWFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C650NLWFT	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	226En existencias 6,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NVMFD5C650NLWFT1G Existencias: 226 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1,500 Se espera el 12/10/2026 4,500 Se espera el 22/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/27.56 S/15.92 S/13.31 S/11.87 S/10.59 Envase tipo carrete S/10.59 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	60 V	111 A	3.5 mOhms, 3.5 mOhms	20 V	2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS NVMFD5C672NLT1G onsemi 1: S/14.09 46En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C672NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C672NLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	46En existencias	Cinta cortada S/14.09 S/8.91 S/6.23 S/5.14 S/4.75 Envase tipo carrete S/4.75	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	60 V	49 A	9.8 mOhms, 9.8 mOhms	20 V	1.2 V	12.3 nC	- 55 C	+ 175 C	45 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS NVMFD5C466NLWFT1G onsemi 1: S/15.45 111En existencias 3,000Se espera el 8/12/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C466NLWFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C466NLWFT NRND	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	111En existencias 3,000Se espera el 8/12/2026	Cinta cortada S/15.45 S/8.76 S/7.05 S/5.80 S/5.10 Envase tipo carrete S/5.10	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	40 V	52 A	6.2 mOhms, 6.2 mOhms	20 V	1.2 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	40 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS NVMFD5C470NLT1G onsemi 1: S/10.98 36En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante NVMFD5C470NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C470NLT1G NRND	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS Obtenga más información sobre onsemi nvmfd5c	Hoja de datos	36En existencias	Cinta cortada S/10.98 S/5.45 S/4.83 S/3.93 S/3.46 Envase tipo carrete S/3.24	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	40 V	36 A	9.2 mOhms, 9.2 mOhms	20 V	1.2 V	9 nC	- 55 C	+ 175 C	24 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape

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