Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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Resultados: 178

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

CSD87353Q5D
Texas Instruments
1: S/15.10
2,312En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87353Q5D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87353Q5D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

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Hoja de datos

2,312En existencias

Cinta cortada

S/15.10

S/8.10

S/6.93

S/5.72

Envase tipo carrete

S/4.98

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

40 A

- 8 V, 10 V

750 mV, 1.1 V

16 nC, 20 nC

- 55 C

+ 150 C

12 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2T

CSD87502Q2
Texas Instruments
1: S/3.85
11,612En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87502Q2

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87502Q2

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2T

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11,612En existencias

Cinta cortada

S/3.85

S/1.84

S/1.63

S/1.21

Envase tipo carrete

S/0.923

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

2 Channel

30 V

5 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

2.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13306WT

CSD13306W
Texas Instruments
1: S/3.31
804En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD13306W

N.º de artículo de Mouser
595-CSD13306W

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13306WT

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Hoja de datos

804En existencias

Cinta cortada

S/3.31

S/1.51

S/1.34

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.697

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

DSBGA-6

N-Channel

1 Channel

12 V

3.5 A

10.2 mOhms

- 10 V, 10 V

700 mV

11.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD13306W

CSD13306WT
Texas Instruments
1: S/6.89
492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD13306WT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD13306WT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD13306W

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Hoja de datos

492En existencias

Cinta cortada

S/6.89

S/3.27

S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.53

S/2.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

DSBGA-6

N-Channel

1 Channel

12 V

3.5 A

10.2 mOhms

- 10 V, 10 V

700 mV

11.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16409Q3
Texas Instruments
1: S/6.93
2,432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16409Q3

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16409Q3

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

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2,432En existencias

Cinta cortada

S/6.93

S/3.78

S/2.86

S/2.27

Envase tipo carrete

S/1.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

9.5 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16414Q5
Texas Instruments
1: S/12.18
376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16414Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16414Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

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376En existencias

Cinta cortada

S/12.18

S/7.90

S/5.45

S/4.44

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

2.1 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

16.6 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD164 A 595-CSD16415Q5T

CSD16415Q5
Texas Instruments
1: S/13.35
49En existencias
5,000Se espera el 23/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD16415Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16415Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD164 A 595-CSD16415Q5T

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Hoja de datos

49En existencias

5,000Se espera el 23/11/2026

Cinta cortada

S/13.35

S/6.70

S/6.03

S/4.90

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

CSD16570Q5BT
Texas Instruments
1: S/15.45
320En existencias
500Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD16570Q5BT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16570Q5BT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

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320En existencias

500Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/15.45

S/7.82

S/6.31

Envase tipo carrete

S/6.31

S/5.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

680 uOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

192 nC

- 40 C

+ 85 C

195 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2

CSD17313Q2T
Texas Instruments
1: S/7.71
2,738En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17313Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17313Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2

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2,738En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/3.67

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.86

S/2.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 250

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

1 Channel

30 V

5 A

32 mOhms

- 8 V, 10 V

900 mV

2.1 nC

- 55 C

+ 150 C

17 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2T

CSD17318Q2
Texas Instruments
1: S/2.53
6,508En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17318Q2

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17318Q2

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2T

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6,508En existencias

Cinta cortada

S/2.53

S/1.14

S/1.00

S/0.759

Envase tipo carrete

S/0.576

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

WSON-6

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

16.9 mOhms

- 8 V, 10 V

600 mV

6 nC

- 55 C

+ 150 C

16 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET

CSD17322Q5A
Texas Instruments
1: S/7.67
1,093En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17322Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17322Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET

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Hoja de datos

1,093En existencias

Cinta cortada

S/7.67

S/4.09

S/3.17

S/2.51

Envase tipo carrete

S/1.96

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

5 A

12.4 mOhms

- 10 V, 10 V

1.6 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17559Q5T

CSD17559Q5
Texas Instruments
1: S/14.60
339En existencias
2,500Se espera el 26/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17559Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17559Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17559Q5T

