Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 28

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101 TK160F10N1L,LXGQ Toshiba 1: S/ 19.38 26,191En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK160F10N1L,LXGQ N.º de artículo de Mouser 757-TK160F10N1LLXGQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	26,191En existencias	Cinta cortada S/ 19.38 S/ 10.04 S/ 9.11 S/ 7.94 Envase tipo carrete S/ 7.47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-220SM-3	N-Channel	1 Channel	100 V	160 A	2.4 mOhms	20 V	3.5 V	122 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A XPN12006NC,L1XHQ Toshiba 1: S/ 7.36 56,440En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPN12006NC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPN12006NCL1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A Obtenga más información sobre Toshiba xpn12006nc mosfets	Hoja de datos	56,440En existencias	Cinta cortada S/ 7.36 S/ 3.52 S/ 3.15 S/ 2.48 Envase tipo carrete S/ 2.05 Ver S/ 2.33 S/ 2.29 S/ 2.00	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	20 A	23.7 mOhms	20 V	2.5 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101 TK60S10N1L,LXHQ Toshiba 1: S/ 9.58 5,825En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK60S10N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK60S10N1LLXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	5,825En existencias	Cinta cortada S/ 9.58 S/ 4.67 S/ 4.20 S/ 3.35 S/ 3.16 Envase tipo carrete S/ 2.88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	60 A	6.11 mOhms	20 V	3.5 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	180 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101 XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba 1: S/ 8.76 10,708En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPH6R30ANB,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPH6R30ANBL1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	10,708En existencias	Cinta cortada S/ 8.76 S/ 4.24 S/ 3.80 S/ 3.02 Ver Envase tipo carrete S/ 2.54 S/ 2.83 S/ 2.73 S/ 2.54 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-Advance-8	N-Channel	1 Channel	100 V	45 A	6.3 mOhms	20 V	3.5 V	52 nC	- 55 C	+ 175 C	132 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=50W F=1MHZ AEC-Q101 TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba 1: S/ 5.84 3,990En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK7S10N1Z,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK7S10N1ZLXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=50W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	3,990En existencias	Cinta cortada S/ 5.84 S/ 2.76 S/ 2.45 S/ 1.92 Envase tipo carrete S/ 1.66 Ver S/ 1.91 S/ 1.45 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	7 A	48 mOhms	20 V	4 V	7.1 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba 1: S/ 12.69 4,844En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPW4R10ANB,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPW4R10ANBL1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	4,844En existencias	Cinta cortada S/ 12.69 S/ 6.34 S/ 5.72 S/ 4.63 Ver Envase tipo carrete S/ 4.20 S/ 4.48 S/ 4.20 S/ 4.20 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	DSOP-8	N-Channel	1 Channel	100 V	70 A	4.1 mOhms	20 V	3.5 V	75 nC	- 55 C	+ 175 C	170 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101 XPH4R10ANB,L1XHQ Toshiba 1: S/ 10.32 6,311En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPH4R10ANB,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPH4R10ANBL1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	6,311En existencias	Cinta cortada S/ 10.32 S/ 5.06 S/ 4.55 S/ 3.64 Ver Envase tipo carrete S/ 3.17 S/ 3.49 S/ 3.35 S/ 3.17 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-Advance-8	N-Channel	1 Channel	100 V	70 A	4.1 mOhms	20 V	3.5 V	75 nC	- 55 C	+ 175 C	170 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101 TK15S04N1L,LXHQ Toshiba 1: S/ 5.64 2,860En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK15S04N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK15S04N1LLXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2,860En existencias	Cinta cortada S/ 5.64 S/ 2.65 S/ 2.35 S/ 1.84 Envase tipo carrete S/ 1.58 Ver S/ 1.81 S/ 1.38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	15 A	17.8 mOhms	20 V	2.5 V	10 nC	- 55 C	+ 175 C	46 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=205W F=1MHZ AEC-Q101 TK60F10N1L,LXGQ Toshiba 1: S/ 12.73 1,985En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK60F10N1L,LXGQ N.