Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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Resultados: 178

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

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Texas Instruments
1: S/7.32
4,419En existencias

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CSD16342Q5A

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595-CSD16342Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

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Cinta cortada

S/7.32

S/4.67

S/3.11

S/2.46

S/2.25

Envase tipo carrete

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NexFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET

CSD17322Q5A
Texas Instruments
1: S/7.43
6,093En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17322Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17322Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET

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Cinta cortada

S/7.43

S/4.71

S/3.11

S/2.46

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.92

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V N-CH NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

CSD87312Q3E
Texas Instruments
1: S/8.49
2,439En existencias

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CSD87312Q3E

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87312Q3E

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V N-CH NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Cinta cortada

S/8.49

S/5.41

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S/2.96

Envase tipo carrete

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NexFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16327Q3

CSD16327Q3T
Texas Instruments
1: S/8.60
2,753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16327Q3T

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595-CSD16327Q3T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16327Q3

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S/8.60

S/5.53

S/2.93

Envase tipo carrete

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NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16407Q5
Texas Instruments
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2,871En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16407Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16407Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

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S/11.09

S/7.20

S/4.94

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Envase tipo carrete

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NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCH NexFET A 595 -CSD17577Q5A A 595- A 595-CSD17577Q5A

CSD17577Q5AT
Texas Instruments
1: S/8.52
5,227En existencias

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CSD17577Q5AT

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595-CSD17577Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCH NexFET A 595 -CSD17577Q5A A 595- A 595-CSD17577Q5A

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Cinta cortada

S/8.52

S/5.45

S/2.85

Envase tipo carrete

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S/2.53

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16403Q5A
Texas Instruments
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5,118En existencias

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CSD16403Q5A

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595-CSD16403Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

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NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

CSD17306Q5A
Texas Instruments
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2,474En existencias

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CSD17306Q5A

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Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

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S/8.33

S/5.33

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NexFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel MOSFET A 595-CSD17577Q3A A A 595-CSD17577Q3A

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Texas Instruments
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14,650En existencias

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CSD17552Q3A

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595-CSD17552Q3A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel MOSFET A 595-CSD17577Q3A A A 595-CSD17577Q3A

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Cinta cortada

S/6.66

S/4.20

S/2.80

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.80

Ver

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17559Q5T

CSD17559Q5
Texas Instruments
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2,390En existencias

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CSD17559Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17559Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17559Q5T

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Cinta cortada

S/14.60

S/9.54

S/6.66

S/5.41

Envase tipo carrete

S/4.55

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MouseReel Disponible

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30 V

100 A

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTT

CSD19506KTTT
Texas Instruments
1: S/30.71
927En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19506KTTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19506KTTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTT

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927En existencias

Cinta cortada

S/30.71

S/15.49

Envase tipo carrete

S/15.49

S/13.86

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs A 595-CSD1640 A 595-CSD16401Q5T

CSD16401Q5
Texas Instruments
1: S/12.73
1,844En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16401Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16401Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs A 595-CSD1640 A 595-CSD16401Q5T

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1,844En existencias

Cinta cortada

S/12.73

S/9.11

S/6.34

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

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1.5 V

21 nC

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3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18511Q5A

CSD18511Q5AT
Texas Instruments
1: S/9.30
5,066En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18511Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18511Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18511Q5A

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5,066En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.99

S/3.55

Envase tipo carrete

S/3.55

S/3.08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

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1.5 V

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104 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET

CSD17311Q5
Texas Instruments
1: S/12.14
1,653En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17311Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17311Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET

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1,653En existencias

Cinta cortada

S/12.14

S/7.90

S/5.45

S/4.40

Envase tipo carrete

S/3.69

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.3 mOhms

- 8 V, 10 V

1.2 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A

CSD18514Q5AT
Texas Instruments
1: S/8.91
19,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18514Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18514Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A

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19,116En existencias

Cinta cortada

S/8.91

S/5.72

S/3.01

Envase tipo carrete

S/3.01

S/2.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

6 mOhms

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1.5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

