Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R_DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 140

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package STD7LN80K5 STMicroelectronics 1: S/11.21 2,652En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD7LN80K5 N.º de artículo de Mouser 511-STD7LN80K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	2,652En existencias	Cinta cortada S/11.21 S/5.53 S/4.98 S/4.01 S/3.76 Envase tipo carrete S/3.56 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	5 A	1.15 Ohms	30 V	3 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	85 W	Enhancement		MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package STF12N120K5 STMicroelectronics 1: S/48.50 601En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF12N120K5 N.º de artículo de Mouser 511-STF12N120K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	601En existencias	S/48.50 S/29.04 S/26.86 S/25.38	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	12 A	620 mOhms	30 V	5 V	44.2 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement		MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 STF20N95K5 STMicroelectronics 1: S/27.05 2,614En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF20N95K5 N.º de artículo de Mouser 511-STF20N95K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	2,614En existencias	S/27.05 S/14.48 S/13.23 S/12.88 Ver S/11.68 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	950 V	17.5 A	330 mOhms	30 V	3 V	48 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement		MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 STF21N90K5 STMicroelectronics 1: S/32.35 1,723En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF21N90K5 N.º de artículo de Mouser 511-STF21N90K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	1,723En existencias	S/32.35 S/17.52 S/16.08 S/14.83	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	900 V	18.5 A	299 mOhms	30 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement		SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5 STF25N80K5 STMicroelectronics 1: S/26.39 879En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF25N80K5 N.º de artículo de Mouser 511-STF25N80K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5 Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	879En existencias	S/26.39 S/14.01 S/12.85 S/11.72 S/11.33	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	19.5 A	260 mOhms	30 V	4 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement		MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 1.35 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a STL210N4LF7AG STMicroelectronics 1: S/12.26 3,312En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL210N4LF7AG N.º de artículo de Mouser 511-STL210N4LF7AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 1.35 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	3,312En existencias	Cinta cortada S/12.26 S/6.11 S/5.53 S/4.44 S/4.40 Envase tipo carrete S/4.01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	1.6 mOhms	20 V	2.5 V	56 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package STW40N90K5 STMicroelectronics 1: S/68.31 394En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW40N90K5 N.º de artículo de Mouser 511-STW40N90K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	394En existencias	S/68.31 S/39.00	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	900 V	40 A	88 mOhms	30 V	3 V	89 nC	- 55 C	+ 150 C	446 W	Enhancement		MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package STW6N90K5 STMicroelectronics 1: S/14.25 1,587En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW6N90K5 N.º de artículo de Mouser 511-STW6N90K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	1,587En existencias	S/14.25 S/7.16 S/5.41 S/4.75	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	900 V	6 A	910 mOhms	30 V	3 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement		MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package STW7N90K5 STMicroelectronics 1: S/15.34 1,320En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW7N90K5 N.º de artículo de Mouser 511-STW7N90K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	1,320En existencias	S/15.34 S/7.55 S/5.72 S/5.49	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	900 V	7 A	720 mOhms	30 V	3 V	17.7 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement		MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package STW8N90K5 STMicroelectronics 1: S/18.26 1,794En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW8N90K5 N.º de artículo de Mouser 511-STW8N90K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	1,794En existencias	S/18.26 S/9.15 S/7.01 S/6.85	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	900 V	8 A	680 mOhms	30 V	3 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement		MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package STD4N90K5 STMicroelectronics 1: S/10.04 3,505En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD4N90K5 N.º de artículo de Mouser 511-STD4N90K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	3,505En existencias	Cinta cortada S/10.04 S/4.90 S/4.44 S/3.52 S/3.36 Envase tipo carrete S/3.02 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	900 V	3 A	1.9 Ohms	30 V	3 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement		MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect STF13N80K5 STMicroelectronics 1: S/19.58 1,202En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF13N80K5 N.º de artículo de Mouser 511-STF13N80K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	1,202En existencias	S/19.58 S/10.16 S/9.23 S/7.55	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	12 A	370 mOhms	30 V	4 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement		MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package STF3LN80K5 STMicroelectronics 1: S/8.60 3,068En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF3LN80K5 N.