º de artículo de Mouser 757-TK60F10N1LLXGQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=205W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	1,985En existencias	Cinta cortada S/ 12.73 S/ 6.34 S/ 5.72 S/ 4.63 Envase tipo carrete S/ 4.24 S/ 4.20 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-220SM-3	N-Channel	1 Channel	100 V	60 A	6.11 mOhms	20 V	3.5 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F SSM6K809R,LXHF Toshiba 1: S/ 4.52 2,368En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6K809R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K809RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2,368En existencias	Cinta cortada S/ 4.52 S/ 2.09 S/ 1.85 S/ 1.50 Envase tipo carrete S/ 1.16 Ver S/ 1.37 S/ 1.08 S/ 1.01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP6F	N-Channel	1 Channel	60 V	6 A	36 mOhms	20 V	2.5 V	9.3 nC		+ 175 C	1.5 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F SSM6K810R,LXHF Toshiba 1: S/ 4.52 4,724En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6K810R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K810RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	4,724En existencias	Cinta cortada S/ 4.52 S/ 2.09 S/ 1.85 S/ 1.44 Envase tipo carrete S/ 1.12 Ver S/ 1.37 S/ 1.08 S/ 1.01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP6F	N-Channel	1 Channel	100 V	3.5 A	51 mOhms	20 V	2.5 V	3.2 nC		+ 175 C	1.5 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK40S06N1L,LXHQ Toshiba 1: S/ 6.70 2,100En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK40S06N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK40S06N1L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2,100En existencias	Cinta cortada S/ 6.70 S/ 3.17 S/ 2.83 S/ 2.23 Envase tipo carrete S/ 1.86 Ver S/ 2.18 S/ 1.72	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	40 A	10.5 mOhms	20 V	2.5 V	26 nC		+ 175 C	88.2 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF) XSM6K336NW,LXHF Toshiba 1: S/ 3.31 2,900En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante XSM6K336NW,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-XSM6K336NWLXHF Nuevo producto	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF) Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2,900En existencias	Cinta cortada S/ 3.31 S/ 1.51 S/ 1.34 S/ 1.02 Envase tipo carrete S/ 0.786 Ver S/ 0.685 S/ 0.65	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-6	N-Channel	1 Channel	30 V	3 A	95 mOhms	20 V	2.5 V	1.7 nC		+ 150 C	3.3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF) XSM6K361NW,LXHF Toshiba 1: S/ 4.32 2,270En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante XSM6K361NW,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-XSM6K361NWLXHF Nuevo producto	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF) Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2,270En existencias	Cinta cortada S/ 4.32 S/ 2.69 S/ 1.77 S/ 1.39 Envase tipo carrete S/ 1.08 Ver S/ 1.22 S/ 0.961 S/ 0.923 S/ 0.895	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-6	N-Channel	1 Channel	100 V	3.5 A	69 mOhms	20 V	2.5 V	3.2 nC		+ 175 C	4.3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF) XSM6K519NW,LXHF Toshiba 1: S/ 4.36 2,313En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante XSM6K519NW,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-XSM6K519NWLXHF Nuevo producto	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF) Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2,313En existencias	Cinta cortada S/ 4.36 S/ 2.02 S/ 1.79 S/ 1.38 Envase tipo carrete S/ 1.08 Ver S/ 1.34 S/ 1.05 S/ 0.954 S/ 0.907	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-6	N-Channel	1 Channel	40 V	8 A	17.8 mOhms	20 V	2.5 V	6.5 nC		+ 175 C	4.3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm TPH1500CNH1,LQ Toshiba 1: S/ 11.95 3,803En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPH1500CNH1,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TPH1500CNH1LQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	3,803En existencias	Cinta cortada S/ 11.95 S/ 5.96 S/ 5.37 S/ 4.32 Ver Envase tipo carrete S/ 3.89 S/ 4.20 S/ 4.13 S/ 3.89	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-8	N-Channel	1 Channel	150 V	38 A	15.4 mOhms	20 V	4 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	170 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F SSM6K819R,LXHF Toshiba 1: S/ 6.54 5,063En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6K819R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K819RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	