Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™7 automotive power MOSFETs help engineers build higher-efficiency and higher-density automotive power systems. The devices combine advanced MOSFET silicon with modern leadless power packaging to reduce conduction and switching losses in compact designs. Built for 12V and 48V vehicle architectures, OptiMOS7 MOSFETs support higher current capability, simplify thermal management, and improve overall system performance.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
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IAUCN10S7L040ATMA1

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726-IAUCN10S7L040ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Cinta cortada

S/13.16

S/8.45

S/5.84

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.59

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130 A

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2 V

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- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N011GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.47
130En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUMN04S7N011GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N011GAU

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

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Cinta cortada

S/13.47

S/8.72

S/6.03

S/5.02

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.40

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)

IAUCN10S7N025TATMA1
Infineon Technologies
2,000: S/7.59
2,000Se espera el 29/07/2026
Nuevo producto

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IAUCN10S7N025TATMA1

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726-CN10S7N025TATMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)

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2,000Se espera el 29/07/2026

Envase tipo carrete

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S/7.24

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: 2,000

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1 Channel

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3.2 V

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- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

IAUCN04S7L023HATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
2,373En existencias
5,000Se espera el 17/09/2026
Nuevo producto

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IAUCN04S7L023HATMA1

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726-IAUCN04S7L023HAT

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S/7.16

S/4.79

S/4.01

S/3.83

Ver

Envase tipo carrete

S/3.14

MouseReel Disponible

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

IAUCN04S7L025AHATMA1
Infineon Technologies
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5,880En existencias
Nuevo producto

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IAUCN04S7L025AHATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L025AHA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

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S/6.31

S/4.20

S/3.47

S/3.34

Envase tipo carrete

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Ver

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Infineon Technologies
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5,289En existencias
Nuevo producto

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IAUCN04S7L050HATMA1

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726-IAUCN04S7L050HAT

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S/8.45

S/5.33

S/3.54

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.13

Ver

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L013ATMA1
Infineon Technologies
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9,992En existencias
Nuevo producto

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IAUCN08S7L013ATMA1

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726-IAUCN08S7L013ATM

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S/20.28

S/13.27

S/9.93

S/8.29

Ver

Envase tipo carrete

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L018ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.03
4,352En existencias
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IAUCN08S7L018ATMA1

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726-IAUCN08S7L018ATM

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S/15.03

S/9.85

S/6.89

S/5.64

S/5.29

Envase tipo carrete

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L024ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
4,712En existencias
Nuevo producto

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IAUCN08S7L024ATMA1

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726-IAUCN08S7L024ATM

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S/13.16

S/8.56

S/5.96

S/4.83

Ver

Envase tipo carrete

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L033ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.47
2,638En existencias
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IAUCN08S7L033ATMA1

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726-IAUCN08S7L033ATM

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S/10.47

S/6.70

S/4.55

S/3.88

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Envase tipo carrete

S/3.11

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PG-TDSON-8

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1 Channel

80 V

130 A

3.3 mOhms

16 V

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44.3 nC

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+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)

IAUCN10S7L290TATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.52
3,973En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN10S7L290TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S7L290TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)

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S/8.52

S/5.33

S/3.51

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.17

Ver

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LHDSO-10

N-Channel

1 Channel

100 V

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2 V

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- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L012ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
4,768En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L012ATM

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S/8.87

S/5.61

S/3.73

S/2.84

Envase tipo carrete

S/2.32

Ver

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: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

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199 A

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16 V

1.8 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L030ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.58
20,000Se espera el 29/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L030ATMA1

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726-IAUZN04S7L030ATM

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Infineon Technologies

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20,000Se espera el 29/07/2026

Cinta cortada

S/6.58

S/4.09

S/2.69

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3.05 mOhms

16 V

1.8 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN10S7L289ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
4,823En existencias
Nuevo producto

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IAUZN10S7L289ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN10S7L289ATM

Nuevo producto

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S/5.25

S/3.30

S/2.18

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

27 A

28.9 mOhms

16 V

2 V

10.9 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN10S7N078ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
6,527En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUZN10S7N078ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN10S7N078ATM

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Cinta cortada

S/8.87

S/5.72

S/3.86

S/3.07

Envase tipo carrete

S/2.64

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

76 A

7.8 mOhms

20 V

3.2 V

22.2 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

IAUCN04S7L037HATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.64
698En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L037HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L037HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

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698En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/3.70

S/3.63

S/2.95

Ver

Envase tipo carrete

S/2.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

84 A

3.78 mOhms

16 V

1.8 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7L042GATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.50
1,729En existencias
Nuevo producto

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IAUCN04S7L042GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L042GAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

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Cinta cortada

S/6.50

S/4.01

S/2.64

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

77 A

4.4 mOhms

20 V

1.8 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N015GATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.14
1,736En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N015GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N015GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

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Cinta cortada

S/8.14

S/5.10

S/3.36

S/2.66

Envase tipo carrete

S/1.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

184 A

1.53 mOhms

20 V

3 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N019GATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.08
1,743En existencias
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IAUCN04S7N019GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N019GAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

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S/7.08

S/4.48

S/2.93

S/2.32

Envase tipo carrete

S/1.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

147 A

1.95 mOhms

20 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

81 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N027GATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
1,736En existencias
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IAUCN04S7N027GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N027GAT

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Cinta cortada

S/7.82

S/4.83

S/3.17

S/2.49

Envase tipo carrete

S/1.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

117 A

2.67 mOhms

20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N037GATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.93
1,743En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N037GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N037GAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

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SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

91 A

3.65 mOhms

20 V

3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N040HATMA1
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2 Channel

40 V

82 A

4.01 mOhms

20 V

3 V

13 nC

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IAUCN04S7N047GATMA1
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726-IAUCN04S7N047GAT

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THSOG-4

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40 V

79 A

4.7 mOhms

20 V

3 V

13 nC

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IAUCN04S7N054HATMA1
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1,153En existencias
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726-IAUCN04S7N054HAT

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PG-TDSON-8

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2 Channel

40 V

62 A

5.41 mOhms

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3 V

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IAUZN04S7L019ATMA1
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IAUZN04S7L019ATMA1

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1 Channel

40 V

154 A

1.9 mOhms

16 V

1.8 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

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OptiMOS

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OptiMOS™7 Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

27 A
35 A
62 A
65 A
76 A
77 A
79 A
82 A
84 A
91 A
97 A
99 A
100 A
103 A
117 A
120 A
127 A
129 A
130 A
132 A

390 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
590 uOhms
600 uOhms
630 uOhms
720 uOhms
770 uOhms
820 uOhms
910 uOhms
960 uOhms
1.13 mOhms
1.2 mOhms
1.25 mOhms
1.26 mOhms
1.3 mOhms
1.43 mOhms
1.53 mOhms

9 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18 nC
22.2 nC
23 nC
25 nC
27 nC
27.2 nC
29 nC
30 nC
31 nC
34 nC
35.2 nC
36 nC
41 nC

40 W
45 W
50 W
52 W
57 W
58 W
65 W
70 W
75 W
81 W
83 W
88 W
94 W
96 W
98 W
105 W
118 W
129 W
133 W
148 W