CSD17305Q5A
Texas Instruments
1: S/6.97
3,489En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17305Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17305Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

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Hoja de datos

3,489En existencias

Cinta cortada

S/6.97

S/6.34

S/4.28

S/3.46

S/3.10

Envase tipo carrete

S/2.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

2.8 mOhms

- 8 V, 10 V

1.1 V

14.1 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16413Q5A
Texas Instruments
1: S/8.10
3,383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16413Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16413Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

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Hoja de datos

3,383En existencias

Cinta cortada

S/8.10

S/5.18

S/3.49

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

4.1 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2

CSD87502Q2T
Texas Instruments
1: S/4.20
5,273En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87502Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87502Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2

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Hoja de datos

5,273En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.75

S/2.27

Envase tipo carrete

S/2.27

S/2.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

2 Channel

30 V

5 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A

CSD19538Q3AT
Texas Instruments
1: S/8.14
4,309En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19538Q3AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19538Q3AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A

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Hoja de datos

4,309En existencias

Cinta cortada

S/8.14

S/5.18

S/3.03

Envase tipo carrete

S/3.03

S/2.62

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

15 A

61 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q5A

CSD17527Q5A
Texas Instruments
1: S/6.03
4,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17527Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17527Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q5A

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Hoja de datos

4,265En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.86

S/2.65

S/2.16

Envase tipo carrete

S/1.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

10.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

2.8 nC

- 55 C

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3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD1 A 595-CSD17581Q5A

CSD17581Q5AT
Texas Instruments
1: S/7.36
1,551En existencias

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CSD17581Q5AT

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595-CSD17581Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD1 A 595-CSD17581Q5A

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S/7.36

S/4.71

S/2.74

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S/2.74

S/2.35

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Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel Nex F ET Pwr MOSFET

CSD86311W1723
Texas Instruments
1: S/6.23
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CSD86311W1723

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595-CSD86311W1723

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S/3.97

S/2.62

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.51

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: 3,000

SMD/SMT

DSBGA-12

N-Channel

2 Channel

25 V

5 A

42 mOhms

- 8 V, 10 V

1 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2

CSD17318Q2T
Texas Instruments
1: S/6.89
2,902En existencias

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CSD17318Q2T

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595-CSD17318Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2

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S/6.89

S/4.36

S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.53

S/2.20

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Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

WSON-6

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

16.9 mOhms

- 8 V, 10 V

600 mV

6 nC

- 55 C

+ 150 C

16 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET

CSD19503KCS
Texas Instruments
1: S/10.47
1,480En existencias

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CSD19503KCS

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595-CSD19503KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET

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S/10.47

S/5.68

S/4.59

S/3.80

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16401Q5

CSD16401Q5T
Texas Instruments
1: S/17.52
507En existencias

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CSD16401Q5T

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595-CSD16401Q5T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16401Q5

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Cinta cortada

S/17.52

S/11.52

S/7.24

Envase tipo carrete

S/7.24

S/6.38

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3.1 A
3.5 A
4.5 A
5 A
7 A
8 A
10 A
12 A
14 A
14.4 A
15 A
16 A
17 A
20 A
22 A
25 A
27 A
32 A
35 A
40 A

590 uOhms
680 uOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.4 mOhms

600 mV
650 mV
680 mV
700 mV
750 mV, 1 V
750 mV, 1.1 V
800 mV
850 mV
900 mV
950 mV
1 V
1.1 V
1.15 V, 2.1 V
1.2 V
1.2 V, 2.1 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.6 V, 2.1 V

1.04 nC
2 nC
2.1 nC
2.2 nC
2.4 nC
2.7 nC, 6.4 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.6 nC
3.9 nC
4 nC
4.3 nC
4.8 nC, 9.6 nC
5.1 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.6 nC
5.8 nC
5.9 nC, 17 nC

500 mW
1.5 W
1.65 W
1.7 W
1.9 W
2.1 W
2.3 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
6 W
8.5 W
12 W
13 W
15 W