º de artículo de Mouser 511-STF3LN80K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	3,068En existencias	S/8.60 S/5.49 S/3.68 S/2.98 Ver S/2.67 S/2.48	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	2 A	2.75 Ohms	30 V	3 V	2.63 nC	- 55 C	+ 150 C	20 W	Enhancement		MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5 STL260N4F7 STMicroelectronics 1: S/15.30 5,018En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL260N4F7 N.º de artículo de Mouser 511-STL260N4F7	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5 Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	5,018En existencias	Cinta cortada S/15.30 S/7.75 S/7.01 S/5.76 Envase tipo carrete S/5.41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5x6-8	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	1.1 mOhms	20 V	4 V	72 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A STB15N80K5 STMicroelectronics 1: S/23.98 634En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB15N80K5 N.º de artículo de Mouser 511-STB15N80K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	634En existencias	Cinta cortada S/23.98 S/12.61 S/11.52 S/10.55 Envase tipo carrete S/9.96 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	14 A	300 mOhms	30 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement		MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package STP20N90K5 STMicroelectronics 1: S/31.80 1,395En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP20N90K5 N.º de artículo de Mouser 511-STP20N90K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	1,395En existencias	S/31.80 S/15.10 S/14.25	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	900 V	20 A	210 mOhms	30 V	3 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement		MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 STP21N90K5 STMicroelectronics 1: S/30.67 1,381En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP21N90K5 N.º de artículo de Mouser 511-STP21N90K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	1,381En existencias	S/30.67 S/16.54 S/15.18 S/13.00	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	900 V	18.5 A	299 mOhms	30 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement		SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 STW21N90K5 STMicroelectronics 1: S/35.30 560En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW21N90K5 N.º de artículo de Mouser 511-STW21N90K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	560En existencias	S/35.30 S/24.87 S/20.12 S/17.87 S/16.00	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	900 V	18.5 A	299 mOhms	30 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement		SuperMESH	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long le STWA40N90K5 STMicroelectronics 1: S/43.40 538En existencias	N.º de artículo del Fabricante STWA40N90K5 N.º de artículo de Mouser 511-STWA40N90K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long le Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	538En existencias	S/43.40 S/33.83	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	900 V	40 A	88 mOhms	30 V	3 V	89 nC	- 55 C	+ 150 C	446 W	Enhancement		MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package STD6N80K5 STMicroelectronics 1: S/10.98 2,500En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD6N80K5 N.º de artículo de Mouser 511-STD6N80K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	2,500En existencias	Cinta cortada S/10.98 S/5.45 S/4.83 S/3.93 Envase tipo carrete S/3.27 Ver S/3.72 S/3.24 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	4.5 A	1.6 Ohms	30 V	4 V	7.5 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement		MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in STL7LN65K5AG STMicroelectronics 1: S/15.10 5,586En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL7LN65K5AG N.º de artículo de Mouser 511-STL7LN65K5AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	5,586En existencias	Cinta cortada S/15.10 S/7.63 S/6.93 S/5.68 Envase tipo carrete S/5.29 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5x6-VHV-8	N-Channel	1 Channel	650 V	5 A	1.15 Ohms	30 V	5 V	11.7 nC	- 55 C	+ 150 C	79 W	Enhancement	AEC-Q101	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected STL7N80K5 STMicroelectronics 1: S/8.21 5,158En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL7N80K5 N.º de artículo de Mouser 511-STL7N80K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	5,158En existencias	Cinta cortada S/8.21 S/5.25 S/4.67 S/4.13 S/4.05 Envase tipo carrete S/3.82 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5x6-8	N-Channel	1 Channel	800 V	3.6 A	1.2 Ohms	30 V	4 V	13.4 nC	- 55 C	+ 150 C	42 W	Enhancement		MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package STB16N90K5 STMicroelectronics 1: S/26.74 1,171En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB16N90K5 N.º de artículo de Mouser 511-STB16N90K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	1,171En existencias	Cinta cortada S/26.74 S/13.51 S/12.46 S/11.72 Envase tipo carrete S/11.05 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	900 V	15 A	330 mOhms	20 V	3 V	29.7 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement		MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package STF7N105K5 STMicroelectronics 1: S/15.80 1,439En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF7N105K5 N.º de artículo de Mouser 511-STF7N105K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	1,439En existencias	S/15.80 S/8.02 S/7.28 S/5.96 S/5.92	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	1.05 kV	4 A	1.4 Ohms	30 V	3 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement		MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na STFU13N80K5 STMicroelectronics 1: S/18.65 1,691En existencias	N.º de artículo del Fabricante STFU13N80K5 N.º de artículo de Mouser 511-STFU13N80K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	1,691En existencias	S/18.65 S/9.85 S/8.95 S/7.40 S/6.73	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	12 A	370 mOhms	30 V	3 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement		MDmesh	Tube