5,063En existencias	Cinta cortada S/ 6.54 S/ 3.09 S/ 2.76 S/ 2.16 Envase tipo carrete S/ 1.73 Ver S/ 2.06 S/ 1.69 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP6F	N-Channel	1 Channel	100 V	10 A	20.9 mOhms	20 V	2.5 V	8.5 nC		+ 175 C	1.5 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK100S04N1L,LXHQ Toshiba 1: S/ 9.38 4,390En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK100S04N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK100S04N1L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	4,390En existencias	Cinta cortada S/ 9.38 S/ 4.59 S/ 4.13 S/ 3.27 S/ 3.18 Envase tipo carrete S/ 2.79 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	2.3 mOhms	20 V	2.5 V	76 nC		+ 175 C	180 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm TPH4R50ANH1,LQ Toshiba 1: S/ 9.30 3,578En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPH4R50ANH1,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TPH4R50ANH1LQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	3,578En existencias	Cinta cortada S/ 9.30 S/ 4.55 S/ 4.09 S/ 3.23 Ver Envase tipo carrete S/ 2.76 S/ 3.14 S/ 3.03 S/ 2.76 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-8	N-Channel	1 Channel	100 V	92 A	4.5 mOhms	20 V	4 V	58 nC		+ 150 C	170 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101 TK33S10N1L,LXHQ Toshiba 1: S/ 7.75 877En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK33S10N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK33S10N1LLXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	877En existencias	Cinta cortada S/ 7.75 S/ 3.71 S/ 3.32 S/ 2.63 Envase tipo carrete S/ 2.34 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	33 A	9.7 mOhms	20 V	2.5 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F SSM6N813R,LXHF Toshiba 1: S/ 4.83 1,244En existencias 6,000Se espera el 23/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6N813R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N813RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	1,244En existencias 6,000Se espera el 23/10/2026	Cinta cortada S/ 4.83 S/ 3.03 S/ 1.99 S/ 1.55 Envase tipo carrete S/ 1.19 Ver S/ 1.40 S/ 1.12 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP6F	N-Channel	2 Channel	100 V	3.5 A	88 mOhms	20 V	2.5 V	3.6 nC		+ 175 C	1.5 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101 TK11S10N1L,LXHQ Toshiba 1: S/ 6.23 2,828En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK11S10N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK11S10N1LLXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2,828En existencias	Cinta cortada S/ 6.23 S/ 2.93 S/ 2.61 S/ 2.05 Envase tipo carrete S/ 1.71 S/ 1.58 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	11 A	28 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=78W F=1MHZ TPHR9003NL1,LQ Toshiba 1: S/ 10.78 94En existencias 10,000Se espera el 26/02/2027	N.º de artículo del Fabricante TPHR9003NL1,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TPHR9003NL1LQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=78W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	94En existencias 10,000Se espera el 26/02/2027	Cinta cortada S/ 10.78 S/ 5.37 S/ 4.75 S/ 3.86 Ver Envase tipo carrete S/ 3.18 S/ 3.66 S/ 3.55 S/ 3.18	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-8	N-Channel	1 Channel	30 V	320 A	770 uOhms	20 V	2.3 V	74 nC		+ 150 C	170 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba 1: S/ 6.54 2,722En existencias 5,000Se espera el 9/11/2026	N.º de artículo del Fabricante XPN6R706NC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPN6R706NC,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2,722En existencias 5,000Se espera el 9/11/2026	Cinta cortada S/ 6.54 S/ 3.10 S/ 2.76 S/ 2.17 Ver Envase tipo carrete S/ 1.70 S/ 2.06 S/ 1.97 S/ 1.70 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-Advance-8	N-Channel	1 Channel	60 V	40 A	6.7 mOhms	20 V	2.5 V	35 nC		+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK25S06N1L,LXHQ Toshiba 1: S/ 6.38 4,000Se espera el 23/10/2026	N.º de artículo del Fabricante TK25S06N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK25S06N1L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	4,000Se espera el 23/10/2026	Cinta cortada S/ 6.38 S/ 3.01 S/ 2.68 S/ 2.10 Envase tipo carrete S/ 1.65 Ver S/ 2.04 S/ 1.51	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	25 A	36.8 mOhms	20 V	1.5 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	57 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape