Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJQ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJQ Automotive MOSFETs are N-Channel TrenchFET® power MOSFETs. These AEC-Q101-qualified MOSFETs are tested at 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS). The Vishay / Siliconix SQJQ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within -55°C to +175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a fully lead (Pb) free PowerPAK® 8x8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives/actuators, body systems, and battery management.

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Resultados: 41

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ140ER-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/24.64
7,930En existencias

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SQJQ140ER-T1_GE3

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78-SQJQ140ER-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/24.64

S/16.04

S/12.14

S/10.32

S/9.46

Envase tipo carrete

S/8.25

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: 2,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

413 A

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20 V

2.7 V

192 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ142EP-T1_JE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
2,152En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ142EP-T1_JE3

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78-SQJ142EP-T1_JE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

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Cinta cortada

S/7.28

S/4.52

S/2.95

S/2.32

Envase tipo carrete

S/1.61

Ver

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

167 A

3.6 mOhms

20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

191 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

SQJQ100E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.74
13,785En existencias

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SQJQ100E-T1_GE3

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78-SQJQ100E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/16.74

S/8.52

S/7.75

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.07

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

900 uOhms

20 V

1.5 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ410EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.74
10,136En existencias

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SQJQ410EL-T1_GE3

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78-SQJQ410EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/16.74

S/8.52

S/7.75

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.07

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

135 A

2.8 mOhms

20 V

1.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ480E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.74
2,796En existencias

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SQJQ480E-T1_GE3

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78-SQJQ480E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/16.74

S/8.52

S/7.75

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

150 A

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2.5 V

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136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C AEC-Q101

SQJQ150E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.30
3,183En existencias

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SQJQ150E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ150E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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S/12.30

S/6.11

S/5.53

S/4.48

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPak-8

N-Channel

1 Channel

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233 A

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20 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ148E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.88
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SQJQ148E-T1_GE3

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78-SQJQ148E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/12.88

S/6.46

S/5.84

S/4.71

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

375 A

1.3 mOhms

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3.5 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJQ904E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.74
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SQJQ904E-T1_GE3

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78-SQJQ904E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/16.74

S/8.52

S/7.75

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.07

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

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2 Channel

40 V

100 A

2.9 mOhms, 2.9 mOhms

20 V

2.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ144AER-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.80
1,996En existencias

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SQJQ144AER-T1_GE3

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78-SQJQ144AER-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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Cinta cortada

S/15.80

S/8.02

S/7.28

S/6.50

S/6.15

Envase tipo carrete

S/5.64

MouseReel Disponible

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: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8-8LR-8

N-Channel

1 Channel

40 V

575 A

9 mOhms

20 V

3.5 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 8 x 8L

SQJQ404E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.80
1,950En existencias

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SQJQ404E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ404E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 8 x 8L

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Cinta cortada

S/15.80

S/8.02

S/7.28

S/6.03

Envase tipo carrete

S/5.64

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.72 mOhms

20 V

2.5 V

175 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ148ER-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.25
4,858En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ148ER-T1_GE3

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78-SQJQ148ER-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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4,858En existencias

Cinta cortada

S/14.25

S/7.20

S/6.50

S/5.29

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8-8LR-8

N-Channel

1 Channel

40 V

373 A

1.5 mOhms

20 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

394 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

SQJQ906EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.01
1,764En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ906EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ906EL-T1_GE3

Fin de vida útil

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

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1,764En existencias

Cinta cortada

S/14.01

S/7.05

S/6.38

S/5.18

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

160 A

3.6 mOhms, 3.6 mOhms

20 V

1.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ906E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.90
11,495En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ906E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ906E-T1_GE3

Fin de vida útil

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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11,495En existencias

Cinta cortada

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

95 A

3.3 mOhms

20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ900E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.09
944En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ900E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ900E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

