Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS™7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™7 automotive power MOSFETs help engineers build higher-efficiency and higher-density automotive power systems. The devices combine advanced MOSFET silicon with modern leadless power packaging to reduce conduction and switching losses in compact designs. Built for 12V and 48V vehicle architectures, OptiMOS7 MOSFETs support higher current capability, simplify thermal management, and improve overall system performance.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 70

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN10S7L040ATMA1 Infineon Technologies 1: S/13.04 4,925En existencias 5,000Se espera el 26/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN10S7L040ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN10S7L040ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4,925En existencias 5,000Se espera el 26/10/2026	Cinta cortada S/13.04 S/7.67 S/5.84 S/4.87 S/4.75 Envase tipo carrete S/4.24	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	130 A	3.3 mOhms	16 V	2 V	44.3 nC	- 55 C	+ 175 C	118 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology IAUMN04S7N011GAUMA1 Infineon Technologies 1: S/13.47 130En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUMN04S7N011GAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUMN04S7N011GAU Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 power mosfets	Hoja de datos	130En existencias	Cinta cortada S/13.47 S/8.72 S/6.03 S/5.02 Envase tipo carrete S/4.36	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000																OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology IAUMN04S7N009GAUMA1 Infineon Technologies 1: S/14.91 386En existencias 2,000Se espera el 22/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUMN04S7N009GAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUMN04S7N009GAU Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 power mosfets	Hoja de datos	386En existencias 2,000Se espera el 22/10/2026	Cinta cortada S/14.91 S/9.73 S/7.08 S/5.96 S/5.88 Envase tipo carrete S/5.14	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000																OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V OptiMOS 7 Automotive MOSFET, TOLL (10x12) IAUTN08S7N006ATMA1 Infineon Technologies 1: S/35.42 3,997En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUTN08S7N006ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN08S7N006ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V OptiMOS 7 Automotive MOSFET, TOLL (10x12) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	3,997En existencias	Cinta cortada S/35.42 S/19.35 S/17.83 S/17.71 S/16.23 Envase tipo carrete S/14.44	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8	N-Channel	1 Channel	40 V	905 A	0.29 mOhms	20 V	3 V	268 nC	- 55 C	+ 175 C	357 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 IAUCN04S7L023HATMA1 Infineon Technologies 1: S/10.24 2,411En existencias 5,000Se espera el 22/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L023HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L023HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	2,411En existencias 5,000Se espera el 22/10/2026	Cinta cortada S/10.24 S/5.02 S/4.52 S/3.60 Ver Envase tipo carrete S/3.14 S/3.45 S/3.27 S/3.14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	132 A	2.34 mOhms	16 V	1.8 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 IAUCN04S7L025AHATMA1 Infineon Technologies 1: S/9.23 5,880En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L025AHATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L025AHA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	5,880En existencias	Cinta cortada S/9.23 S/4.48 S/4.01 S/3.20 Ver Envase tipo carrete S/2.72 S/3.10 S/2.83 S/2.72	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	127 A	2.56 mOhms	16 V	1.8 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7) IAUCN10S7L290TATMA1 Infineon Technologies 1: S/7.71 3,818En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN10S7L290TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN10S7L290TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 100v automotive mosfets	Hoja de datos	3,818En existencias	Cinta cortada S/7.71 S/3.69 S/3.30 S/2.61 Envase tipo carrete S/2.20 Ver S/2.53 S/1.96 S/1.95 S/1.92	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	LHDSO-10	N-Channel	1 Channel	100 V	27 A	28.6 mOhms	20 V	2 V	9 nC	- 55 C	+ 175 C	45 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 IAUCN04S7L037HATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.37 451En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L037HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L037HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	451En existencias	Cinta cortada S/8.37 S/4.05 S/3.63 S/2.87 Ver Envase tipo carrete S/2.39 S/2.66 S/2.48 S/2.39	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	84 A	3.78 mOhms	16 V	1.8 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7L042GATMA1 Infineon Technologies 1: S/5.57 1,976En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L042GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L042GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,976En existencias	Cinta cortada S/5.57 S/2.60 S/2.31 S/1.80 Envase tipo carrete S/1.35 Ver S/1.77 S/1.69 S/1.21	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	77 A	4.4 mOhms	20 V	1.8 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N015GATMA1 Infineon Technologies 1: S/7.43 1,984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N015GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N015GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,984En existencias	Cinta cortada S/7.43 S/3.56 S/3.18 S/2.51 Ver Envase tipo carrete S/2.03 S/2.43 S/2.32 S/2.03	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	184 A	1.53 mOhms	20 V	3 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N019GATMA1 Infineon Technologies 1: S/6.73 1,984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N019GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N019GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,984En existencias	Cinta cortada S/6.73 S/3.20 S/2.86 S/2.25 Ver Envase tipo carrete S/1.77 S/2.14 S/2.05 S/1.77	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	147 A	1.95 mOhms	20 V	3 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	81 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N027GATMA1 Infineon Technologies 1: S/6.34 1,984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N027GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N027GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,984En existencias	Cinta cortada S/6.34 S/3.00 S/2.67 S/2.09 S/2.00 Envase tipo