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339En existencias

2,500Se espera el 26/08/2026

Cinta cortada

S/14.60

S/7.36

S/6.66

S/5.41

Envase tipo carrete

S/5.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.15 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

CSD17571Q2
Texas Instruments
1: S/2.69
7,883En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17571Q2

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17571Q2

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

7,883En existencias

Cinta cortada

S/2.69

S/1.22

S/1.07

S/0.81

Envase tipo carrete

S/0.619

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

WSON-6

N-Channel

1 Channel

30 V

22 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A

CSD17577Q3AT
Texas Instruments
1: S/7.71
851En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17577Q3AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17577Q3AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A

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Hoja de datos

851En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.94

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.90

S/2.50

S/2.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

27 nC

- 40 C

+ 85 C

53 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q3A

CSD17578Q3AT
Texas Instruments
1: S/8.45
643En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17578Q3AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17578Q3AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q3A

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Hoja de datos

643En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/4.09

S/3.17

Envase tipo carrete

S/3.17

S/2.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

20 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17578Q5AT

CSD17578Q5A
Texas Instruments
1: S/3.97
2,240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17578Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17578Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17578Q5AT

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Hoja de datos

2,240En existencias

Cinta cortada

S/3.97

S/2.49

S/1.62

S/1.25

Envase tipo carrete

S/0.973

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

10.3 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q3A

CSD17579Q3AT
Texas Instruments
1: S/8.21
264En existencias
3,250Se espera el 31/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17579Q3AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17579Q3AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q3A

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Hoja de datos

264En existencias

3,250Se espera el 31/08/2026

Cinta cortada

S/8.21

S/3.97

S/3.06

Envase tipo carrete

S/3.06

S/2.64

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

20 A

11.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A A 595-CSD17581Q3A

CSD17581Q3AT
Texas Instruments
1: S/7.08
700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17581Q3AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17581Q3AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A A 595-CSD17581Q3A

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Hoja de datos

700En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/3.37

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.61

S/2.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q5AT

CSD17581Q5A
Texas Instruments
1: S/4.94
3,194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17581Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17581Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q5AT

Obtenga más información

Hoja de datos

3,194En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/2.31

S/2.05

S/1.59

Envase tipo carrete

S/1.33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N-Chanel NxFT P wr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

CSD18502KCS
Texas Instruments
1: S/13.47
27En existencias
1,000Se espera el 21/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18502KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18502KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N-Chanel NxFT P wr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch NexFET Powe r MOSFET

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D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

194 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

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40 V

100 A

4.1 mOhms

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59 nC

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96 W

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CSD18531Q5AT
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VSONP-8

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60 V

134 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

43 nC

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156 W

Enhancement

NexFET

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NexFET N-Channel Power MOSFETs

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Empresa

Recursos

Soporte

3.1 A
3.5 A
4.5 A
5 A
7 A
8 A
10 A
12 A
14 A
14.4 A
15 A
16 A
17 A
20 A
22 A
25 A
27 A
32 A
35 A
40 A

590 uOhms
680 uOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.4 mOhms

600 mV
650 mV
680 mV
700 mV
750 mV, 1 V
750 mV, 1.1 V
800 mV
850 mV
900 mV
950 mV
1 V
1.1 V
1.15 V, 2.1 V
1.2 V
1.2 V, 2.1 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.6 V, 2.1 V

1.04 nC
2 nC
2.1 nC
2.2 nC
2.4 nC
2.7 nC, 6.4 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.6 nC
3.9 nC
4 nC
4.3 nC
4.8 nC, 9.6 nC
5.1 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.6 nC
5.8 nC
5.9 nC, 17 nC

500 mW
1.5 W
1.65 W
1.7 W
1.9 W
2.1 W
2.3 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
6 W
8.5 W
12 W
13 W
15 W