944En existencias

Cinta cortada

S/14.09

S/7.08

S/6.42

S/5.22

S/5.18

Envase tipo carrete

S/4.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

3.4 mOhms, 3.4 mOhms

20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ114EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.48
1,720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ114EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ114EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

1,720En existencias

Cinta cortada

S/14.48

S/8.95

Envase tipo carrete

S/4.79

S/4.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

100 V

136 A

5.5 mOhms

20 V

2.4 V

102 nC

- 55 C

+ 175 C

277 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ142ER-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.66
1,930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ142ER-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ142ER-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

1,930En existencias

Cinta cortada

S/13.66

S/8.91

S/6.27

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

40 V

345 A

1.24 mOhms

20 V

3.5 V

92 nC

- 55 C

+ 175 C

277 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ144AE-T1_JE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.14
2,557En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ144AE-T1_JE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ144AE-T1_JE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

2,557En existencias

Cinta cortada

S/15.14

S/7.67

S/6.93

S/5.68

Envase tipo carrete

S/5.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK 8x8L

N-Channel

1 Channel

40 V

575 A

900 uOhms

20 V

3 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJQ936E-T1_GE3
Vishay
1: S/15.38
2,629En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ936E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ936E-T1GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

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Hoja de datos

2,629En existencias

S/15.38

S/7.79

S/7.05

S/5.80

S/5.41

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerPAK-8 x 8L

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

10 V

3.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

PowerPAK

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.05
39,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ910EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ910EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

39,520En existencias

Cinta cortada

S/14.05

S/7.05

S/6.38

S/5.22

S/5.18

Envase tipo carrete

S/4.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

100 V

70 A

8.6 mOhms

20 V

2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8 x 8L, 2.3 m a. 10V, 2.7 m a. 4.5V

SQJQ936EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.73
861En existencias
2,000Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ936EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ936EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8 x 8L, 2.3 m a. 10V, 2.7 m a. 4.5V

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Hoja de datos

861En existencias

2,000Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

S/15.73

S/7.98

S/7.24

S/5.99

Envase tipo carrete

S/5.61

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

20 V

2.5 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ100EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.09
2,164En existencias

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SQJQ100EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ100EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/17.09

S/11.21

S/8.37

S/7.01

Envase tipo carrete

S/6.58

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: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

900 uOhms

20 V

1.5 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ140E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/18.29
4,068En existencias
4,000Se espera el 18/02/2027

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SQJQ140E-T1_GE3

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78-SQJQ140E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/18.29

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S/8.52

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S/6.85

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: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

40 V

701 A

530 uOhms

20 V

3.3 V

288 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ141EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.29
7,377En existencias

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SQJQ141EL-T1_GE3

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78-SQJQ141EL-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/9.42

S/8.52

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S/6.93

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: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8-8L-4

P-Channel

1 Channel

40 V

545 A

2 mOhms

20 V

2.5 V

487 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ142E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SQJQ142E-T1_GE3

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78-SQJQ142E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/6.77

S/6.11

S/4.98

S/4.90

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S/4.55

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

460 A

1 mOhms

20 V

3.5 V

92 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto N-Channel 40V 175C

SQJQ144AE-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.44
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ144AE-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ144AE-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto N-Channel 40V 175C

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S/14.44

S/9.46

S/6.58

S/5.37

S/5.33

Envase tipo carrete

S/5.06

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

575 A

900 uOhms

20 V

3.5 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

SQJQ Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

36 A
63 A
70 A
95 A
100 A
135 A
136 A
150 A
160 A
167 A
200 A
233 A
245 A
280 A
296 A
329 A
345 A
373 A
375 A
413 A

520 uOhms
530 uOhms
650 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.24 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.72 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.53 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms, 2.9 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
3.6 mOhms

19 nC
26 nC
32 nC
34 nC
45 nC
46 nC
61 nC
68 nC
69 nC
75 nC
92 nC
98 nC
102 nC
116 nC
120 nC
123 nC
135 nC
144 nC
150 nC
175 nC