carrete S/1.62	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	117 A	2.67 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	70 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N037GATMA1 Infineon Technologies 1: S/5.80 1,992En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N037GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N037GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,992En existencias	Cinta cortada S/5.80 S/2.73 S/2.43 S/1.90 Ver Envase tipo carrete S/1.44 S/1.89 S/1.79 S/1.44	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	91 A	3.65 mOhms	20 V	3 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	57 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N047GATMA1 Infineon Technologies 1: S/5.57 1,912En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N047GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N047GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,912En existencias	Cinta cortada S/5.57 S/2.60 S/2.31 S/1.80 Envase tipo carrete S/1.35 Ver S/1.77 S/1.71 S/1.33	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	79 A	4.7 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7N006TATMA1 Infineon Technologies 1: S/15.18 10,703En existencias 2,000Se espera el 26/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N006TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N006TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	10,703En existencias 2,000Se espera el 26/10/2026	Cinta cortada S/15.18 S/7.67 S/6.97 S/5.72 Envase tipo carrete S/5.37 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-3	N-Channel	1 Channel	40 V	425 A	770 uOhms	20 V	3 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN08S7L013ATMA1 Infineon Technologies 1: S/18.96 21,998En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7L013ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7L013ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	21,998En existencias	Cinta cortada S/18.96 S/9.77 S/8.87 S/7.71 S/7.43 Envase tipo carrete S/7.24	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	293 A	1.26 mOhms	20 V	2 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	219 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7L050HATMA1 Infineon Technologies 1: S/7.51 5,289En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L050HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L050HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	5,289En existencias	Cinta cortada S/7.51 S/4.79 S/3.20 S/2.53 S/2.16 Envase tipo carrete S/2.02	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	65 A	5.04 mOhms	20 V	1.8 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	40 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7N054HATMA1 Infineon Technologies 1: S/7.51 6,133En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N054HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N054HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	6,133En existencias	Cinta cortada S/7.51 S/3.58 S/3.20 S/2.53 Ver Envase tipo carrete S/2.02 S/2.45 S/2.34 S/2.02	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	62 A	5.41 mOhms	20 V	3 V	9 nC	- 55 C	+ 175 C	40 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN08S7L018ATMA1 Infineon Technologies 1: S/15.03 3,571En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7L018ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7L018ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	3,571En existencias	Cinta cortada S/15.03 S/7.59 S/6.89 S/5.64 S/5.41 Envase tipo carrete S/5.29	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	210 A	1.8 mOhms	20 V	2 V	79.9 nC	- 55 C	+ 175 C	169 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN08S7L024ATMA1 Infineon Technologies 1: S/13.16 4,637En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7L024ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7L024ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4,637En existencias	Cinta cortada S/13.16 S/6.58 S/5.96 S/4.83 Ver Envase tipo carrete S/4.40 S/4.75 S/4.59 S/4.40	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	177 A	2.4 mOhms	16 V	2 V	65.2 nC	- 55 C	+ 175 C	148 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN08S7L033ATMA1 Infineon Technologies 1: S/10.20 5,088En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7L033ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7L033ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	5,088En existencias	Cinta cortada S/10.20 S/5.02 S/4.52 S/3.59 Ver Envase tipo carrete S/3.13 S/3.51 S/3.35 S/3.13	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	130 A	3.3 mOhms	16 V	2 V	44.3 nC	- 55 C	+ 175 C	118 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 IAUCN08S7N019TATMA1 Infineon Technologies 1: S/16.31 5,174En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N019TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N019TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	5,174En existencias	Cinta cortada S/16.31 S/8.29 S/7.51 S/6.27 Envase tipo carrete S/5.92	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-2	N-Channel	1 Channel	80 V	223 A	1.94 mOhms	20 V	3.2 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	180 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T IAUCN08S7N024TATMA1 Infineon Technologies 1: S/14.60 4,842En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N024TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N024TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4,842En existencias	Cinta cortada S/14.60 S/7.36 S/6.66 S/5.41 Envase tipo carrete S/5.10	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-1	N-Channel	1 Channel	80 V	186 A	2.44 mOhms	20 V	3.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	157 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 IAUCN08S7N045TATMA1 Infineon Technologies 1: S/11.52 4,892En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N045TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N045TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4,892En existencias	Cinta cortada S/11.52 S/5.80 S/5.14 S/4.16 S/3.93 Envase tipo carrete S/3.60	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-1	N-Channel	1 Channel	80 V	103 A	4.54 mOhms	20 V	3.2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	98 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology IAUMN04S7N005GAUMA1 Infineon Technologies 1: S/19.27 3,698En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUMN04S7N005GAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUMN04S7N005GAU Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 power mosfets	Hoja de datos	3,698En existencias	Cinta cortada S/19.27 S/9.96 S/9.07 S/7.86 Envase tipo carrete S/7.43	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000																OptiMOS	Reel, Cut Tape